3SBM1071A2 متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل 3SBM1071A2، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل 3SBM1071A2 عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء 3SBM1071A2 مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
3SBM1071A2
- رقم القطعة:
- 3SBM1071A2
- وصف:
- RELAY GEN PURPOSE 4PDT 2A 28V
- حالة خالية من الرصاص:
- يحتوي الرصاص / بنفايات غير متوافقة
- كمية المخزون:
- 20923 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- 3SBM1071A2.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| بدوره على الجهد (ماكس): | 13.5 VDC |
| إيقاف الجهد (الحد الأدنى): | - |
| إنهاء نمط: | PC Pin |
| تحويل الجهد: | 28VDC - Nom |
| سلسلة: | Military, MIL-R-39016/31, 3SBM, CII |
| نوع التقوية: | General Purpose |
| التعبئة والتغليف: | Bulk |
| اسماء اخرى: | 1122-1111 1122-1111-MIL 1617086-6 3SBM1071A2-ND A101672 A101672-ND M39016/31-003M |
| درجة حرارة التشغيل: | -65°C ~ 125°C |
| تعمل وقت: | 4ms |
| تصاعد نوع: | Through Hole |
| مستوى الحساسية للرطوبة (MSL): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 27 Weeks |
| حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات: | Contains lead / RoHS non-compliant |
| الميزات: | - |
| وصف تفصيلي: | General Purpose Relay 4PDT (4 Form C) Through Hole |
| اتصل التصويت (الحالي): | 2A |
| اتصل المواد: | - |
| نموذج الاتصال: | 4PDT (4 Form C) |
| لفائف الجهد: | 26.5VDC |
| لفائف نوع: | Latching, Dual Coil |
| لفائف المقاومة: | 975 Ohms |
| لفائف السلطة: | 720 mW |
| لفائف الحالي: | 27.2mA |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة ل3SBM1071A2
Latest الأخبار
- خطة Micron لبناء مصنع ، ذاكرة فلاش NAND بأسعار أو صيانة مرتفعة
- يتم تقليل أداء ADI ، وقد ارتفعت ركائز رقائق النحاس ، وتخزين المصنع الأصلي زيادة الإنتاج المحافظ
- موجة الذكاء في السيارة قادمة ، وساعد Aimus Oslang ساجيتا Juguang في إطلاق MX Lidar
- يتم استبعاد طاقة إنتاج HBM ، وقد تكون ذاكرة DRAM مختصرة في النصف الثاني من العام
- سينتهي مؤسسو الجدران أو HBM أو يتسبب في ارتفاع DRAM مرة أخرى
- الطلب على الهاتف المحمول وتوسيع أجهزة الكمبيوتر الشخصية ، تحسين صناعة تصنيع أشباه الموصلات العالمية
- فهم احتياجات أنظمة مراقبة ADAS وأنظمة المقصورة لأجهزة استشعار صور أمان الشبكة
- يشاع أن Samsung و SK Hynix أوقفوا DDR3 ، وارتفع اقتباس الترويج بنسبة 20 ٪
- أصدرت Melexis MLX90427: التحكم في الخط في الاختيار الجديد ، آمن وفعال واقتصادي
- أعلن التقرير المالي لـ NXP و Ansonmei ، ويتم إرسال سعر أسعار النحاس إلى صناعة IC
- أنشأت Moels Micro Electronics مكاتب جديدة في تايوان ، الصين لتوسيع أراضي العمل
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة