DR73-1R0-R hiện có sẵn!Công nghệ LYNTEAM là nhà phân phối stocking cho DR73-1R0-R, chúng tôi có cổ phiếu để vận chuyển ngay lập tức và cũng có sẵn để cung cấp thời gian dài.Vui lòng gửi cho chúng tôi gói mua hàng của bạn cho DR73-1R0-R qua email, chúng tôi sẽ cung cấp cho bạn một mức giá tốt nhất theo kế hoạch của bạn.
Mua DR73-1R0-R với LYNTEAM, tiết kiệm tiền và thời gian của bạn.
Email của chúng tôi: [email protected]
DR73-1R0-R
- Số Phần:
- DR73-1R0-R
- nhà chế tạo:
- Bussmann (Eaton)
- Sự miêu tả:
- FIXED IND 1UH 5.28A 10.2 MOHM
- Tình trạng không có chì:
- Không có chì / tuân thủ RoHS
- Số lượng cổ phiếu:
- 40715 Pieces
- Thời gian giao hàng:
- 1-2 days
- Thời gian dẫn:
- 4-8 weeks
- Bảng dữliệu:
- DR73-1R0-R.pdf
Giới thiệu
Thông số kỹ thuật
| Điều kiện | New & Original, tested |
|---|---|
| Nước xuất xứ | Contact us |
| Mã đánh dấu | Send by email |
| Kiểu: | Wirewound |
| Lòng khoan dung: | ±20% |
| Gói thiết bị nhà cung cấp: | - |
| Size / Kích thước: | 0.299" L x 0.299" W (7.60mm x 7.60mm) |
| che chắn: | Shielded |
| Loạt: | DR |
| xếp hạng: | - |
| Q @ Freq: | - |
| Bao bì: | Tape & Reel (TR) |
| Gói / Case: | Nonstandard |
| Vài cái tên khác: | 513-1130-2 DR73-1R0 DR73-1R0-ND DR731R0R |
| Nhiệt độ hoạt động: | -40°C ~ 125°C |
| gắn Loại: | Surface Mount |
| Độ nhạy độ ẩm (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Vật liệu - Core: | Ferrite |
| Thời gian chuẩn của nhà sản xuất: | 12 Weeks |
| Tình trạng miễn phí / Tình trạng RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Tần số cảm - Kiểm tra: | 100kHz |
| cảm: | 1µH |
| Chiều cao - Ngồi (Max): | 0.140" (3.55mm) |
| Tần số - Tự Resonant: | - |
| miêu tả cụ thể: | 1µH Shielded Wirewound Inductor 5.28A 10.2 mOhm Nonstandard |
| DC Resistance (DCR): | 10.2 mOhm |
| Đánh giá hiện tại: | 5.28A |
| Hiện tại - Saturation: | 7.97A |
| Email: | [email protected] |
bộ phận liên quan cho DR73-1R0-R
Latest Tin tức
- Ansonmei đã đưa ra một cảm biến vị trí cảm ứng cho thị trường công nghiệp và giao thông
- Ruisa bắt đầu nhà máy cũ để tăng thiết bị điện, trận động đất ảnh hưởng đến sản lượng DRAM
- Microchip cho phép năng lực sản xuất của TSMC và tăng giá
- Ruisa đã ra mắt mục RA0 Sê -ri mới
- Melexis ra mắt một con chip chuyển đổi cuộn cảm đầy đủ
- X-Fab giới thiệu công nghệ chiếu sáng cảm biến hình ảnh để tăng cường hiệu suất cảm biến CMOS
- Nhà máy chip lớn bị ảnh hưởng bởi trận động đất: TSMC ngừng hoạt động khẩn cấp, làm trầm trọng thêm nguồn cung GPU trong nguồn cung ngắn?
- Bộ nhớ flash NAND tiếp tục, MCU Destocking bottom là đúng
- Dưới cửa hàng AI Air, hai người khổng lồ chip chính là "không mạnh": phá vỡ tiền để phá vỡ trò chơi, đặt cược vào năm 2025 các trận chiến đội
- Toshiba ra mắt trình điều khiển cổng sê -ri SmartMCD IC với bộ vi điều khiển nhúng
- Samsung: Đối mặt với thách thức của hai lĩnh vực chính, gây quỹ để phá vỡ tình hình
- Lắp ráp rìa trưởng thành làm giảm giá một lần nữa, Samsung độc lập với bộ nhớ NVIDIA HBM3E