4116R-2-684LF متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل 4116R-2-684LF، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل 4116R-2-684LF عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء 4116R-2-684LF مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
4116R-2-684LF
- رقم القطعة:
- 4116R-2-684LF
- الصانع:
- Bourns, Inc.
- وصف:
- RES ARRAY 15 RES 680K OHM 16DIP
- حالة خالية من الرصاص:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- كمية المخزون:
- 42699 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- 4116R-2-684LF.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| تسامح: | ±2% |
| معامل درجة الحرارة: | ±100ppm/°C |
| تجار الأجهزة حزمة: | 16-DIP |
| حجم / البعد: | 0.865" L x 0.300" W (21.97mm x 7.62mm) |
| سلسلة: | 4100R |
| المقاوم نسبة-الانجراف: | 50 ppm/°C |
| نسبة مطابقة المقاوم: | - |
| المقاومة (أوم): | 680k |
| قوة لكل عنصر: | 125mW |
| التعبئة والتغليف: | Tube |
| حزمة / كيس: | 16-DIP (0.300", 7.62mm) |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 125°C |
| عدد من المقاومات: | 15 |
| عدد من الدبابيس: | 16 |
| تصاعد نوع: | Through Hole |
| مستوى الحساسية للرطوبة (MSL): | 1 (Unlimited) |
| حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات: | Lead free / RoHS Compliant |
| ارتفاع - جلوسا (ماكس): | 0.185" (4.69mm) |
| وصف تفصيلي: | 680k Ohm ±2% 125mW Power Per Element Bussed 15 Resistor Network/Array ±100ppm/°C 16-DIP (0.300", 7.62mm) |
| الدائرة نوع: | Bussed |
| التطبيقات: | - |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة ل4116R-2-684LF
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
4116R-2-681LF | Bourns, Inc. | RES ARRAY 15 RES 680 OHM 16DIP | تحقيق |
|
4116R-2-822LF | Bourns, Inc. | RES ARRAY 15 RES 8.2K OHM 16DIP | تحقيق |
|
4116R-2-682LF | Bourns, Inc. | RES ARRAY 15 RES 6.8K OHM 16DIP | تحقيق |
|
4116R-2-823 | Bourns, Inc. | RES ARRAY 15 RES 82K OHM 16DIP | تحقيق |
|
4116R-2-822 | Bourns, Inc. | RES ARRAY 15 RES 8.2K OHM 16DIP | تحقيق |
|
4116R-2-680LF | Bourns, Inc. | RES ARRAY 15 RES 68 OHM 16DIP | تحقيق |
|
4116R-2-821LF | Bourns, Inc. | RES ARRAY 15 RES 820 OHM 16DIP | تحقيق |
|
4116R-2-820LF | Bourns, Inc. | RES ARRAY 15 RES 82 OHM 16DIP | تحقيق |
|
4116R-2-820 | Bourns, Inc. | RES ARRAY 15 RES 82 OHM 16DIP | تحقيق |
|
4116R-2-684 | Bourns, Inc. | RES ARRAY 15 RES 680K OHM 16DIP | تحقيق |
 |
4116R-2-702 | Bourns, Inc. | RES ARRAY 15 RES 7K OHM 16DIP | تحقيق |
|
4116R-2-751 | Bourns, Inc. | RES ARRAY 15 RES 750 OHM 16DIP | تحقيق |
|
4116R-2-821 | Bourns, Inc. | RES ARRAY 15 RES 820 OHM 16DIP | تحقيق |
|
4116R-2-823LF | Bourns, Inc. | RES ARRAY 15 RES 82K OHM 16DIP | تحقيق |
|
4116R-2-682 | Bourns, Inc. | RES ARRAY 15 RES 6.8K OHM 16DIP | تحقيق |
|
4116R-2-683LF | Bourns, Inc. | RES ARRAY 15 RES 68K OHM 16DIP | تحقيق |
|
4116R-2-622 | Bourns, Inc. | RES ARRAY 15 RES 6.2K OHM 16DIP | تحقيق |
|
4116R-2-681 | Bourns, Inc. | RES ARRAY 15 RES 680 OHM 16DIP | تحقيق |
|
4116R-2-683 | Bourns, Inc. | RES ARRAY 15 RES 68K OHM 16DIP | تحقيق |
|
4116R-2-680 | Bourns, Inc. | RES ARRAY 15 RES 68 OHM 16DIP | تحقيق |
Latest الأخبار
- يتم استبعاد طاقة إنتاج HBM ، وقد تكون ذاكرة DRAM مختصرة في النصف الثاني من العام
- سينتهي مؤسسو الجدران أو HBM أو يتسبب في ارتفاع DRAM مرة أخرى
- الطلب على الهاتف المحمول وتوسيع أجهزة الكمبيوتر الشخصية ، تحسين صناعة تصنيع أشباه الموصلات العالمية
- فهم احتياجات أنظمة مراقبة ADAS وأنظمة المقصورة لأجهزة استشعار صور أمان الشبكة
- يشاع أن Samsung و SK Hynix أوقفوا DDR3 ، وارتفع اقتباس الترويج بنسبة 20 ٪
- أصدرت Melexis MLX90427: التحكم في الخط في الاختيار الجديد ، آمن وفعال واقتصادي
- أعلن التقرير المالي لـ NXP و Ansonmei ، ويتم إرسال سعر أسعار النحاس إلى صناعة IC
- أنشأت Moels Micro Electronics مكاتب جديدة في تايوان ، الصين لتوسيع أراضي العمل
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- يتناقص التقرير المالي للربع الأول من SEF Semiconductor (ST) ، وتباطأ الطلب على السيارات
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- حجم الرقاقة الناضجة المحلية ، سعة إنتاج ذاكرة فلاش Samsung NAND بالقرب من الحمل