2N5458G متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل 2N5458G، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل 2N5458G عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء 2N5458G مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
2N5458G
- رقم القطعة:
- 2N5458G
- وصف:
- JFET N-CH 25V 0.31W TO92
- حالة خالية من الرصاص:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- كمية المخزون:
- 26429 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- 2N5458G.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| الجهد - القطع (VGS إيقاف) @ إيد: | 1V @ 10nA |
| الجهد - توزيع (V (BR) جهاز الأمن العام): | 25V |
| تجار الأجهزة حزمة: | TO-92-3 |
| سلسلة: | - |
| السلطة - ماكس: | 310mW |
| التعبئة والتغليف: | Bulk |
| حزمة / كيس: | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) |
| اسماء اخرى: | 2N5458GOS |
| درجة حرارة التشغيل: | 135°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Through Hole |
| مستوى الحساسية للرطوبة (MSL): | 1 (Unlimited) |
| حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات: | Lead free / RoHS Compliant |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 7pF @ 15V |
| نوع FET: | N-Channel |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 25V |
| وصف تفصيلي: | JFET N-Channel 25V 310mW Through Hole TO-92-3 |
| الحالي - هجرة (فاعلية النظام) @ VDS (VGS = 0): | 2mA @ 15V |
| رقم جزء القاعدة: | 2N5458 |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة ل2N5458G
Latest الأخبار
- أصدرت Melexis MLX90427: التحكم في الخط في الاختيار الجديد ، آمن وفعال واقتصادي
- أعلن التقرير المالي لـ NXP و Ansonmei ، ويتم إرسال سعر أسعار النحاس إلى صناعة IC
- أنشأت Moels Micro Electronics مكاتب جديدة في تايوان ، الصين لتوسيع أراضي العمل
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- يتناقص التقرير المالي للربع الأول من SEF Semiconductor (ST) ، وتباطأ الطلب على السيارات
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- حجم الرقاقة الناضجة المحلية ، سعة إنتاج ذاكرة فلاش Samsung NAND بالقرب من الحمل
- تطلق فيشاي عبوات مائية عالية السطوع صغير الأزرق والأخضر النقي
- أطلقت Ansonmei مستشعر موقف استقرائي لسوق الصناعي والنقل
- يبدأ Ruisa المصنع القديم لزيادة جهاز الطاقة ، ويؤثر الزلزال على معتدل ناتج DRAM
- تتيح الرقائق الدقيقة القدرة الإنتاجية لـ TSMC ويزيد من زيادة الأسعار
- أطلقت Ruisa New RA0 Series Ultra -low Power Entry -lovel MCU