4604X-102-223LF متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل 4604X-102-223LF، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل 4604X-102-223LF عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء 4604X-102-223LF مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
4604X-102-223LF
- رقم القطعة:
- 4604X-102-223LF
- الصانع:
- Bourns, Inc.
- وصف:
- RES ARRAY 2 RES 22K OHM 4SIP
- حالة خالية من الرصاص:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- كمية المخزون:
- 59871 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- 1.4604X-102-223LF.pdf2.4604X-102-223LF.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| تسامح: | ±2% |
| معامل درجة الحرارة: | ±100ppm/°C |
| تجار الأجهزة حزمة: | 4-SIP |
| حجم / البعد: | 0.398" L x 0.098" W (10.11mm x 2.49mm) |
| سلسلة: | 4600X |
| المقاوم نسبة-الانجراف: | - |
| نسبة مطابقة المقاوم: | - |
| المقاومة (أوم): | 22k |
| قوة لكل عنصر: | 300mW |
| التعبئة والتغليف: | Bulk |
| حزمة / كيس: | 4-SIP |
| اسماء اخرى: | 4604X102223LF |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 125°C |
| عدد من المقاومات: | 2 |
| عدد من الدبابيس: | 4 |
| تصاعد نوع: | Through Hole |
| مستوى الحساسية للرطوبة (MSL): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 15 Weeks |
| حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات: | Lead free / RoHS Compliant |
| ارتفاع - جلوسا (ماكس): | 0.200" (5.08mm) |
| وصف تفصيلي: | 22k Ohm ±2% 300mW Power Per Element Isolated 2 Resistor Network/Array ±100ppm/°C 4-SIP |
| الدائرة نوع: | Isolated |
| التطبيقات: | - |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة ل4604X-102-223LF
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
4604X-102-153LF | Bourns, Inc. | RES ARRAY 2 RES 15K OHM 4SIP | تحقيق |
|
4604X-102-274LF | Bourns, Inc. | RES ARRAY 2 RES 270K OHM 4SIP | تحقيق |
|
4604X-102-220LF | Bourns, Inc. | RES ARRAY 2 RES 22 OHM 4SIP | تحقيق |
|
4604X-102-203LF | Bourns, Inc. | RES ARRAY 2 RES 20K OHM 4SIP | تحقيق |
 |
4604X-102-272LF | Bourns, Inc. | RES ARRAY 2 RES 2.7K OHM 4SIP | تحقيق |
|
4604X-102-182LF | Bourns, Inc. | RES ARRAY 2 RES 1.8K OHM 4SIP | تحقيق |
|
4604X-102-271LF | Bourns, Inc. | RES ARRAY 2 RES 270 OHM 4SIP | تحقيق |
|
4604X-102-224LF | Bourns, Inc. | RES ARRAY 2 RES 220K OHM 4SIP | تحقيق |
|
4604X-102-222LF | Bourns, Inc. | RES ARRAY 2 RES 2.2K OHM 4SIP | تحقيق |
|
4604X-102-273LF | Bourns, Inc. | RES ARRAY 2 RES 27K OHM 4SIP | تحقيق |
|
4604X-102-224 | Bourns, Inc. | RES ARRAY 2 RES 220K OHM 4SIP | تحقيق |
|
4604X-102-331LF | Bourns, Inc. | RES ARRAY 2 RES 330 OHM 4SIP | تحقيق |
|
4604X-102-221LF | Bourns, Inc. | RES ARRAY 2 RES 220 OHM 4SIP | تحقيق |
|
4604X-102-163LF | Bourns, Inc. | RES ARRAY 2 RES 16K OHM 4SIP | تحقيق |
|
4604X-102-181LF | Bourns, Inc. | RES ARRAY 2 RES 180 OHM 4SIP | تحقيق |
|
4604X-102-333LF | Bourns, Inc. | RES ARRAY 2 RES 33K OHM 4SIP | تحقيق |
|
4604X-102-154LF | Bourns, Inc. | RES ARRAY 2 RES 150K OHM 4SIP | تحقيق |
|
4604X-102-330LF | Bourns, Inc. | RES ARRAY 2 RES 33 OHM 4SIP | تحقيق |
|
4604X-102-332LF | Bourns, Inc. | RES ARRAY 2 RES 3.3K OHM 4SIP | تحقيق |
|
4604X-102-202LF | Bourns, Inc. | RES ARRAY 2 RES 2K OHM 4SIP | تحقيق |
Latest الأخبار
- أنشأت Moels Micro Electronics مكاتب جديدة في تايوان ، الصين لتوسيع أراضي العمل
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- يتناقص التقرير المالي للربع الأول من SEF Semiconductor (ST) ، وتباطأ الطلب على السيارات
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- حجم الرقاقة الناضجة المحلية ، سعة إنتاج ذاكرة فلاش Samsung NAND بالقرب من الحمل
- تطلق فيشاي عبوات مائية عالية السطوع صغير الأزرق والأخضر النقي
- أطلقت Ansonmei مستشعر موقف استقرائي لسوق الصناعي والنقل
- يبدأ Ruisa المصنع القديم لزيادة جهاز الطاقة ، ويؤثر الزلزال على معتدل ناتج DRAM
- تتيح الرقائق الدقيقة القدرة الإنتاجية لـ TSMC ويزيد من زيادة الأسعار
- أطلقت Ruisa New RA0 Series Ultra -low Power Entry -lovel MCU
- يطلق Melexis رقاقة مفتاح محث كامل المتكامل
- يقدم X-FAB تقنية إضاءة مستشعر الصورة لتعزيز أداء مستشعر CMOS