1N332RB متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل 1N332RB، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل 1N332RB عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء 1N332RB مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
1N332RB
- رقم القطعة:
- 1N332RB
- الصانع:
- Microsemi
- وصف:
- DIODE ZENER 50W REV DO5
- حالة خالية من الرصاص:
- يحتوي الرصاص / بنفايات غير متوافقة
- كمية المخزون:
- 46816 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- 1N332RB.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| الجهد - العزلة: | 5.2 Ohm |
| الجهد - انهيار: | DO-5 |
| سلسلة: | - |
| بنفايات الحالة: | Bulk |
| السلطة - ماكس: | 50W |
| الاستقطاب: | DO-203AB, DO-5, Stud |
| درجة حرارة التشغيل: | -65°C ~ 175°C |
| تصاعد نوع: | Stud Mount |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع الجزء رقم: | 1N332RB |
| مقاومة (ماكس) (Zzt): | 51V |
| وصف موسع: | Zener Diode 50W ±5% Stud Mount DO-5 |
| ESR (مقاومة السلسلة المكافئة): | ±5% |
| تكوين الصمام الثنائي: | 10µA @ 38.8V |
| وصف: | DIODE ZENER 50W REV DO5 |
| التيار - عكس تسرب @ الواقع الافتراضي: | 1.5V @ 10A |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة ل1N332RB
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
1N3333A | Microsemi | DIODE ZENER 52V 50W DO5 | تحقيق |
|
1N3328A | Microsemi | DIODE ZENER 43V 50W DO5 | تحقيق |
|
1N3330B | Microsemi | DIODE ZENER 47V 50W DO5 | تحقيق |
|
1N3332RB | Microsemi | DIODE ZENER 51V 50W DO5 | تحقيق |
|
1N3328B | Microsemi | DIODE ZENER 43V 50W DO5 | تحقيق |
|
1N3330A | Microsemi | DIODE ZENER 47V 50W DO5 | تحقيق |
|
1N3329B | Microsemi | DIODE ZENER 45V 50W DO5 | تحقيق |
|
1N3331RB | Microsemi | DIODE ZENER 50V 50W DO5 | تحقيق |
|
1N3330RB | Microsemi | DIODE ZENER 47V 50W DO5 | تحقيق |
|
1N3331B | Microsemi | DIODE ZENER 50V 50W DO5 | تحقيق |
|
1N3332A | Microsemi | DIODE ZENER 51V 50W DO5 | تحقيق |
|
1N3332B | Microsemi | DIODE ZENER 51V 50W DO5 | تحقيق |
|
1N3329RB | Microsemi | DIODE ZENER 45V 50W DO5 | تحقيق |
|
1N3331A | Microsemi | DIODE ZENER 50V 50W DO5 | تحقيق |
|
1N3329A | Microsemi | DIODE ZENER 45V 50W DO5 | تحقيق |
|
1N3327B | Microsemi | DIODE ZENER 39V 50W DO5 | تحقيق |
|
1N3327RB | Microsemi | DIODE ZENER 39V 50W DO5 | تحقيق |
|
1N3328RB | Microsemi | DIODE ZENER 43V 50W DO5 | تحقيق |
|
1N3326RB | Microsemi | DIODE ZENER 36V 50W DO5 | تحقيق |
|
1N3327A | Microsemi | DIODE ZENER 39V 50W DO5 | تحقيق |
Latest الأخبار
- يتم استبعاد طاقة إنتاج HBM ، وقد تكون ذاكرة DRAM مختصرة في النصف الثاني من العام
- سينتهي مؤسسو الجدران أو HBM أو يتسبب في ارتفاع DRAM مرة أخرى
- الطلب على الهاتف المحمول وتوسيع أجهزة الكمبيوتر الشخصية ، تحسين صناعة تصنيع أشباه الموصلات العالمية
- فهم احتياجات أنظمة مراقبة ADAS وأنظمة المقصورة لأجهزة استشعار صور أمان الشبكة
- يشاع أن Samsung و SK Hynix أوقفوا DDR3 ، وارتفع اقتباس الترويج بنسبة 20 ٪
- أصدرت Melexis MLX90427: التحكم في الخط في الاختيار الجديد ، آمن وفعال واقتصادي
- أعلن التقرير المالي لـ NXP و Ansonmei ، ويتم إرسال سعر أسعار النحاس إلى صناعة IC
- أنشأت Moels Micro Electronics مكاتب جديدة في تايوان ، الصين لتوسيع أراضي العمل
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- يتناقص التقرير المالي للربع الأول من SEF Semiconductor (ST) ، وتباطأ الطلب على السيارات
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- حجم الرقاقة الناضجة المحلية ، سعة إنتاج ذاكرة فلاش Samsung NAND بالقرب من الحمل