1N5407-E3/54 متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل 1N5407-E3/54، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل 1N5407-E3/54 عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء 1N5407-E3/54 مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
1N5407-E3/54
- رقم القطعة:
- 1N5407-E3/54
- الصانع:
- Electro-Films (EFI) / Vishay
- وصف:
- DIODE GEN PURP 800V 3A DO201AD
- حالة خالية من الرصاص:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- كمية المخزون:
- 54788 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- 1N5407-E3/54.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| الجهد - إلى الأمام (فودافون) (ماكس) @ إذا: | 1.2V @ 3A |
| الجهد - العاصمة عكسي (VR) (ماكس): | 800V |
| تجار الأجهزة حزمة: | DO-201AD |
| سرعة: | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| سلسلة: | - |
| التعبئة والتغليف: | Cut Tape (CT) |
| حزمة / كيس: | DO-201AD, Axial |
| اسماء اخرى: | 1N5407-E3/54GICT 1N5407/4GICT 1N5407/4GICT-ND 1N5407/54GICT 1N5407/54GICT-ND 1N5407GICT 1N5407GICT-ND |
| درجة حرارة التشغيل - تقاطع: | -50°C ~ 150°C |
| تصاعد نوع: | Through Hole |
| الصانع المهلة القياسية: | 25 Weeks |
| حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات: | Lead free / RoHS Compliant |
| نوع الصمام الثنائي: | Standard |
| وصف تفصيلي: | Diode Standard 800V 3A Through Hole DO-201AD |
| التيار - عكس تسرب @ الواقع الافتراضي: | 5µA @ 800V |
| الحالي - متوسط مصحح (أيو): | 3A |
| السعة @ الواقع الافتراضي، F: | 30pF @ 4V, 1MHz |
| رقم جزء القاعدة: | 1N5407 |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة ل1N5407-E3/54
Latest الأخبار
- فهم احتياجات أنظمة مراقبة ADAS وأنظمة المقصورة لأجهزة استشعار صور أمان الشبكة
- يشاع أن Samsung و SK Hynix أوقفوا DDR3 ، وارتفع اقتباس الترويج بنسبة 20 ٪
- أصدرت Melexis MLX90427: التحكم في الخط في الاختيار الجديد ، آمن وفعال واقتصادي
- أعلن التقرير المالي لـ NXP و Ansonmei ، ويتم إرسال سعر أسعار النحاس إلى صناعة IC
- أنشأت Moels Micro Electronics مكاتب جديدة في تايوان ، الصين لتوسيع أراضي العمل
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- يتناقص التقرير المالي للربع الأول من SEF Semiconductor (ST) ، وتباطأ الطلب على السيارات
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- حجم الرقاقة الناضجة المحلية ، سعة إنتاج ذاكرة فلاش Samsung NAND بالقرب من الحمل
- تطلق فيشاي عبوات مائية عالية السطوع صغير الأزرق والأخضر النقي
- أطلقت Ansonmei مستشعر موقف استقرائي لسوق الصناعي والنقل
- يبدأ Ruisa المصنع القديم لزيادة جهاز الطاقة ، ويؤثر الزلزال على معتدل ناتج DRAM