22R335C متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل 22R335C، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل 22R335C عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء 22R335C مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
22R335C
- رقم القطعة:
- 22R335C
- الصانع:
- Murata Power Solutions
- وصف:
- FIXED IND 3.3MH 100MA 11 OHM TH
- حالة خالية من الرصاص:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- كمية المخزون:
- 45634 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- 22R335C.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| اكتب: | Wirewound |
| تسامح: | ±10% |
| تجار الأجهزة حزمة: | - |
| حجم / البعد: | 0.256" Dia (6.50mm) |
| التدريع: | Unshielded |
| سلسلة: | 2200R |
| تصنيفات: | - |
| س @ التكرار: | 140 @ 150kHz |
| التعبئة والتغليف: | Bulk |
| حزمة / كيس: | Radial |
| اسماء اخرى: | 811-1295 |
| درجة حرارة التشغيل: | -25°C ~ 70°C |
| تصاعد نوع: | Through Hole |
| مستوى الحساسية للرطوبة (MSL): | 1 (Unlimited) |
| مادة - كور: | - |
| الصانع المهلة القياسية: | 10 Weeks |
| حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات: | Lead free / RoHS Compliant |
| تردد الحث - الاختبار: | 1kHz |
| الحث: | 3.3mH |
| ارتفاع - جلوسا (ماكس): | 0.413" (10.50mm) |
| تردد - الذاتي الرنين: | 1.2MHz |
| وصف تفصيلي: | 3.3mH Unshielded Wirewound Inductor 100mA 11 Ohm Max Radial |
| DC المقاومة (DCR): | 11 Ohm Max |
| التصويت الحالي: | 100mA |
| الحالي - التشبع: | - |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة ل22R335C
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
22R473MC | Murata Power Solutions | FIXED IND 47UH 990MA 220 MOHM | تحقيق |
|
22R336MC | Murata Power Solutions | FIXED IND 33MH 37MA 110 OHM SMD | تحقيق |
|
22R225MC | Murata Power Solutions | FIXED IND 2.2MH 140MA 8.58 OHM | تحقيق |
|
22R226MC | Murata Power Solutions | FIXED IND 22MH 44MA 82.5 OHM SMD | تحقيق |
|
22R474MC | Murata Power Solutions | FIXED IND 470UH 370MA 1.65 OHM | تحقيق |
 |
22R476C | Murata Power Solutions | FIXED IND 47MH 27MA 169.4 OHM TH | تحقيق |
|
22R475MC | Murata Power Solutions | FIXED IND 4.7MH 100MA 13.2 OHM | تحقيق |
 |
22R333C | Murata Power Solutions | FIXED IND 33UH 900MA 140 MOHM TH | تحقيق |
|
22R224MC | Murata Power Solutions | FIXED IND 220UH 500MA 830 MOHM | تحقيق |
 |
22R334C | Murata Power Solutions | FIXED IND 330UH 380MA 1.21 OHM | تحقيق |
 |
22R474C | Murata Power Solutions | FIXED IND 470UH 310MA 1.65 OHM | تحقيق |
|
22R335MC | Murata Power Solutions | FIXED IND 3.3MH 120MA 10 OHM SMD | تحقيق |
 |
22R224C | Murata Power Solutions | FIXED IND 220UH 430MA 830 MOHM | تحقيق |
 |
22R225C | Murata Power Solutions | FIXED IND 2.2MH 110MA 8.58 OHM | تحقيق |
 |
22R226C | Murata Power Solutions | FIXED IND 22MH 45MA 82.5 OHM TH | تحقيق |
|
22R333MC | Murata Power Solutions | FIXED IND 33UH 1.31A 140 MOHM | تحقيق |
 |
22R473C | Murata Power Solutions | FIXED IND 47UH 770MA 220 MOHM TH | تحقيق |
 |
22R475C | Murata Power Solutions | FIXED IND 4.7MH 81MA 15 OHM TH | تحقيق |
 |
22R336C | Murata Power Solutions | FIXED IND 33MH 36MA 118.8 OHM TH | تحقيق |
|
22R334MC | Murata Power Solutions | FIXED IND 330UH 420MA 1.21 OHM | تحقيق |
Latest الأخبار
- يتم استبعاد طاقة إنتاج HBM ، وقد تكون ذاكرة DRAM مختصرة في النصف الثاني من العام
- سينتهي مؤسسو الجدران أو HBM أو يتسبب في ارتفاع DRAM مرة أخرى
- الطلب على الهاتف المحمول وتوسيع أجهزة الكمبيوتر الشخصية ، تحسين صناعة تصنيع أشباه الموصلات العالمية
- فهم احتياجات أنظمة مراقبة ADAS وأنظمة المقصورة لأجهزة استشعار صور أمان الشبكة
- يشاع أن Samsung و SK Hynix أوقفوا DDR3 ، وارتفع اقتباس الترويج بنسبة 20 ٪
- أصدرت Melexis MLX90427: التحكم في الخط في الاختيار الجديد ، آمن وفعال واقتصادي
- أعلن التقرير المالي لـ NXP و Ansonmei ، ويتم إرسال سعر أسعار النحاس إلى صناعة IC
- أنشأت Moels Micro Electronics مكاتب جديدة في تايوان ، الصين لتوسيع أراضي العمل
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- يتناقص التقرير المالي للربع الأول من SEF Semiconductor (ST) ، وتباطأ الطلب على السيارات
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- حجم الرقاقة الناضجة المحلية ، سعة إنتاج ذاكرة فلاش Samsung NAND بالقرب من الحمل