16TTS12 متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل 16TTS12، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل 16TTS12 عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء 16TTS12 مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
16TTS12
- رقم القطعة:
- 16TTS12
- الصانع:
- Electro-Films (EFI) / Vishay
- وصف:
- SCR PHASE CONT 1200V 16A TO220AB
- حالة خالية من الرصاص:
- يحتوي الرصاص / بنفايات غير متوافقة
- كمية المخزون:
- 32556 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- 1.16TTS12.pdf2.16TTS12.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| الجهد - في دولة (فتم) (ماكس): | 1.4V |
| الجهد - الدولة معطلة: | 1.2kV |
| الجهد - بوابة الزناد (فحكت) (ماكس): | 2V |
| تجار الأجهزة حزمة: | TO-220AB |
| سلسلة: | - |
| نوع SCR: | Standard Recovery |
| التعبئة والتغليف: | Tube |
| حزمة / كيس: | TO-220-3 |
| اسماء اخرى: | *16TTS12 VS-16TTS12 VS-16TTS12-ND VS16TTS12 VS16TTS12-ND |
| درجة حرارة التشغيل: | -40°C ~ 125°C |
| تصاعد نوع: | Through Hole |
| مستوى الحساسية للرطوبة (MSL): | 1 (Unlimited) |
| حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات: | Contains lead / RoHS non-compliant |
| وصف تفصيلي: | SCR 1.2kV 16A Standard Recovery Through Hole TO-220AB |
| التيار - في دولة (و(RMS)) (ماكس): | 16A |
| التيار - في دولة (و(AV)) (ماكس): | 10A |
| التيار - إيقاف الدولة (ماكس): | 500µA |
| التيار - غير النائب عرام 50، 60HZ (إدارة خدمات تكنولوجيا المعلومات): | 200A @ 50Hz |
| الحالي - عقد (ايه) (ماكس): | 100mA |
| الحالي - بوابة الزناد (IGT) (ماكس): | 60mA |
| رقم جزء القاعدة: | 16TTS* |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة ل16TTS12
Latest الأخبار
- جرد دورة المحاكاة في القاع
- خطة Micron لبناء مصنع ، ذاكرة فلاش NAND بأسعار أو صيانة مرتفعة
- يتم تقليل أداء ADI ، وقد ارتفعت ركائز رقائق النحاس ، وتخزين المصنع الأصلي زيادة الإنتاج المحافظ
- موجة الذكاء في السيارة قادمة ، وساعد Aimus Oslang ساجيتا Juguang في إطلاق MX Lidar
- يتم استبعاد طاقة إنتاج HBM ، وقد تكون ذاكرة DRAM مختصرة في النصف الثاني من العام
- سينتهي مؤسسو الجدران أو HBM أو يتسبب في ارتفاع DRAM مرة أخرى
- الطلب على الهاتف المحمول وتوسيع أجهزة الكمبيوتر الشخصية ، تحسين صناعة تصنيع أشباه الموصلات العالمية
- فهم احتياجات أنظمة مراقبة ADAS وأنظمة المقصورة لأجهزة استشعار صور أمان الشبكة
- يشاع أن Samsung و SK Hynix أوقفوا DDR3 ، وارتفع اقتباس الترويج بنسبة 20 ٪
- أصدرت Melexis MLX90427: التحكم في الخط في الاختيار الجديد ، آمن وفعال واقتصادي
- أعلن التقرير المالي لـ NXP و Ansonmei ، ويتم إرسال سعر أسعار النحاس إلى صناعة IC
- أنشأت Moels Micro Electronics مكاتب جديدة في تايوان ، الصين لتوسيع أراضي العمل