6116LA150DB متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل 6116LA150DB، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل 6116LA150DB عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء 6116LA150DB مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
6116LA150DB
- رقم القطعة:
- 6116LA150DB
- وصف:
- IC SRAM 16K PARALLEL 24CDIP
- حالة خالية من الرصاص:
- يحتوي الرصاص / بنفايات غير متوافقة
- كمية المخزون:
- 49116 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- 6116LA150DB.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| كتابة دورة الزمن - كلمة، الصفحة: | 150ns |
| الجهد - توريد: | 4.5 V ~ 5.5 V |
| تكنولوجيا: | SRAM - Asynchronous |
| تجار الأجهزة حزمة: | 24-CDIP |
| سلسلة: | - |
| التعبئة والتغليف: | Tray |
| حزمة / كيس: | 24-CDIP (0.600", 15.24mm) |
| اسماء اخرى: | IDT6116LA150DB IDT6116LA150DB-ND |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 125°C (TA) |
| تصاعد نوع: | Through Hole |
| مستوى الحساسية للرطوبة (MSL): | 1 (Unlimited) |
| نوع الذاكرة: | Volatile |
| حجم الذاكرة: | 16Kb (2K x 8) |
| واجهة الذاكرة: | Parallel |
| تنسيق الذاكرة: | SRAM |
| الصانع المهلة القياسية: | 10 Weeks |
| حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات: | Contains lead / RoHS non-compliant |
| وصف تفصيلي: | SRAM - Asynchronous Memory IC 16Kb (2K x 8) Parallel 150ns 24-CDIP |
| رقم جزء القاعدة: | IDT6116 |
| وقت الدخول: | 150ns |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة ل6116LA150DB
Latest الأخبار
- أصدرت Melexis MLX90427: التحكم في الخط في الاختيار الجديد ، آمن وفعال واقتصادي
- أعلن التقرير المالي لـ NXP و Ansonmei ، ويتم إرسال سعر أسعار النحاس إلى صناعة IC
- أنشأت Moels Micro Electronics مكاتب جديدة في تايوان ، الصين لتوسيع أراضي العمل
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- يتناقص التقرير المالي للربع الأول من SEF Semiconductor (ST) ، وتباطأ الطلب على السيارات
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- حجم الرقاقة الناضجة المحلية ، سعة إنتاج ذاكرة فلاش Samsung NAND بالقرب من الحمل
- تطلق فيشاي عبوات مائية عالية السطوع صغير الأزرق والأخضر النقي
- أطلقت Ansonmei مستشعر موقف استقرائي لسوق الصناعي والنقل
- يبدأ Ruisa المصنع القديم لزيادة جهاز الطاقة ، ويؤثر الزلزال على معتدل ناتج DRAM
- تتيح الرقائق الدقيقة القدرة الإنتاجية لـ TSMC ويزيد من زيادة الأسعار
- أطلقت Ruisa New RA0 Series Ultra -low Power Entry -lovel MCU