2N2323U4 متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل 2N2323U4، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل 2N2323U4 عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء 2N2323U4 مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
2N2323U4
- رقم القطعة:
- 2N2323U4
- الصانع:
- Microsemi
- وصف:
- SCR 50V 200UA 3SMD
- حالة خالية من الرصاص:
- يحتوي الرصاص / بنفايات غير متوافقة
- كمية المخزون:
- 44589 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- 2N2323U4.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| الجهد - الدولة معطلة: | 50V |
| الجهد - بوابة الزناد (فحكت) (ماكس): | 800mV |
| تجار الأجهزة حزمة: | U4 |
| سلسلة: | Military, MIL-PRF-19500/276 |
| نوع SCR: | Sensitive Gate |
| التعبئة والتغليف: | Bulk |
| حزمة / كيس: | 3-SMD, No Lead |
| درجة حرارة التشغيل: | -65°C ~ 125°C |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى الحساسية للرطوبة (MSL): | 1 (Unlimited) |
| حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات: | Contains lead / RoHS non-compliant |
| وصف تفصيلي: | SCR 50V Sensitive Gate Surface Mount U4 |
| التيار - في دولة (و(AV)) (ماكس): | 220mA |
| التيار - غير النائب عرام 50، 60HZ (إدارة خدمات تكنولوجيا المعلومات): | - |
| الحالي - عقد (ايه) (ماكس): | 2mA |
| الحالي - بوابة الزناد (IGT) (ماكس): | 200µA |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة ل2N2323U4
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
2N2324 | Microsemi | SCR 100V 200UA TO205AA | تحقيق |
|
2N2324A | Microsemi | SCR 100V 20UA TO205AA | تحقيق |
 |
2N2222AUBTXV | Optek Technology / TT Electronics | TRANS NPN 50V 0.8A SMT | تحقيق |
|
2N2325 | Microsemi | SCR 150V 200UA TO205AD | تحقيق |
|
2N2325AU4 | Microsemi | SCR 150V 20UA 3SMD | تحقيق |
|
2N2323AU4 | Microsemi | SCR 50V 20UA 3SMD | تحقيق |
|
2N2324S | Microsemi | SCR 100V 200UA TO205AA | تحقيق |
|
2N2324AS | Microsemi | SCR 100V 20UA TO205AA | تحقيق |
|
2N2323AS | Microsemi | SCR 50V 20UA TO205AA | تحقيق |
|
2N2222AUBTX | Optek Technology / TT Electronics | TRANS NPN 50V 0.8A SMT | تحقيق |
|
2N2324U4 | Microsemi | SCR 100V 200UA 3SMD | تحقيق |
|
2N2324AU4 | Microsemi | SCR 100V 20UA 3SMD | تحقيق |
|
2N2325A | Microsemi | SCR 150V 20UA TO205AD | تحقيق |
 |
2N2323S | Microsemi | DIODE 50VDC TO-5 | تحقيق |
 |
2N2270 | Central Semiconductor | TRANS NPN 45V 1A TO-39 | تحقيق |
 |
2N2223 | Central Semiconductor | TRANS 2NPN 500MA 60V TO78-6 | تحقيق |
|
2N2323 | Microsemi | DIODE SILICON CTRL | تحقيق |
|
2N2323A | Microsemi | DIODE SILICON CTRL | تحقيق |
|
2N2223A | Central Semiconductor | TRANS 2NPN 500MA 60V TO78-6 | تحقيق |
|
2N2325AS | Microsemi | SCR 150V 20UA TO205AD | تحقيق |
Latest الأخبار
- يتم استبعاد طاقة إنتاج HBM ، وقد تكون ذاكرة DRAM مختصرة في النصف الثاني من العام
- سينتهي مؤسسو الجدران أو HBM أو يتسبب في ارتفاع DRAM مرة أخرى
- الطلب على الهاتف المحمول وتوسيع أجهزة الكمبيوتر الشخصية ، تحسين صناعة تصنيع أشباه الموصلات العالمية
- فهم احتياجات أنظمة مراقبة ADAS وأنظمة المقصورة لأجهزة استشعار صور أمان الشبكة
- يشاع أن Samsung و SK Hynix أوقفوا DDR3 ، وارتفع اقتباس الترويج بنسبة 20 ٪
- أصدرت Melexis MLX90427: التحكم في الخط في الاختيار الجديد ، آمن وفعال واقتصادي
- أعلن التقرير المالي لـ NXP و Ansonmei ، ويتم إرسال سعر أسعار النحاس إلى صناعة IC
- أنشأت Moels Micro Electronics مكاتب جديدة في تايوان ، الصين لتوسيع أراضي العمل
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- يتناقص التقرير المالي للربع الأول من SEF Semiconductor (ST) ، وتباطأ الطلب على السيارات
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- حجم الرقاقة الناضجة المحلية ، سعة إنتاج ذاكرة فلاش Samsung NAND بالقرب من الحمل