4416P-2-473 متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل 4416P-2-473، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل 4416P-2-473 عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء 4416P-2-473 مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
4416P-2-473
- رقم القطعة:
- 4416P-2-473
- الصانع:
- Bourns, Inc.
- وصف:
- RES ARRAY 15 RES 47K OHM 16SOIC
- حالة خالية من الرصاص:
- يحتوي الرصاص / بنفايات غير متوافقة
- كمية المخزون:
- 29368 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- 4416P-2-473.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| تسامح: | ±2% |
| معامل درجة الحرارة: | ±100ppm/°C |
| تجار الأجهزة حزمة: | 16-SOL |
| حجم / البعد: | 0.410" L x 0.295" W (10.41mm x 7.50mm) |
| سلسلة: | 4400P |
| المقاوم نسبة-الانجراف: | 50 ppm/°C |
| نسبة مطابقة المقاوم: | - |
| المقاومة (أوم): | 47k |
| قوة لكل عنصر: | 160mW |
| التعبئة والتغليف: | Tape & Reel (TR) |
| حزمة / كيس: | 16-SOIC (0.295", 7.50mm Width) |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 125°C |
| عدد من المقاومات: | 15 |
| عدد من الدبابيس: | 16 |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى الحساسية للرطوبة (MSL): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 12 Weeks |
| حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات: | Contains lead / RoHS non-compliant |
| ارتفاع - جلوسا (ماكس): | 0.114" (2.90mm) |
| وصف تفصيلي: | 47k Ohm ±2% 160mW Power Per Element Bussed 15 Resistor Network/Array ±100ppm/°C 16-SOIC (0.295", 7.50mm Width) |
| الدائرة نوع: | Bussed |
| التطبيقات: | - |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة ل4416P-2-473
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
4416P-2-560 | Bourns, Inc. | RES ARRAY 15 RES 56 OHM 16SOIC | تحقيق |
|
4416P-2-274 | Bourns, Inc. | RES ARRAY 15 RES 270K OHM 16SOIC | تحقيق |
|
4416P-2-550 | Bourns, Inc. | RES ARRAY 15 RES 55 OHM 16SOIC | تحقيق |
|
4416P-2-562 | Bourns, Inc. | RES ARRAY 15 RES 5.6K OHM 16SOIC | تحقيق |
|
4416P-2-472 | Bourns, Inc. | RES ARRAY 15 RES 4.7K OHM 16SOIC | تحقيق |
|
4416P-2-473LF | Bourns, Inc. | RES ARRAY 15 RES 47K OHM 16SOIC | تحقيق |
|
4416P-2-820 | Bourns, Inc. | RES ARRAY 15 RES 82 OHM 16SOIC | تحقيق |
|
4416P-2-332 | Bourns, Inc. | RES ARRAY 15 RES 3.3K OHM 16SOIC | تحقيق |
|
4416P-2-472LF | Bourns, Inc. | RES ARRAY 15 RES 4.7K OHM 16SOIC | تحقيق |
|
4416P-2-681 | Bourns, Inc. | RES ARRAY 15 RES 680 OHM 16SOIC | تحقيق |
|
4416P-2-391 | Bourns, Inc. | RES ARRAY 15 RES 390 OHM 16SOIC | تحقيق |
|
4416P-2-271 | Bourns, Inc. | RES ARRAY 15 RES 270 OHM 16SOIC | تحقيق |
|
4416P-2-331 | Bourns, Inc. | RES ARRAY 15 RES 330 OHM 16SOIC | تحقيق |
|
4416P-2-333 | Bourns, Inc. | RES ARRAY 15 RES 33K OHM 16SOIC | تحقيق |
|
4416P-2-822LF | Bourns, Inc. | RES ARRAY 15 RES 8.2K OHM 16SOIC | تحقيق |
|
4416P-2-272 | Bourns, Inc. | RES ARRAY 15 RES 2.7K OHM 16SOIC | تحقيق |
|
4416P-2-681LF | Bourns, Inc. | RES ARRAY 15 RES 680 OHM 16SOIC | تحقيق |
|
4416P-2-471 | Bourns, Inc. | RES ARRAY 15 RES 470 OHM 16SOIC | تحقيق |
|
4416P-2-680 | Bourns, Inc. | RES ARRAY 15 RES 68 OHM 16SOIC | تحقيق |
|
4416P-2-683 | Bourns, Inc. | RES ARRAY 15 RES 68K OHM 16SOIC | تحقيق |
Latest الأخبار
- يتم استبعاد طاقة إنتاج HBM ، وقد تكون ذاكرة DRAM مختصرة في النصف الثاني من العام
- سينتهي مؤسسو الجدران أو HBM أو يتسبب في ارتفاع DRAM مرة أخرى
- الطلب على الهاتف المحمول وتوسيع أجهزة الكمبيوتر الشخصية ، تحسين صناعة تصنيع أشباه الموصلات العالمية
- فهم احتياجات أنظمة مراقبة ADAS وأنظمة المقصورة لأجهزة استشعار صور أمان الشبكة
- يشاع أن Samsung و SK Hynix أوقفوا DDR3 ، وارتفع اقتباس الترويج بنسبة 20 ٪
- أصدرت Melexis MLX90427: التحكم في الخط في الاختيار الجديد ، آمن وفعال واقتصادي
- أعلن التقرير المالي لـ NXP و Ansonmei ، ويتم إرسال سعر أسعار النحاس إلى صناعة IC
- أنشأت Moels Micro Electronics مكاتب جديدة في تايوان ، الصين لتوسيع أراضي العمل
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- يتناقص التقرير المالي للربع الأول من SEF Semiconductor (ST) ، وتباطأ الطلب على السيارات
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- حجم الرقاقة الناضجة المحلية ، سعة إنتاج ذاكرة فلاش Samsung NAND بالقرب من الحمل