2SD1991ARA متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل 2SD1991ARA، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل 2SD1991ARA عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء 2SD1991ARA مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
2SD1991ARA
- رقم القطعة:
- 2SD1991ARA
- الصانع:
- Panasonic
- وصف:
- TRANS NPN 50V 0.1A MT-1
- حالة خالية من الرصاص:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- كمية المخزون:
- 48296 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- 2SD1991ARA.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| الجهد - جامع باعث انهيار (ماكس): | 50V |
| اصلاحات تشبع (ماكس) @ باء، جيم: | 300mV @ 10mA, 100mA |
| نوع الترانزستور: | NPN |
| تجار الأجهزة حزمة: | MT-1-A1 |
| سلسلة: | - |
| السلطة - ماكس: | 400mW |
| التعبئة والتغليف: | Tape & Box (TB) |
| حزمة / كيس: | 3-SIP |
| اسماء اخرى: | 2SD1991A-R(TA) 2SD1991ARATB 2SD1991ARTA 2SD1991ARTB 2SD1991ARTB-ND |
| درجة حرارة التشغيل: | 150°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Through Hole |
| مستوى الحساسية للرطوبة (MSL): | 1 (Unlimited) |
| حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات: | Lead free / RoHS Compliant |
| تردد - تحول: | 150MHz |
| وصف تفصيلي: | Bipolar (BJT) Transistor NPN 50V 100mA 150MHz 400mW Through Hole MT-1-A1 |
| العاصمة الربح الحالي (HFE) (مين) @ جيم، VCE: | 210 @ 2mA, 10V |
| الحالي - جامع القطع (ماكس): | 1µA |
| الحالي - جامع (IC) (ماكس): | 100mA |
| رقم جزء القاعدة: | 2SD1991 |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة ل2SD1991ARA
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
2SD1980TL | LAPIS Semiconductor | TRANS NPN DARL 100V 2A SOT-428 | تحقيق |
 |
2SD19960TA | Panasonic | TRANS NPN 20V 0.5A MT-1 | تحقيق |
 |
2SD1979GSL | Panasonic | TRANS NPN 20V 0.3A SMINI-3 | تحقيق |
|
2SD1992A0A | Panasonic | TRANS NPN 50V 0.5A MT-1 | تحقيق |
|
2SD19960SA | Panasonic | TRANS NPN 20V 0.5A MT-1 | تحقيق |
 |
2SD2012 | STMicroelectronics | TRANS NPN 60V 3A TO-220F | تحقيق |
 |
2SD1949T106Q | LAPIS Semiconductor | TRANS NPN 50V 0.5A SOT-323 | تحقيق |
 |
2SD1963T100R | LAPIS Semiconductor | TRANS NPN 20V 3A SOT-89 | تحقيق |
|
2SD1949T106R | LAPIS Semiconductor | TRANS NPN 50V 0.5A SOT-323 | تحقيق |
 |
2SD1938FTL | Panasonic | TRANS NPN 20V 0.3A MINI | تحقيق |
 |
2SD1994ARA | Panasonic | TRANS NPN 50V 1A MT-2 | تحقيق |
|
2SD1963T100S | LAPIS Semiconductor | TRANS NPN 20V 3A SOT-89 | تحقيق |
|
2SD1938FSL | Panasonic | TRANS NPN 20V 0.3A MINI | تحقيق |
|
2SD1994ASA | Panasonic | TRANS NPN 50V 1A MT-2 | تحقيق |
 |
2SD2014 | Sanken Electric Co., Ltd. | TRANS NPN DARL 80V 4A TO220F | تحقيق |
 |
2SD19790SL | Panasonic | TRANS NPN 20V 0.3A SMINI-3P | تحقيق |
|
2SD20000P | Panasonic | TRANS NPN 60V 4A TO-220F | تحقيق |
|
2SD2015 | Sanken Electric Co., Ltd. | TRANS NPN DARL 120V 4A TO220F | تحقيق |
|
2SD19960RA | Panasonic | TRANS NPN 20V 0.5A MT-1 | تحقيق |
|
2SD1991A0A | Panasonic | TRANS NPN 50V 0.1A MT-1 | تحقيق |
Latest الأخبار
- أطلقت Qorvo التمهيدية الراقية ذات 5G Mmimo الرائعة في هذا المجال
- جرد دورة المحاكاة في القاع
- خطة Micron لبناء مصنع ، ذاكرة فلاش NAND بأسعار أو صيانة مرتفعة
- يتم تقليل أداء ADI ، وقد ارتفعت ركائز رقائق النحاس ، وتخزين المصنع الأصلي زيادة الإنتاج المحافظ
- موجة الذكاء في السيارة قادمة ، وساعد Aimus Oslang ساجيتا Juguang في إطلاق MX Lidar
- يتم استبعاد طاقة إنتاج HBM ، وقد تكون ذاكرة DRAM مختصرة في النصف الثاني من العام
- سينتهي مؤسسو الجدران أو HBM أو يتسبب في ارتفاع DRAM مرة أخرى
- الطلب على الهاتف المحمول وتوسيع أجهزة الكمبيوتر الشخصية ، تحسين صناعة تصنيع أشباه الموصلات العالمية
- فهم احتياجات أنظمة مراقبة ADAS وأنظمة المقصورة لأجهزة استشعار صور أمان الشبكة
- يشاع أن Samsung و SK Hynix أوقفوا DDR3 ، وارتفع اقتباس الترويج بنسبة 20 ٪
- أصدرت Melexis MLX90427: التحكم في الخط في الاختيار الجديد ، آمن وفعال واقتصادي
- أعلن التقرير المالي لـ NXP و Ansonmei ، ويتم إرسال سعر أسعار النحاس إلى صناعة IC