3SBC5004K1 متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل 3SBC5004K1، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل 3SBC5004K1 عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء 3SBC5004K1 مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
3SBC5004K1
- رقم القطعة:
- 3SBC5004K1
- وصف:
- RELAY GEN PURPOSE DPDT 2A 115V
- حالة خالية من الرصاص:
- يحتوي الرصاص / بنفايات غير متوافقة
- كمية المخزون:
- 21382 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- 3SBC5004K1.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| بدوره على الجهد (ماكس): | 13.5 VDC |
| إيقاف الجهد (الحد الأدنى): | 1.5 VDC |
| إنهاء نمط: | PC Pin |
| تحويل الجهد: | 115VAC, 28VDC - Max |
| سلسلة: | 3SBC, CII |
| الافراج عن الوقت: | 4ms |
| نوع التقوية: | General Purpose |
| التعبئة والتغليف: | Bulk |
| اسماء اخرى: | 1617074-3 |
| درجة حرارة التشغيل: | -65°C ~ 125°C |
| تعمل وقت: | 4ms |
| تصاعد نوع: | Through Hole |
| الصانع المهلة القياسية: | 11 Weeks |
| حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات: | Contains lead / RoHS non-compliant |
| الميزات: | Sealed - Hermetically |
| وصف تفصيلي: | General Purpose Relay DPDT (2 Form C) Through Hole |
| اتصل التصويت (الحالي): | 2A |
| اتصل المواد: | - |
| نموذج الاتصال: | DPDT (2 Form C) |
| لفائف الجهد: | 26.5VDC |
| لفائف نوع: | Non Latching |
| لفائف المقاومة: | 1.35 kOhms |
| لفائف السلطة: | 520 mW |
| لفائف الحالي: | 19.6mA |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة ل3SBC5004K1
Latest الأخبار
- يشاع أن Samsung و SK Hynix أوقفوا DDR3 ، وارتفع اقتباس الترويج بنسبة 20 ٪
- أصدرت Melexis MLX90427: التحكم في الخط في الاختيار الجديد ، آمن وفعال واقتصادي
- أعلن التقرير المالي لـ NXP و Ansonmei ، ويتم إرسال سعر أسعار النحاس إلى صناعة IC
- أنشأت Moels Micro Electronics مكاتب جديدة في تايوان ، الصين لتوسيع أراضي العمل
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- يتناقص التقرير المالي للربع الأول من SEF Semiconductor (ST) ، وتباطأ الطلب على السيارات
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- حجم الرقاقة الناضجة المحلية ، سعة إنتاج ذاكرة فلاش Samsung NAND بالقرب من الحمل
- تطلق فيشاي عبوات مائية عالية السطوع صغير الأزرق والأخضر النقي
- أطلقت Ansonmei مستشعر موقف استقرائي لسوق الصناعي والنقل
- يبدأ Ruisa المصنع القديم لزيادة جهاز الطاقة ، ويؤثر الزلزال على معتدل ناتج DRAM
- تتيح الرقائق الدقيقة القدرة الإنتاجية لـ TSMC ويزيد من زيادة الأسعار