744710605 متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل 744710605، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل 744710605 عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء 744710605 مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
744710605
- رقم القطعة:
- 744710605
- الصانع:
- Wurth Electronics
- وصف:
- FIXED IND 6UH 5A 11.7 MOHM TH
- حالة خالية من الرصاص:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- كمية المخزون:
- 48685 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- 744710605.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| اكتب: | Wirewound |
| تسامح: | ±25% |
| تجار الأجهزة حزمة: | - |
| حجم / البعد: | 0.272" Dia x 0.807" L (6.90mm x 20.50mm) |
| التدريع: | Unshielded |
| سلسلة: | WE-SD |
| تصنيفات: | - |
| س @ التكرار: | - |
| التعبئة والتغليف: | Tray |
| حزمة / كيس: | Radial |
| اسماء اخرى: | 732-3254 |
| درجة حرارة التشغيل: | -40°C ~ 150°C |
| تصاعد نوع: | Through Hole |
| مستوى الحساسية للرطوبة (MSL): | 1 (Unlimited) |
| مادة - كور: | Ferrite |
| الصانع المهلة القياسية: | 18 Weeks |
| حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات: | Lead free / RoHS Compliant |
| تردد الحث - الاختبار: | 10kHz |
| الحث: | 6µH |
| ارتفاع - جلوسا (ماكس): | - |
| تردد - الذاتي الرنين: | 60MHz |
| وصف تفصيلي: | 6µH Unshielded Wirewound Inductor 5A 11.7 mOhm Radial |
| DC المقاومة (DCR): | 11.7 mOhm |
| التصويت الحالي: | 5A |
| الحالي - التشبع: | - |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة ل744710605
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
7447211103 | Wurth Electronics | FIXED IND 10MH 210MA 10.7 OHM TH | تحقيق |
 |
7447075 | Wurth Electronics | FIXED IND 860UH 3A 150 MOHM TH | تحقيق |
 |
744711005 | Wurth Electronics | FIXED IND 10UH 5A 15.1 MOHM TH | تحقيق |
 |
744710603 | Wurth Electronics | FIXED IND 6UH 2.5A 22 MOHM TH | تحقيق |
 |
744711015 | Wurth Electronics | FIXED IND 10UH 15A 5.7 MOHM TH | تحقيق |
|
7447211101 | Wurth Electronics | FIXED IND 100UH 2.2A 115 MOHM TH | تحقيق |
 |
744710615 | Wurth Electronics | FIXED IND 6UH 15A 3.5 MOHM TH | تحقيق |
 |
7447076 | Wurth Electronics | FIXED IND 150UH 5A 45 MOHM TH | تحقيق |
 |
744710203 | Wurth Electronics | FIXED IND 2UH 2.5A 11 MOHM TH | تحقيق |
 |
744710215 | Wurth Electronics | FIXED IND 2UH 15A 1.7 MOHM TH | تحقيق |
 |
744710205 | Wurth Electronics | FIXED IND 2UH 5A 6.5 MOHM TH | تحقيق |
 |
7447071 | Wurth Electronics | FIXED IND 470UH 3A 110 MOHM TH | تحقيق |
 |
744711010 | Wurth Electronics | FIXED IND 10UH 10A 8.8 MOHM TH | تحقيق |
 |
744711003 | Wurth Electronics | FIXED IND 10UH 2.5A 33 MOHM TH | تحقيق |
 |
744710210 | Wurth Electronics | FIXED IND 2UH 10A 3.8 MOHM TH | تحقيق |
 |
7447070 | Wurth Electronics | FIXED IND 100UH 5A 35 MOHM TH | تحقيق |
|
7447211221 | Wurth Electronics | FIXED IND 220UH 1.47A 250 MOHM | تحقيق |
 |
744710610 | Wurth Electronics | FIXED IND 6UH 10A 6.5 MOHM TH | تحقيق |
 |
7447060 | Wurth Electronics | FIXED IND 300UH 2A 150 MOHM TH | تحقيق |
|
7447211102 | Wurth Electronics | FIXED IND 1MH 680MA 1.1 OHM TH | تحقيق |
Latest الأخبار
- يتم استبعاد طاقة إنتاج HBM ، وقد تكون ذاكرة DRAM مختصرة في النصف الثاني من العام
- سينتهي مؤسسو الجدران أو HBM أو يتسبب في ارتفاع DRAM مرة أخرى
- الطلب على الهاتف المحمول وتوسيع أجهزة الكمبيوتر الشخصية ، تحسين صناعة تصنيع أشباه الموصلات العالمية
- فهم احتياجات أنظمة مراقبة ADAS وأنظمة المقصورة لأجهزة استشعار صور أمان الشبكة
- يشاع أن Samsung و SK Hynix أوقفوا DDR3 ، وارتفع اقتباس الترويج بنسبة 20 ٪
- أصدرت Melexis MLX90427: التحكم في الخط في الاختيار الجديد ، آمن وفعال واقتصادي
- أعلن التقرير المالي لـ NXP و Ansonmei ، ويتم إرسال سعر أسعار النحاس إلى صناعة IC
- أنشأت Moels Micro Electronics مكاتب جديدة في تايوان ، الصين لتوسيع أراضي العمل
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- يتناقص التقرير المالي للربع الأول من SEF Semiconductor (ST) ، وتباطأ الطلب على السيارات
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- حجم الرقاقة الناضجة المحلية ، سعة إنتاج ذاكرة فلاش Samsung NAND بالقرب من الحمل