2SB11560P متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل 2SB11560P، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل 2SB11560P عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء 2SB11560P مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
2SB11560P
- رقم القطعة:
- 2SB11560P
- الصانع:
- Panasonic
- وصف:
- TRANS PNP 80V 20A TOP-3F
- حالة خالية من الرصاص:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- كمية المخزون:
- 43647 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- 2SB11560P.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| الجهد - جامع باعث انهيار (ماكس): | 80V |
| اصلاحات تشبع (ماكس) @ باء، جيم: | 1.5V @ 2A, 20A |
| نوع الترانزستور: | PNP |
| تجار الأجهزة حزمة: | TOP-3F-A1 |
| سلسلة: | - |
| السلطة - ماكس: | 3W |
| التعبئة والتغليف: | Bulk |
| حزمة / كيس: | TOP-3F |
| درجة حرارة التشغيل: | 150°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Through Hole |
| مستوى الحساسية للرطوبة (MSL): | 1 (Unlimited) |
| حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات: | Lead free / RoHS Compliant |
| تردد - تحول: | 30MHz |
| وصف تفصيلي: | Bipolar (BJT) Transistor PNP 80V 20A 30MHz 3W Through Hole TOP-3F-A1 |
| العاصمة الربح الحالي (HFE) (مين) @ جيم، VCE: | 130 @ 3A, 2V |
| الحالي - جامع القطع (ماكس): | 10µA (ICBO) |
| الحالي - جامع (IC) (ماكس): | 20A |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة ل2SB11560P
Latest الأخبار
- يتم استبعاد طاقة إنتاج HBM ، وقد تكون ذاكرة DRAM مختصرة في النصف الثاني من العام
- سينتهي مؤسسو الجدران أو HBM أو يتسبب في ارتفاع DRAM مرة أخرى
- الطلب على الهاتف المحمول وتوسيع أجهزة الكمبيوتر الشخصية ، تحسين صناعة تصنيع أشباه الموصلات العالمية
- فهم احتياجات أنظمة مراقبة ADAS وأنظمة المقصورة لأجهزة استشعار صور أمان الشبكة
- يشاع أن Samsung و SK Hynix أوقفوا DDR3 ، وارتفع اقتباس الترويج بنسبة 20 ٪
- أصدرت Melexis MLX90427: التحكم في الخط في الاختيار الجديد ، آمن وفعال واقتصادي
- أعلن التقرير المالي لـ NXP و Ansonmei ، ويتم إرسال سعر أسعار النحاس إلى صناعة IC
- أنشأت Moels Micro Electronics مكاتب جديدة في تايوان ، الصين لتوسيع أراضي العمل
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- يتناقص التقرير المالي للربع الأول من SEF Semiconductor (ST) ، وتباطأ الطلب على السيارات
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- حجم الرقاقة الناضجة المحلية ، سعة إنتاج ذاكرة فلاش Samsung NAND بالقرب من الحمل