4608M-101-222LF متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل 4608M-101-222LF، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل 4608M-101-222LF عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء 4608M-101-222LF مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
4608M-101-222LF
- رقم القطعة:
- 4608M-101-222LF
- الصانع:
- Bourns, Inc.
- وصف:
- RES ARRAY 7 RES 2.2K OHM 8SIP
- حالة خالية من الرصاص:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- كمية المخزون:
- 20983 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- 4608M-101-222LF.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| تسامح: | ±2% |
| معامل درجة الحرارة: | ±100ppm/°C |
| تجار الأجهزة حزمة: | 8-SIP |
| حجم / البعد: | 0.798" L x 0.098" W (20.27mm x 2.49mm) |
| سلسلة: | 4600M |
| المقاوم نسبة-الانجراف: | 50 ppm/°C |
| نسبة مطابقة المقاوم: | - |
| المقاومة (أوم): | 2.2k |
| قوة لكل عنصر: | 250mW |
| التعبئة والتغليف: | Bulk |
| حزمة / كيس: | 8-SIP |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 125°C |
| عدد من المقاومات: | 7 |
| عدد من الدبابيس: | 8 |
| تصاعد نوع: | Through Hole |
| مستوى الحساسية للرطوبة (MSL): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 15 Weeks |
| حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات: | Lead free / RoHS Compliant |
| ارتفاع - جلوسا (ماكس): | 0.250" (6.35mm) |
| وصف تفصيلي: | 2.2k Ohm ±2% 250mW Power Per Element Bussed 7 Resistor Network/Array ±100ppm/°C 8-SIP |
| الدائرة نوع: | Bussed |
| التطبيقات: | - |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة ل4608M-101-222LF
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
4608H-701-500/560L | Bourns, Inc. | FILTER RC 50 OHM/56PF TH | تحقيق |
|
4608M-101-101LF | Bourns, Inc. | RES ARRAY 7 RES 100 OHM 8SIP | تحقيق |
|
4608M-101-151LF | Bourns, Inc. | RES ARRAY 7 RES 150 OHM 8SIP | تحقيق |
|
4608M-102-103LF | Bourns, Inc. | RES ARRAY 4 RES 10K OHM 8SIP | تحقيق |
|
4608M-101-822LF | Bourns, Inc. | RES ARRAY 7 RES 8.2K OHM 8SIP | تحقيق |
|
4608M-101-474LF | Bourns, Inc. | RES ARRAY 7 RES 470K OHM 8SIP | تحقيق |
|
4608M-102-104LF | Bourns, Inc. | RES ARRAY 4 RES 100K OHM 8SIP | تحقيق |
|
4608H-701-470/470L | Bourns, Inc. | FILTER RC 47 OHM/47PF TH | تحقيق |
|
4608M-101-102LF | Bourns, Inc. | RES ARRAY 7 RES 1K OHM 8SIP | تحقيق |
|
4608M-102-101LF | Bourns, Inc. | RES ARRAY 4 RES 100 OHM 8SIP | تحقيق |
|
4608M-101-472LF | Bourns, Inc. | RES ARRAY 7 RES 4.7K OHM 8SIP | تحقيق |
|
4608M-101-471LF | Bourns, Inc. | RES ARRAY 7 RES 470 OHM 8SIP | تحقيق |
|
4608M-101-393LF | Bourns, Inc. | RES ARRAY 7 RES 39K OHM 8SIP | تحقيق |
|
4608H-701-470/101L | Bourns, Inc. | FILTER RC 47 OHM/100PF TH | تحقيق |
|
4608M-101-121LF | Bourns, Inc. | RES ARRAY 7 RES 120 OHM 8SIP | تحقيق |
|
4608H-701-500/470L | Bourns, Inc. | FILTER RC 50 OHM/47PF TH | تحقيق |
|
4608M-101-473LF | Bourns, Inc. | RES ARRAY 7 RES 47K OHM 8SIP | تحقيق |
|
4608M-101-154LF | Bourns, Inc. | RES ARRAY 7 RES 150K OHM 8SIP | تحقيق |
|
4608M-101-103LF | Bourns, Inc. | RES ARRAY 7 RES 10K OHM 8SIP | تحقيق |
|
4608M-102-102LF | Bourns, Inc. | RES ARRAY 4 RES 1K OHM 8SIP | تحقيق |
Latest الأخبار
- يتم استبعاد طاقة إنتاج HBM ، وقد تكون ذاكرة DRAM مختصرة في النصف الثاني من العام
- سينتهي مؤسسو الجدران أو HBM أو يتسبب في ارتفاع DRAM مرة أخرى
- الطلب على الهاتف المحمول وتوسيع أجهزة الكمبيوتر الشخصية ، تحسين صناعة تصنيع أشباه الموصلات العالمية
- فهم احتياجات أنظمة مراقبة ADAS وأنظمة المقصورة لأجهزة استشعار صور أمان الشبكة
- يشاع أن Samsung و SK Hynix أوقفوا DDR3 ، وارتفع اقتباس الترويج بنسبة 20 ٪
- أصدرت Melexis MLX90427: التحكم في الخط في الاختيار الجديد ، آمن وفعال واقتصادي
- أعلن التقرير المالي لـ NXP و Ansonmei ، ويتم إرسال سعر أسعار النحاس إلى صناعة IC
- أنشأت Moels Micro Electronics مكاتب جديدة في تايوان ، الصين لتوسيع أراضي العمل
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- يتناقص التقرير المالي للربع الأول من SEF Semiconductor (ST) ، وتباطأ الطلب على السيارات
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- حجم الرقاقة الناضجة المحلية ، سعة إنتاج ذاكرة فلاش Samsung NAND بالقرب من الحمل