12FR80B BN BK Y متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل 12FR80B BN BK Y، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل 12FR80B BN BK Y عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء 12FR80B BN BK Y مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
12FR80B BN BK Y
- رقم القطعة:
- 12FR80B BN BK Y
- وصف:
- DIODE GEN PURP 800V 12A DO203AA
- حالة خالية من الرصاص:
- يحتوي الرصاص / بنفايات غير متوافقة
- كمية المخزون:
- 23795 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- 12FR80B BN BK Y.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| الجهد - إلى الأمام (فودافون) (ماكس) @ إذا: | 1.26V @ 38A |
| الجهد - العاصمة عكسي (VR) (ماكس): | 800V |
| تجار الأجهزة حزمة: | DO-203AA |
| سرعة: | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| سلسلة: | - |
| التعبئة والتغليف: | Bulk |
| حزمة / كيس: | DO-203AA, DO-4, Stud |
| اسماء اخرى: | 12FR70A 12FR70B 12FR80A 12FR80B 12FR80BBNBKY |
| درجة حرارة التشغيل - تقاطع: | -65°C ~ 175°C |
| تصاعد نوع: | Chassis, Stud Mount |
| مستوى الحساسية للرطوبة (MSL): | 1 (Unlimited) |
| حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات: | Contains lead / RoHS non-compliant |
| نوع الصمام الثنائي: | Standard |
| وصف تفصيلي: | Diode Standard 800V 12A Chassis, Stud Mount DO-203AA |
| الحالي - متوسط مصحح (أيو): | 12A |
| السعة @ الواقع الافتراضي، F: | - |
| رقم جزء القاعدة: | 12FR80 |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة ل12FR80B BN BK Y
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
12FR090E | Ohmite | RES 0.09 OHM 2W 1% AXIAL | تحقيق |
 |
12FR050E | Ohmite | RES 0.05 OHM 2W 1% AXIAL | تحقيق |
|
12FR070E | Ohmite | RES 0.07 OHM 2W 1% AXIAL | تحقيق |
 |
12FR60B BN BK R | Vishay / Semiconductor - Opto Division | DIODE GEN PURP 600V 12A DO203AA | تحقيق |
|
12FR040E | Ohmite | RES 0.04 OHM 2W 1% AXIAL | تحقيق |
|
12FR070 | Ohmite | RES 0.07 OHM 2W 1% AXIAL | تحقيق |
|
12FR030E | Ohmite | RES 0.03 OHM 2W 1% AXIAL | تحقيق |
|
12FR100E | Ohmite | RES 0.1 OHM 2W 1% AXIAL | تحقيق |
|
12FR10B BN BK R | Vishay / Semiconductor - Opto Division | DIODE GEN PURP 100V 12A DO203AA | تحقيق |
|
12FR060 | Ohmite | RES 0.06 OHM 2W 1% AXIAL | تحقيق |
|
12FR100B BN BK Y | Vishay / Semiconductor - Opto Division | DIODE GEN PURP 1KV 12A DO203AA | تحقيق |
|
12FR060E | Ohmite | RES 0.06 OHM 2W 1% AXIAL | تحقيق |
|
12FR080 | Ohmite | RES 0.08 OHM 2W 1% AXIAL | تحقيق |
|
12FR40B BN BK R | Vishay / Semiconductor - Opto Division | DIODE GEN PURP 400V 12A DO203AA | تحقيق |
|
12FR080E | Ohmite | RES 0.08 OHM 2W 1% AXIAL | تحقيق |
|
12FR040 | Ohmite | RES 0.04 OHM 2W 1% AXIAL | تحقيق |
|
12FR050 | Ohmite | RES 0.05 OHM 2W 1% AXIAL | تحقيق |
|
12FR090 | Ohmite | RES 0.09 OHM 2W 1% AXIAL | تحقيق |
|
12FR100 | Ohmite | RES 0.1 OHM 2W 1% AXIAL | تحقيق |
|
12FR20B BN BK R | Vishay / Semiconductor - Opto Division | DIODE GEN PURP 200V 12A DO203AA | تحقيق |
Latest الأخبار
- يتم تقليل أداء ADI ، وقد ارتفعت ركائز رقائق النحاس ، وتخزين المصنع الأصلي زيادة الإنتاج المحافظ
- موجة الذكاء في السيارة قادمة ، وساعد Aimus Oslang ساجيتا Juguang في إطلاق MX Lidar
- يتم استبعاد طاقة إنتاج HBM ، وقد تكون ذاكرة DRAM مختصرة في النصف الثاني من العام
- سينتهي مؤسسو الجدران أو HBM أو يتسبب في ارتفاع DRAM مرة أخرى
- الطلب على الهاتف المحمول وتوسيع أجهزة الكمبيوتر الشخصية ، تحسين صناعة تصنيع أشباه الموصلات العالمية
- فهم احتياجات أنظمة مراقبة ADAS وأنظمة المقصورة لأجهزة استشعار صور أمان الشبكة
- يشاع أن Samsung و SK Hynix أوقفوا DDR3 ، وارتفع اقتباس الترويج بنسبة 20 ٪
- أصدرت Melexis MLX90427: التحكم في الخط في الاختيار الجديد ، آمن وفعال واقتصادي
- أعلن التقرير المالي لـ NXP و Ansonmei ، ويتم إرسال سعر أسعار النحاس إلى صناعة IC
- أنشأت Moels Micro Electronics مكاتب جديدة في تايوان ، الصين لتوسيع أراضي العمل
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- يتناقص التقرير المالي للربع الأول من SEF Semiconductor (ST) ، وتباطأ الطلب على السيارات