1N6351US متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل 1N6351US، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل 1N6351US عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء 1N6351US مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
1N6351US
- رقم القطعة:
- 1N6351US
- الصانع:
- Microsemi
- وصف:
- ZENER DIODE
- حالة خالية من الرصاص:
- بنفايات غير متوافقة
- كمية المخزون:
- 27053 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- 1N6351US.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| سلسلة: | * |
| بنفايات الحالة: | RoHS non-compliant |
| وصف تفصيلي: | Zener Diode |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة ل1N6351US
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
1N6392 | Microsemi | DIODE SCHOTTKY 45V 54A DO5 | تحقيق |
 |
1N645UR-1 | Microsemi | DIODE GEN PURP 225V 400MA DO213 | تحقيق |
 |
1N6343US | Microsemi | ZENER DIODE | تحقيق |
|
1N6347US | Microsemi | ZENER DIODE | تحقيق |
 |
1N645-1 | Microsemi | DIODE GEN PURP 225V 400MA DO35 | تحقيق |
|
1N645-1E3 | Microsemi | SWITCHING DIODE | تحقيق |
|
1N6348US | Microsemi | ZENER DIODE | تحقيق |
|
1N646-1 | Microsemi | DIODE GEN PURP 300V 400MA DO35 | تحقيق |
 |
1N6478-E3/96 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 50V 1A DO213AB | تحقيق |
|
1N6346US | Microsemi | ZENER DIODE | تحقيق |
|
1N6342US | Microsemi | ZENER DIODE | تحقيق |
|
1N6391 | Microsemi | SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER | تحقيق |
|
1N6349US | Microsemi | ZENER DIODE | تحقيق |
|
1N646 | Microsemi | SILICON SWITCHING DIODES | تحقيق |
|
1N647-1 | Microsemi | DIODE GEN PURP 400V 400MA DO35 | تحقيق |
|
1N6344US | Microsemi | ZENER DIODE | تحقيق |
|
1N6345US | Microsemi | ZENER DIODE | تحقيق |
|
1N6350 | Microsemi | ZENER DIODE | تحقيق |
 |
1N6392 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE SCHOTTKY 45V 60A DO203AB | تحقيق |
|
1N6350US | Microsemi | ZENER DIODE | تحقيق |
Latest الأخبار
- يتم تقليل أداء ADI ، وقد ارتفعت ركائز رقائق النحاس ، وتخزين المصنع الأصلي زيادة الإنتاج المحافظ
- موجة الذكاء في السيارة قادمة ، وساعد Aimus Oslang ساجيتا Juguang في إطلاق MX Lidar
- يتم استبعاد طاقة إنتاج HBM ، وقد تكون ذاكرة DRAM مختصرة في النصف الثاني من العام
- سينتهي مؤسسو الجدران أو HBM أو يتسبب في ارتفاع DRAM مرة أخرى
- الطلب على الهاتف المحمول وتوسيع أجهزة الكمبيوتر الشخصية ، تحسين صناعة تصنيع أشباه الموصلات العالمية
- فهم احتياجات أنظمة مراقبة ADAS وأنظمة المقصورة لأجهزة استشعار صور أمان الشبكة
- يشاع أن Samsung و SK Hynix أوقفوا DDR3 ، وارتفع اقتباس الترويج بنسبة 20 ٪
- أصدرت Melexis MLX90427: التحكم في الخط في الاختيار الجديد ، آمن وفعال واقتصادي
- أعلن التقرير المالي لـ NXP و Ansonmei ، ويتم إرسال سعر أسعار النحاس إلى صناعة IC
- أنشأت Moels Micro Electronics مكاتب جديدة في تايوان ، الصين لتوسيع أراضي العمل
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- يتناقص التقرير المالي للربع الأول من SEF Semiconductor (ST) ، وتباطأ الطلب على السيارات