1N3889 متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل 1N3889، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل 1N3889 عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء 1N3889 مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
1N3889
- رقم القطعة:
- 1N3889
- الصانع:
- GeneSiC Semiconductor
- وصف:
- DIODE GEN PURP 50V 12A DO4
- حالة خالية من الرصاص:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- كمية المخزون:
- 28228 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- 1.1N3889.pdf2.1N3889.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| الجهد - إلى الأمام (فودافون) (ماكس) @ إذا: | 1.4V @ 12A |
| الجهد - العاصمة عكسي (VR) (ماكس): | 50V |
| تجار الأجهزة حزمة: | DO-4 |
| سرعة: | Fast Recovery = 200mA (Io) |
| سلسلة: | - |
| عكس وقت الاسترداد (TRR): | 200ns |
| التعبئة والتغليف: | Bulk |
| حزمة / كيس: | DO-203AA, DO-4, Stud |
| اسماء اخرى: | 1242-1048 |
| درجة حرارة التشغيل - تقاطع: | -65°C ~ 150°C |
| تصاعد نوع: | Chassis, Stud Mount |
| مستوى الحساسية للرطوبة (MSL): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 10 Weeks |
| حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات: | Lead free / RoHS Compliant |
| نوع الصمام الثنائي: | Standard |
| وصف تفصيلي: | Diode Standard 50V 12A Chassis, Stud Mount DO-4 |
| التيار - عكس تسرب @ الواقع الافتراضي: | 25µA @ 50V |
| الحالي - متوسط مصحح (أيو): | 12A |
| السعة @ الواقع الافتراضي، F: | - |
| رقم جزء القاعدة: | 1N3889 |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة ل1N3889
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
1N3881R | Microsemi | FAST RECOVERY RECTIFIER | تحقيق |
|
1N3883R | Microsemi | FAST RECOVERY RECTIFIER | تحقيق |
 |
1N3881R | GeneSiC Semiconductor | DIODE GEN PURP REV 200V 6A DO4 | تحقيق |
|
1N3889R | Microsemi | FAST RECOVERY RECTIFIER | تحقيق |
 |
1N3890R | GeneSiC Semiconductor | DIODE GEN PURP REV 100V 12A DO4 | تحقيق |
|
1N3882 | GeneSiC Semiconductor | DIODE GEN PURP 300V 6A DO4 | تحقيق |
|
1N3889 | Microsemi | FAST RECOVERY RECTIFIER | تحقيق |
 |
1N3883 | GeneSiC Semiconductor | DIODE GEN PURP 400V 6A DO4 | تحقيق |
|
1N3890 | GeneSiC Semiconductor | DIODE GEN PURP 100V 12A DO4 | تحقيق |
|
1N3882 | Microsemi | FAST RECOVERY RECTIFIER | تحقيق |
|
1N3890A | Microsemi | FAST RECOVERY RECTIFIER | تحقيق |
|
1N3890 | Microsemi | FAST RECOVERY RECTIFIER | تحقيق |
|
1N3882R | Microsemi | FAST RECOVERY RECTIFIER | تحقيق |
 |
1N3891 | GeneSiC Semiconductor | DIODE GEN PURP 200V 12A DO4 | تحقيق |
 |
1N3883R | GeneSiC Semiconductor | DIODE GEN PURP REV 400V 6A DO4 | تحقيق |
|
1N3889R | GeneSiC Semiconductor | DIODE GEN PURP REV 50V 12A DO4 | تحقيق |
|
1N3890AR | Microsemi | FAST RECOVERY RECTIFIER | تحقيق |
|
1N3891A | Microsemi | FAST RECOVERY RECTIFIER | تحقيق |
|
1N3882R | GeneSiC Semiconductor | DIODE GEN PURP REV 300V 6A DO4 | تحقيق |
|
1N3883 | Microsemi | FAST RECOVERY RECTIFIER | تحقيق |
Latest الأخبار
- أعلن التقرير المالي لـ NXP و Ansonmei ، ويتم إرسال سعر أسعار النحاس إلى صناعة IC
- أنشأت Moels Micro Electronics مكاتب جديدة في تايوان ، الصين لتوسيع أراضي العمل
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- يتناقص التقرير المالي للربع الأول من SEF Semiconductor (ST) ، وتباطأ الطلب على السيارات
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- حجم الرقاقة الناضجة المحلية ، سعة إنتاج ذاكرة فلاش Samsung NAND بالقرب من الحمل
- تطلق فيشاي عبوات مائية عالية السطوع صغير الأزرق والأخضر النقي
- أطلقت Ansonmei مستشعر موقف استقرائي لسوق الصناعي والنقل
- يبدأ Ruisa المصنع القديم لزيادة جهاز الطاقة ، ويؤثر الزلزال على معتدل ناتج DRAM
- تتيح الرقائق الدقيقة القدرة الإنتاجية لـ TSMC ويزيد من زيادة الأسعار
- أطلقت Ruisa New RA0 Series Ultra -low Power Entry -lovel MCU
- يطلق Melexis رقاقة مفتاح محث كامل المتكامل