JAN1N5550US hiện có sẵn!Công nghệ LYNTEAM là nhà phân phối stocking cho JAN1N5550US, chúng tôi có cổ phiếu để vận chuyển ngay lập tức và cũng có sẵn để cung cấp thời gian dài.Vui lòng gửi cho chúng tôi gói mua hàng của bạn cho JAN1N5550US qua email, chúng tôi sẽ cung cấp cho bạn một mức giá tốt nhất theo kế hoạch của bạn.
Mua JAN1N5550US với LYNTEAM, tiết kiệm tiền và thời gian của bạn.
Email của chúng tôi: [email protected]
JAN1N5550US
- Số Phần:
- JAN1N5550US
- nhà chế tạo:
- Microsemi
- Sự miêu tả:
- DIODE GEN PURP 200V 3A B-MELF
- Tình trạng không có chì:
- Chứa chì / RoHS không tuân thủ
- Số lượng cổ phiếu:
- 31704 Pieces
- Thời gian giao hàng:
- 1-2 days
- Thời gian dẫn:
- 4-8 weeks
- Bảng dữliệu:
- JAN1N5550US.pdf
Giới thiệu
Thông số kỹ thuật
| Điều kiện | New & Original, tested |
|---|---|
| Nước xuất xứ | Contact us |
| Mã đánh dấu | Send by email |
| Voltage - Đỉnh ngược (Max): | Standard |
| Voltage - Chuyển tiếp (VF) (Max) @ Nếu: | 3A |
| Voltage - Breakdown: | D-5B |
| Loạt: | Military, MIL-PRF-19500/420 |
| Tình trạng RoHS: | Bulk |
| Xếp Thời gian phục hồi (TRR): | Fast Recovery = 200mA (Io) |
| Kháng @ Nếu, F: | - |
| sự phân cực: | SQ-MELF, B |
| Vài cái tên khác: | 1086-19411 1086-19411-MIL |
| Nhiệt độ hoạt động - Junction: | 2µs |
| gắn Loại: | Surface Mount |
| Mức độ nhạy ẩm (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Thời gian chuẩn của nhà sản xuất: | 8 Weeks |
| Số phần của nhà sản xuất: | JAN1N5550US |
| Mô tả mở rộng: | Diode Standard 200V 3A Surface Mount D-5B |
| Cấu hình diode: | 1µA @ 200V |
| Sự miêu tả: | DIODE GEN PURP 200V 3A B-MELF |
| Hiện tại - Xếp Rò rỉ @ VR: | 1.2V @ 9A |
| Hiện tại - Trung bình sửa chữa (Io) (mỗi Diode): | 200V |
| Dung @ VR, F: | -65°C ~ 175°C |
| Email: | [email protected] |
bộ phận liên quan cho JAN1N5550US
Latest Tin tức
- ARM xuất hiện trong Computex 2024: Dự kiến hơn 100 tỷ thiết bị ARM có thể được sử dụng cho AI vào cuối năm 2025
- Qorvo đã ra mắt sơ bộ 5G mmimo nổi bật của ngành công nghiệp
- Hàng tồn kho chu kỳ mô phỏng chạm đáy, AI điều khiển nhu cầu bộ nhớ flash tiếp tục
- Kế hoạch của Micron để xây dựng một nhà máy, bộ nhớ flash NAND với giá cao hoặc bảo trì
- Hiệu suất ADI bị giảm, chất nền đồng đã tăng lên, lưu trữ nhà máy gốc tăng sản xuất bảo thủ
- Làn sóng thông minh trong xe đang đến, và Aimus Oslang đã giúp Sagita Juguang giải phóng MX Lidar
- Năng lực sản xuất HBM bị loại trừ, bộ nhớ DRAM có thể bị thiếu hụt trong nửa cuối năm
- Những người sáng lập tường sẽ kết thúc, HBM hoặc khiến DRAM tăng trở lại
- Nhu cầu mở rộng điện thoại di động và máy tính AI, cải tiến ngành sản xuất bán dẫn toàn cầu
- Hiểu nhu cầu của ADA và hệ thống giám sát cabin cho các cảm biến hình ảnh bảo mật mạng
- Có tin đồn rằng Samsung và SK Hynix đã dừng DDR3 và báo giá quảng cáo tăng 20 %
- Melexis đã phát hành MLX90427: Kiểm soát dòng cho sự lựa chọn mới, an toàn, hiệu quả và tiết kiệm