1N6759 متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل 1N6759، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل 1N6759 عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء 1N6759 مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
1N6759
- رقم القطعة:
- 1N6759
- الصانع:
- Microsemi
- وصف:
- DIODE SCHOTTKY 60V 1A DO41
- حالة خالية من الرصاص:
- يحتوي الرصاص / بنفايات غير متوافقة
- كمية المخزون:
- 42135 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- 1N6759.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| الجهد - قمة عكسي (ماكس): | Schottky |
| الجهد - إلى الأمام (فودافون) (ماكس) @ إذا: | 1A |
| الجهد - انهيار: | DO-41 |
| سلسلة: | - |
| بنفايات الحالة: | Bulk |
| عكس وقت الاسترداد (TRR): | Fast Recovery = 200mA (Io) |
| المقاومة @ إذا، F: | - |
| الاستقطاب: | DO-204AL, DO-41, Axial |
| تصاعد نوع: | Through Hole |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 10 Weeks |
| الصانع الجزء رقم: | 1N6759 |
| وصف موسع: | Diode Schottky 60V 1A Through Hole DO-41 |
| تكوين الصمام الثنائي: | 100µA @ 60V |
| وصف: | DIODE SCHOTTKY 60V 1A DO41 |
| التيار - عكس تسرب @ الواقع الافتراضي: | 690mV @ 1A |
| التيار - متوسط مصحح (أيو) (لكل ديود): | 60V |
| السعة @ الواقع الافتراضي، F: | -65°C ~ 150°C |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة ل1N6759
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
1N6864 | Microsemi | SCHOTTKY RECTIFIER | تحقيق |
|
1N6844 | Microsemi | SCHOTTKY RECTIFIER | تحقيق |
|
1N6700 | Microsemi | DIODE SCHOTTKY | تحقيق |
|
1N6761-1 | Microsemi | DIODE SCHOTTKY 100V 1A DO-41 | تحقيق |
|
1N6858UR-1 | Microsemi | SCHOTTKY RECTIFIER | تحقيق |
 |
1N6663US | Microsemi | DIODE GEN PURP 600V 500MA D5A | تحقيق |
 |
1N6760 | Microsemi Corporation | DIODE SCHOTTKY 80V 1A DO41 | تحقيق |
|
1N6857UR-1 | Microsemi | SCHOTTKY RECTIFIER | تحقيق |
 |
1N6675 | Microsemi | DIODE SCHOTTKY 20V 200MA DO35 | تحقيق |
|
1N6701US | Microsemi | DIODE SCHOTTKY 30V 5A D5C | تحقيق |
|
1N6910UTK2AS | Microsemi | DIODE SCHOTTKY 15V 25A 2-THINKEY | تحقيق |
|
1N6858-1 | Microsemi | SCHOTTKY RECTIFIER | تحقيق |
|
1N6663 | Microsemi | RECTIFIER DIODE | تحقيق |
|
1N6857-1 | Microsemi | SCHOTTKY RECTIFIER | تحقيق |
|
1N6676 | Microsemi | DIODE SCHOTTKY 30V 200MA DO35 | تحقيق |
|
1N6761 | Microsemi | DIODE SCHOTTKY DO-41 | تحقيق |
|
1N6662US | Microsemi | RECTIFIER DIODE | تحقيق |
|
1N6662 | Microsemi | RECTIFIER DIODE | تحقيق |
|
1N6701 | Microsemi | DIODE SCHOTTKY | تحقيق |
|
1N6700US | Microsemi | DIODE SCHOTTKY 20V 5A D5C | تحقيق |
Latest الأخبار
- يتم استبعاد طاقة إنتاج HBM ، وقد تكون ذاكرة DRAM مختصرة في النصف الثاني من العام
- سينتهي مؤسسو الجدران أو HBM أو يتسبب في ارتفاع DRAM مرة أخرى
- الطلب على الهاتف المحمول وتوسيع أجهزة الكمبيوتر الشخصية ، تحسين صناعة تصنيع أشباه الموصلات العالمية
- فهم احتياجات أنظمة مراقبة ADAS وأنظمة المقصورة لأجهزة استشعار صور أمان الشبكة
- يشاع أن Samsung و SK Hynix أوقفوا DDR3 ، وارتفع اقتباس الترويج بنسبة 20 ٪
- أصدرت Melexis MLX90427: التحكم في الخط في الاختيار الجديد ، آمن وفعال واقتصادي
- أعلن التقرير المالي لـ NXP و Ansonmei ، ويتم إرسال سعر أسعار النحاس إلى صناعة IC
- أنشأت Moels Micro Electronics مكاتب جديدة في تايوان ، الصين لتوسيع أراضي العمل
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- يتناقص التقرير المالي للربع الأول من SEF Semiconductor (ST) ، وتباطأ الطلب على السيارات
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- حجم الرقاقة الناضجة المحلية ، سعة إنتاج ذاكرة فلاش Samsung NAND بالقرب من الحمل