2N5657G
2N5657G
رقم القطعة:
2N5657G
الصانع:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
وصف:
TRANS NPN 350V 0.5A TO225AA
حالة خالية من الرصاص:
الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
كمية المخزون:
30015 Pieces
موعد التسليم:
1-2 days
المهلة:
4-8 weeks
ورقة البيانات:
2N5657G.pdf

المقدمة

2N5657G متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل 2N5657G، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل 2N5657G عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء 2N5657G مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]

مواصفات

شرط New & Original, tested
بلد المنشأ Contact us
بمناسبة التعليمات البرمجية Send by email
الجهد - جامع باعث انهيار (ماكس):350V
اصلاحات تشبع (ماكس) @ باء، جيم:10V @ 100mA, 500mA
نوع الترانزستور:NPN
تجار الأجهزة حزمة:TO-225AA
سلسلة:-
السلطة - ماكس:20W
التعبئة والتغليف:Bulk
حزمة / كيس:TO-225AA, TO-126-3
اسماء اخرى:2N5657GOS
درجة حرارة التشغيل:-65°C ~ 150°C (TJ)
تصاعد نوع:Through Hole
مستوى الحساسية للرطوبة (MSL):1 (Unlimited)
الصانع المهلة القياسية:2 Weeks
حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات:Lead free / RoHS Compliant
تردد - تحول:10MHz
وصف تفصيلي:Bipolar (BJT) Transistor NPN 350V 500mA 10MHz 20W Through Hole TO-225AA
العاصمة الربح الحالي (HFE) (مين) @ جيم، VCE:30 @ 100mA, 10V
الحالي - جامع القطع (ماكس):100µA
الحالي - جامع (IC) (ماكس):500mA
رقم جزء القاعدة:2N5657
Email:[email protected]

سريع طلب اقتباس

رقم القطعة
كمية
شركة
البريد الإلكتروني
هاتف
تعليقات

Latest الأخبار