4608X-102-470 متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل 4608X-102-470، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل 4608X-102-470 عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء 4608X-102-470 مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
4608X-102-470
- رقم القطعة:
- 4608X-102-470
- الصانع:
- Bourns, Inc.
- وصف:
- RES ARRAY 4 RES 47 OHM 8SIP
- حالة خالية من الرصاص:
- يحتوي الرصاص / بنفايات غير متوافقة
- كمية المخزون:
- 54628 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- 4608X-102-470.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| تسامح: | ±1 Ohm |
| معامل درجة الحرارة: | ±250ppm/°C |
| تجار الأجهزة حزمة: | 8-SIP |
| حجم / البعد: | 0.798" L x 0.098" W (20.27mm x 2.49mm) |
| سلسلة: | 4600X |
| المقاوم نسبة-الانجراف: | - |
| نسبة مطابقة المقاوم: | - |
| المقاومة (أوم): | 47 |
| قوة لكل عنصر: | 300mW |
| التعبئة والتغليف: | Bulk |
| حزمة / كيس: | 8-SIP |
| اسماء اخرى: | 4608X-2-470 |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 125°C |
| عدد من المقاومات: | 4 |
| عدد من الدبابيس: | 8 |
| تصاعد نوع: | Through Hole |
| مستوى الحساسية للرطوبة (MSL): | 1 (Unlimited) |
| حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات: | Contains lead / RoHS non-compliant |
| ارتفاع - جلوسا (ماكس): | 0.200" (5.08mm) |
| وصف تفصيلي: | 47 Ohm ±1 Ohm 300mW Power Per Element Isolated 4 Resistor Network/Array ±250ppm/°C 8-SIP |
| الدائرة نوع: | Isolated |
| التطبيقات: | - |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة ل4608X-102-470
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
4608X-102-471LF | Bourns, Inc. | RES ARRAY 4 RES 470 OHM 8SIP | تحقيق |
|
4608X-102-394LF | Bourns, Inc. | RES ARRAY 4 RES 390K OHM 8SIP | تحقيق |
|
4608X-102-473 | Bourns, Inc. | RES ARRAY 4 RES 47K OHM 8SIP | تحقيق |
|
4608X-102-394 | Bourns, Inc. | RES ARRAY 4 RES 390K OHM 8SIP | تحقيق |
|
4608X-102-391LF | Bourns, Inc. | RES ARRAY 4 RES 390 OHM 8SIP | تحقيق |
|
4608X-102-472LF | Bourns, Inc. | RES ARRAY 4 RES 4.7K OHM 8SIP | تحقيق |
|
4608X-102-474LF | Bourns, Inc. | RES ARRAY 4 RES 470K OHM 8SIP | تحقيق |
|
4608X-102-472 | Bourns, Inc. | RES ARRAY 4 RES 4.7K OHM 8SIP | تحقيق |
|
4608X-102-473LF | Bourns, Inc. | RES ARRAY 4 RES 47K OHM 8SIP | تحقيق |
|
4608X-102-393 | Bourns, Inc. | RES ARRAY 4 RES 39K OHM 8SIP | تحقيق |
|
4608X-102-413LF | Bourns, Inc. | RES ARRAY 4 RES 41K OHM 8SIP | تحقيق |
|
4608X-102-392LF | Bourns, Inc. | RES ARRAY 4 RES 3.9K OHM 8SIP | تحقيق |
|
4608X-102-475LF | Bourns, Inc. | RES ARRAY 4 RES 4.7M OHM 8SIP | تحقيق |
|
4608X-102-391 | Bourns, Inc. | RES ARRAY 4 RES 390 OHM 8SIP | تحقيق |
|
4608X-102-470LF | Bourns, Inc. | RES ARRAY 4 RES 47 OHM 8SIP | تحقيق |
|
4608X-102-392 | Bourns, Inc. | RES ARRAY 4 RES 3.9K OHM 8SIP | تحقيق |
|
4608X-102-471 | Bourns, Inc. | RES ARRAY 4 RES 470 OHM 8SIP | تحقيق |
|
4608X-102-474 | Bourns, Inc. | RES ARRAY 4 RES 470K OHM 8SIP | تحقيق |
|
4608X-102-393LF | Bourns, Inc. | RES ARRAY 4 RES 39K OHM 8SIP | تحقيق |
|
4608X-102-431LF | Bourns, Inc. | RES ARRAY 4 RES 430 OHM 8SIP | تحقيق |
Latest الأخبار
- يتم استبعاد طاقة إنتاج HBM ، وقد تكون ذاكرة DRAM مختصرة في النصف الثاني من العام
- سينتهي مؤسسو الجدران أو HBM أو يتسبب في ارتفاع DRAM مرة أخرى
- الطلب على الهاتف المحمول وتوسيع أجهزة الكمبيوتر الشخصية ، تحسين صناعة تصنيع أشباه الموصلات العالمية
- فهم احتياجات أنظمة مراقبة ADAS وأنظمة المقصورة لأجهزة استشعار صور أمان الشبكة
- يشاع أن Samsung و SK Hynix أوقفوا DDR3 ، وارتفع اقتباس الترويج بنسبة 20 ٪
- أصدرت Melexis MLX90427: التحكم في الخط في الاختيار الجديد ، آمن وفعال واقتصادي
- أعلن التقرير المالي لـ NXP و Ansonmei ، ويتم إرسال سعر أسعار النحاس إلى صناعة IC
- أنشأت Moels Micro Electronics مكاتب جديدة في تايوان ، الصين لتوسيع أراضي العمل
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- يتناقص التقرير المالي للربع الأول من SEF Semiconductor (ST) ، وتباطأ الطلب على السيارات
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- حجم الرقاقة الناضجة المحلية ، سعة إنتاج ذاكرة فلاش Samsung NAND بالقرب من الحمل