1N1200A متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل 1N1200A، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل 1N1200A عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء 1N1200A مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
1N1200A
- رقم القطعة:
- 1N1200A
- الصانع:
- GeneSiC Semiconductor
- وصف:
- DIODE GEN PURP 100V 12A DO4
- حالة خالية من الرصاص:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- كمية المخزون:
- 45143 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- 1.1N1200A.pdf2.1N1200A.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| الجهد - إلى الأمام (فودافون) (ماكس) @ إذا: | 1.1V @ 12A |
| الجهد - العاصمة عكسي (VR) (ماكس): | 100V |
| تجار الأجهزة حزمة: | DO-4 |
| سرعة: | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| سلسلة: | - |
| التعبئة والتغليف: | Bulk |
| حزمة / كيس: | DO-203AA, DO-4, Stud |
| اسماء اخرى: | 1242-1065 |
| درجة حرارة التشغيل - تقاطع: | -65°C ~ 200°C |
| تصاعد نوع: | Chassis, Stud Mount |
| مستوى الحساسية للرطوبة (MSL): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 10 Weeks |
| حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات: | Lead free / RoHS Compliant |
| نوع الصمام الثنائي: | Standard |
| وصف تفصيلي: | Diode Standard 100V 12A Chassis, Stud Mount DO-4 |
| التيار - عكس تسرب @ الواقع الافتراضي: | 10µA @ 50V |
| الحالي - متوسط مصحح (أيو): | 12A |
| السعة @ الواقع الافتراضي، F: | - |
| رقم جزء القاعدة: | 1N1200 |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة ل1N1200A
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
1N1199AR | GeneSiC Semiconductor | DIODE GEN PURP REV 50V 12A DO4 | تحقيق |
 |
1N1199R | Microsemi | STANDARD RECTIFIER | تحقيق |
|
1N1199BR | Microsemi | STANDARD RECTIFIER | تحقيق |
 |
1N1199A | GeneSiC Semiconductor | DIODE GEN PURP 50V 12A DO4 | تحقيق |
|
1N1199B | Microsemi | STANDARD RECTIFIER | تحقيق |
|
1N1201BR | Microsemi | STANDARD RECTIFIER | تحقيق |
|
1N1200A | Microsemi | STANDARD RECTIFIER | تحقيق |
|
1N1200BR | Microsemi | STANDARD RECTIFIER | تحقيق |
 |
1N1200AR | GeneSiC Semiconductor | DIODE GEN PURP REV 100V 12A DO4 | تحقيق |
|
1N1199A | Microsemi | STANDARD RECTIFIER | تحقيق |
|
1N1200 | Microsemi | STANDARD RECTIFIER | تحقيق |
|
1N1201 | Microsemi | STANDARD RECTIFIER | تحقيق |
|
1N1200AR | Microsemi | STANDARD RECTIFIER | تحقيق |
|
1N1199C | Microsemi | STANDARD RECTIFIER | تحقيق |
|
1N1200R | Microsemi | STANDARD RECTIFIER | تحقيق |
|
1N1201AR | Microsemi | STANDARD RECTIFIER | تحقيق |
|
1N1201B | Microsemi | STANDARD RECTIFIER | تحقيق |
|
1N1200C | Microsemi | STANDARD RECTIFIER | تحقيق |
|
1N1199AR | Microsemi | STANDARD RECTIFIER | تحقيق |
|
1N1200B | Microsemi | STANDARD RECTIFIER | تحقيق |
Latest الأخبار
- يتم تقليل أداء ADI ، وقد ارتفعت ركائز رقائق النحاس ، وتخزين المصنع الأصلي زيادة الإنتاج المحافظ
- موجة الذكاء في السيارة قادمة ، وساعد Aimus Oslang ساجيتا Juguang في إطلاق MX Lidar
- يتم استبعاد طاقة إنتاج HBM ، وقد تكون ذاكرة DRAM مختصرة في النصف الثاني من العام
- سينتهي مؤسسو الجدران أو HBM أو يتسبب في ارتفاع DRAM مرة أخرى
- الطلب على الهاتف المحمول وتوسيع أجهزة الكمبيوتر الشخصية ، تحسين صناعة تصنيع أشباه الموصلات العالمية
- فهم احتياجات أنظمة مراقبة ADAS وأنظمة المقصورة لأجهزة استشعار صور أمان الشبكة
- يشاع أن Samsung و SK Hynix أوقفوا DDR3 ، وارتفع اقتباس الترويج بنسبة 20 ٪
- أصدرت Melexis MLX90427: التحكم في الخط في الاختيار الجديد ، آمن وفعال واقتصادي
- أعلن التقرير المالي لـ NXP و Ansonmei ، ويتم إرسال سعر أسعار النحاس إلى صناعة IC
- أنشأت Moels Micro Electronics مكاتب جديدة في تايوان ، الصين لتوسيع أراضي العمل
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- يتناقص التقرير المالي للربع الأول من SEF Semiconductor (ST) ، وتباطأ الطلب على السيارات