199D475X9035C2B1E3 متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل 199D475X9035C2B1E3، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل 199D475X9035C2B1E3 عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء 199D475X9035C2B1E3 مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
199D475X9035C2B1E3
- رقم القطعة:
- 199D475X9035C2B1E3
- الصانع:
- Electro-Films (EFI) / Vishay
- وصف:
- CAP TANT 4.7UF 35V 10% RADIAL
- حالة خالية من الرصاص:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- كمية المخزون:
- 45046 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- 199D475X9035C2B1E3.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| الجهد - تقييمه: | 35V |
| اكتب: | Conformal Coated |
| تسامح: | ±10% |
| حجم / البعد: | 0.217" Dia (5.50mm) |
| سلسلة: | TANTALEX®, 199D |
| التعبئة والتغليف: | Tape & Reel (TR) |
| حزمة / كيس: | Radial |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 125°C |
| تصاعد نوع: | Through Hole |
| مستوى الحساسية للرطوبة (MSL): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 9 Weeks |
| مصنع رمز حجم: | C |
| عمر @ درجة الحرارة.: | 1000 Hrs @ 85°C |
| تباعد الرصاص: | 0.100" (2.54mm) |
| حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات: | Lead free / RoHS Compliant |
| ارتفاع - جلوسا (ماكس): | 0.360" (9.14mm) |
| الميزات: | General Purpose |
| معدل الفشل: | - |
| ESR (مقاومة السلسلة المكافئة): | - |
| وصف تفصيلي: | 4.7µF Conformal Coated Tantalum Capacitors 35V Radial |
| مواسعة: | 4.7µF |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة ل199D475X9035C2B1E3
Latest الأخبار
- يتم استبعاد طاقة إنتاج HBM ، وقد تكون ذاكرة DRAM مختصرة في النصف الثاني من العام
- سينتهي مؤسسو الجدران أو HBM أو يتسبب في ارتفاع DRAM مرة أخرى
- الطلب على الهاتف المحمول وتوسيع أجهزة الكمبيوتر الشخصية ، تحسين صناعة تصنيع أشباه الموصلات العالمية
- فهم احتياجات أنظمة مراقبة ADAS وأنظمة المقصورة لأجهزة استشعار صور أمان الشبكة
- يشاع أن Samsung و SK Hynix أوقفوا DDR3 ، وارتفع اقتباس الترويج بنسبة 20 ٪
- أصدرت Melexis MLX90427: التحكم في الخط في الاختيار الجديد ، آمن وفعال واقتصادي
- أعلن التقرير المالي لـ NXP و Ansonmei ، ويتم إرسال سعر أسعار النحاس إلى صناعة IC
- أنشأت Moels Micro Electronics مكاتب جديدة في تايوان ، الصين لتوسيع أراضي العمل
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- يتناقص التقرير المالي للربع الأول من SEF Semiconductor (ST) ، وتباطأ الطلب على السيارات
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- حجم الرقاقة الناضجة المحلية ، سعة إنتاج ذاكرة فلاش Samsung NAND بالقرب من الحمل