1812R-472J متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل 1812R-472J، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل 1812R-472J عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء 1812R-472J مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
1812R-472J
- رقم القطعة:
- 1812R-472J
- الصانع:
- API Delevan
- وصف:
- FIXED IND 4.7UH 448MA 1 OHM SMD
- حالة خالية من الرصاص:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- كمية المخزون:
- 36584 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- 1812R-472J.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| اكتب: | - |
| تسامح: | ±5% |
| تجار الأجهزة حزمة: | 1812 |
| حجم / البعد: | 0.177" L x 0.126" W (4.50mm x 3.20mm) |
| التدريع: | Unshielded |
| سلسلة: | 1812R |
| تصنيفات: | - |
| س @ التكرار: | 50 @ 7.9MHz |
| التعبئة والتغليف: | Tape & Reel (TR) |
| حزمة / كيس: | 1812 (4532 Metric) |
| اسماء اخرى: | 1812R-472J TR 500 1812R472J DN42135JTR |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 125°C |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى الحساسية للرطوبة (MSL): | 1 (Unlimited) |
| مادة - كور: | Ferrite |
| الصانع المهلة القياسية: | 31 Weeks |
| حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات: | Lead free / RoHS Compliant |
| تردد الحث - الاختبار: | 7.9MHz |
| الحث: | 4.7µH |
| ارتفاع - جلوسا (ماكس): | 0.134" (3.40mm) |
| تردد - الذاتي الرنين: | 35MHz |
| وصف تفصيلي: | 4.7µH Unshielded Inductor 448mA 1 Ohm Max 1812 (4532 Metric) |
| DC المقاومة (DCR): | 1 Ohm Max |
| التصويت الحالي: | 448mA |
| الحالي - التشبع: | - |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة ل1812R-472J
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
1812R-473K | API Delevan | FIXED IND 47UH 200MA 5 OHM SMD | تحقيق |
|
1812R-474H | API Delevan | FIXED IND 470UH 88MA 26 OHM SMD | تحقيق |
|
1812R-470M | API Delevan | FIXED IND 47NH 870MA 200 MOHM | تحقيق |
|
1812R-472G | API Delevan | FIXED IND 4.7UH 448MA 1 OHM SMD | تحقيق |
|
1812R-473H | API Delevan | FIXED IND 47UH 200MA 5 OHM SMD | تحقيق |
|
1812R-473G | API Delevan | FIXED IND 47UH 200MA 5 OHM SMD | تحقيق |
|
1812R-474F | API Delevan | FIXED IND 470UH 88MA 26 OHM SMD | تحقيق |
|
1812R-472F | API Delevan | FIXED IND 4.7UH 448MA 1 OHM SMD | تحقيق |
|
1812R-471J | API Delevan | FIXED IND 470NH 501MA 800 MOHM | تحقيق |
|
1812R-473J | API Delevan | FIXED IND 47UH 200MA 5 OHM SMD | تحقيق |
|
1812R-472K | API Delevan | FIXED IND 4.7UH 448MA 1 OHM SMD | تحقيق |
|
1812R-471F | API Delevan | FIXED IND 470NH 501MA 800 MOHM | تحقيق |
|
1812R-471H | API Delevan | FIXED IND 470NH 501MA 800 MOHM | تحقيق |
|
1812R-471G | API Delevan | FIXED IND 470NH 501MA 800 MOHM | تحقيق |
|
1812R-471K | API Delevan | FIXED IND 470NH 501MA 800 MOHM | تحقيق |
|
1812R-472H | API Delevan | FIXED IND 4.7UH 448MA 1 OHM SMD | تحقيق |
|
1812R-473F | API Delevan | FIXED IND 47UH 200MA 5 OHM SMD | تحقيق |
|
1812R-470K | API Delevan | FIXED IND 47NH 870MA 200 MOHM | تحقيق |
|
1812R-474J | API Delevan | FIXED IND 470UH 88MA 26 OHM SMD | تحقيق |
|
1812R-474G | API Delevan | FIXED IND 470UH 88MA 26 OHM SMD | تحقيق |
Latest الأخبار
- يتم استبعاد طاقة إنتاج HBM ، وقد تكون ذاكرة DRAM مختصرة في النصف الثاني من العام
- سينتهي مؤسسو الجدران أو HBM أو يتسبب في ارتفاع DRAM مرة أخرى
- الطلب على الهاتف المحمول وتوسيع أجهزة الكمبيوتر الشخصية ، تحسين صناعة تصنيع أشباه الموصلات العالمية
- فهم احتياجات أنظمة مراقبة ADAS وأنظمة المقصورة لأجهزة استشعار صور أمان الشبكة
- يشاع أن Samsung و SK Hynix أوقفوا DDR3 ، وارتفع اقتباس الترويج بنسبة 20 ٪
- أصدرت Melexis MLX90427: التحكم في الخط في الاختيار الجديد ، آمن وفعال واقتصادي
- أعلن التقرير المالي لـ NXP و Ansonmei ، ويتم إرسال سعر أسعار النحاس إلى صناعة IC
- أنشأت Moels Micro Electronics مكاتب جديدة في تايوان ، الصين لتوسيع أراضي العمل
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- يتناقص التقرير المالي للربع الأول من SEF Semiconductor (ST) ، وتباطأ الطلب على السيارات
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- حجم الرقاقة الناضجة المحلية ، سعة إنتاج ذاكرة فلاش Samsung NAND بالقرب من الحمل