SI1021R-T1-E3
SI1021R-T1-E3
Số Phần:
SI1021R-T1-E3
nhà chế tạo:
Electro-Films (EFI) / Vishay
Sự miêu tả:
MOSFET P-CH 60V 190MA SC-75A
Tình trạng không có chì:
Không có chì / tuân thủ RoHS
Số lượng cổ phiếu:
35470 Pieces
Thời gian giao hàng:
1-2 days
Thời gian dẫn:
4-8 weeks
Bảng dữliệu:
SI1021R-T1-E3.pdf

Giới thiệu

SI1021R-T1-E3 hiện có sẵn!Công nghệ LYNTEAM là nhà phân phối stocking cho SI1021R-T1-E3, chúng tôi có cổ phiếu để vận chuyển ngay lập tức và cũng có sẵn để cung cấp thời gian dài.Vui lòng gửi cho chúng tôi gói mua hàng của bạn cho SI1021R-T1-E3 qua email, chúng tôi sẽ cung cấp cho bạn một mức giá tốt nhất theo kế hoạch của bạn.
Mua SI1021R-T1-E3 với LYNTEAM, tiết kiệm tiền và thời gian của bạn.
Email của chúng tôi: [email protected]

Thông số kỹ thuật

Điều kiện New & Original, tested
Nước xuất xứ Contact us
Mã đánh dấu Send by email
VGS (th) (Max) @ Id:3V @ 250µA
Vgs (Tối đa):±20V
Công nghệ:MOSFET (Metal Oxide)
Gói thiết bị nhà cung cấp:SC-75A
Loạt:TrenchFET®
Rds On (Max) @ Id, VGS:4 Ohm @ 500mA, 10V
Điện cực phân tán (Max):250mW (Ta)
Bao bì:Tape & Reel (TR)
Gói / Case:SC-75A
Vài cái tên khác:SI1021R-T1-E3TR
Nhiệt độ hoạt động:-55°C ~ 150°C (TJ)
gắn Loại:Surface Mount
Độ nhạy độ ẩm (MSL):1 (Unlimited)
Tình trạng miễn phí / Tình trạng RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds:23pF @ 25V
Phím cổng (Qg) (Max) @ Vgs:1.7nC @ 15V
Loại FET:P-Channel
FET Feature:-
Điện thế ổ đĩa (Max Rds On, Min Rds On):4.5V, 10V
Xả để nguồn điện áp (Vdss):60V
miêu tả cụ thể:P-Channel 60V 190mA (Ta) 250mW (Ta) Surface Mount SC-75A
Hiện tại - Drain liên tục (Id) @ 25 ° C:190mA (Ta)
Email:[email protected]

Nhanh Tìm Quote

Số Phần
Số lượng
Công ty
E-mail
Điện thoại
Bình luận

Latest Tin tức