2SK3666-4-TB-E متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل 2SK3666-4-TB-E، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل 2SK3666-4-TB-E عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء 2SK3666-4-TB-E مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
2SK3666-4-TB-E
- رقم القطعة:
- 2SK3666-4-TB-E
- وصف:
- JFET N-CH 30V 0.2W CP
- حالة خالية من الرصاص:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- كمية المخزون:
- 48916 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- 2SK3666-4-TB-E.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| الجهد - القطع (VGS إيقاف) @ إيد: | 180mV @ 1µA |
| الجهد - توزيع (V (BR) جهاز الأمن العام): | 30V |
| تجار الأجهزة حزمة: | 3-CP |
| سلسلة: | - |
| المقاومة - RDS (على): | 200 Ohms |
| السلطة - ماكس: | 200mW |
| التعبئة والتغليف: | Tape & Reel (TR) |
| حزمة / كيس: | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| درجة حرارة التشغيل: | 150°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى الحساسية للرطوبة (MSL): | 1 (Unlimited) |
| حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات: | Lead free / RoHS Compliant |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 4pF @ 10V |
| نوع FET: | N-Channel |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 30V |
| وصف تفصيلي: | JFET N-Channel 30V 10mA 200mW Surface Mount 3-CP |
| الصرف الحالي (رقم) - الحد الأقصى: | 10mA |
| الحالي - هجرة (فاعلية النظام) @ VDS (VGS = 0): | 2.5mA @ 10V |
| رقم جزء القاعدة: | 2SK3666 |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة ل2SK3666-4-TB-E
Latest الأخبار
- أعلن التقرير المالي لـ NXP و Ansonmei ، ويتم إرسال سعر أسعار النحاس إلى صناعة IC
- أنشأت Moels Micro Electronics مكاتب جديدة في تايوان ، الصين لتوسيع أراضي العمل
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- يتناقص التقرير المالي للربع الأول من SEF Semiconductor (ST) ، وتباطأ الطلب على السيارات
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- حجم الرقاقة الناضجة المحلية ، سعة إنتاج ذاكرة فلاش Samsung NAND بالقرب من الحمل
- تطلق فيشاي عبوات مائية عالية السطوع صغير الأزرق والأخضر النقي
- أطلقت Ansonmei مستشعر موقف استقرائي لسوق الصناعي والنقل
- يبدأ Ruisa المصنع القديم لزيادة جهاز الطاقة ، ويؤثر الزلزال على معتدل ناتج DRAM
- تتيح الرقائق الدقيقة القدرة الإنتاجية لـ TSMC ويزيد من زيادة الأسعار
- أطلقت Ruisa New RA0 Series Ultra -low Power Entry -lovel MCU
- يطلق Melexis رقاقة مفتاح محث كامل المتكامل