599DBA001076DG متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل 599DBA001076DG، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل 599DBA001076DG عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء 599DBA001076DG مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
599DBA001076DG
- رقم القطعة:
- 599DBA001076DG
- الصانع:
- Energy Micro (Silicon Labs)
- وصف:
- OSC VCXO 644.53125MHZ CML SMD
- كمية المخزون:
- 30763 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- 599DBA001076DG.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| الجهد - توريد: | 2.97 V ~ 3.63 V |
| اكتب: | VCXO |
| حجم / البعد: | 0.276" L x 0.197" W (7.00mm x 5.00mm) |
| سلسلة: | Si599 |
| تصنيفات: | - |
| التعبئة والتغليف: | Tray |
| حزمة / كيس: | 8-SMD, No Lead |
| الناتج: | CML |
| درجة حرارة التشغيل: | -40°C ~ 85°C |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى الحساسية للرطوبة (MSL): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 4 Weeks |
| وظيفة: | Enable/Disable (Reprogrammable) |
| تردد الاستقرار: | ±20ppm |
| تردد: | 644.53125MHz |
| وصف تفصيلي: | 644.53125MHz VCXO CML Oscillator 2.97 V ~ 3.63 V Enable/Disable (Reprogrammable) 8-SMD, No Lead |
| الحالي - توريد (ماكس): | 120mA |
| الرنان الأساسي: | Crystal |
| نطاق السحب المطلق (أبريل): | ±160ppm |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة ل599DBA001076DG
Latest الأخبار
- يشاع أن Samsung و SK Hynix أوقفوا DDR3 ، وارتفع اقتباس الترويج بنسبة 20 ٪
- أصدرت Melexis MLX90427: التحكم في الخط في الاختيار الجديد ، آمن وفعال واقتصادي
- أعلن التقرير المالي لـ NXP و Ansonmei ، ويتم إرسال سعر أسعار النحاس إلى صناعة IC
- أنشأت Moels Micro Electronics مكاتب جديدة في تايوان ، الصين لتوسيع أراضي العمل
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- يتناقص التقرير المالي للربع الأول من SEF Semiconductor (ST) ، وتباطأ الطلب على السيارات
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- حجم الرقاقة الناضجة المحلية ، سعة إنتاج ذاكرة فلاش Samsung NAND بالقرب من الحمل
- تطلق فيشاي عبوات مائية عالية السطوع صغير الأزرق والأخضر النقي
- أطلقت Ansonmei مستشعر موقف استقرائي لسوق الصناعي والنقل
- يبدأ Ruisa المصنع القديم لزيادة جهاز الطاقة ، ويؤثر الزلزال على معتدل ناتج DRAM
- تتيح الرقائق الدقيقة القدرة الإنتاجية لـ TSMC ويزيد من زيادة الأسعار