CWR26HK226MCGZ\TR hiện có sẵn!Công nghệ LYNTEAM là nhà phân phối stocking cho CWR26HK226MCGZ\TR, chúng tôi có cổ phiếu để vận chuyển ngay lập tức và cũng có sẵn để cung cấp thời gian dài.Vui lòng gửi cho chúng tôi gói mua hàng của bạn cho CWR26HK226MCGZ\TR qua email, chúng tôi sẽ cung cấp cho bạn một mức giá tốt nhất theo kế hoạch của bạn.
Mua CWR26HK226MCGZ\TR với LYNTEAM, tiết kiệm tiền và thời gian của bạn.
Email của chúng tôi: [email protected]
CWR26HK226MCGZ\TR
- Số Phần:
- CWR26HK226MCGZ\TR
- nhà chế tạo:
- Electro-Films (EFI) / Vishay
- Sự miêu tả:
- CAP TANT 22UF 20% 15V 2711
- Tình trạng không có chì:
- Không có chì / tuân thủ RoHS
- Số lượng cổ phiếu:
- 59817 Pieces
- Thời gian giao hàng:
- 1-2 days
- Thời gian dẫn:
- 4-8 weeks
- Bảng dữliệu:
- CWR26HK226MCGZ\TR.pdf
Giới thiệu
Thông số kỹ thuật
| Điều kiện | New & Original, tested |
|---|---|
| Nước xuất xứ | Contact us |
| Mã đánh dấu | Send by email |
| Voltage - Xếp hạng: | 15V |
| Kiểu: | Conformal Coated |
| Lòng khoan dung: | ±20% |
| Size / Kích thước: | 0.265" L x 0.110" W (6.73mm x 2.79mm) |
| Loạt: | Military, MIL-PRF-55365/13, CWR26 |
| Bao bì: | Tape & Reel (TR) |
| Gói / Case: | 2711 (6728 Metric) |
| Vài cái tên khác: | CWR26HK226MCGZ\TR-MIL |
| Nhiệt độ hoạt động: | -55°C ~ 125°C |
| gắn Loại: | Surface Mount |
| Độ nhạy độ ẩm (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Thời gian chuẩn của nhà sản xuất: | 15 Weeks |
| Nhà sản xuất Kích Mã: | G |
| Lifetime @ Temp.: | - |
| Spacing chì: | - |
| Tình trạng miễn phí / Tình trạng RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Chiều cao - Ngồi (Max): | 0.125" (3.17mm) |
| Tính năng: | Military |
| Tỷ lệ thất bại: | C (0.01%) |
| ESR (tương đương Series kháng): | 275 mOhm |
| miêu tả cụ thể: | 22µF Conformal Coated Tantalum Capacitors 15V 2711 (6728 Metric) 275 mOhm |
| Điện dung: | 22µF |
| Email: | [email protected] |
bộ phận liên quan cho CWR26HK226MCGZ\TR
Latest Tin tức
- Ansonmei đã đưa ra một cảm biến vị trí cảm ứng cho thị trường công nghiệp và giao thông
- Ruisa bắt đầu nhà máy cũ để tăng thiết bị điện, trận động đất ảnh hưởng đến sản lượng DRAM
- Microchip cho phép năng lực sản xuất của TSMC và tăng giá
- Ruisa đã ra mắt mục RA0 Sê -ri mới
- Melexis ra mắt một con chip chuyển đổi cuộn cảm đầy đủ
- X-Fab giới thiệu công nghệ chiếu sáng cảm biến hình ảnh để tăng cường hiệu suất cảm biến CMOS
- Nhà máy chip lớn bị ảnh hưởng bởi trận động đất: TSMC ngừng hoạt động khẩn cấp, làm trầm trọng thêm nguồn cung GPU trong nguồn cung ngắn?
- Bộ nhớ flash NAND tiếp tục, MCU Destocking bottom là đúng
- Dưới cửa hàng AI Air, hai người khổng lồ chip chính là "không mạnh": phá vỡ tiền để phá vỡ trò chơi, đặt cược vào năm 2025 các trận chiến đội
- Toshiba ra mắt trình điều khiển cổng sê -ri SmartMCD IC với bộ vi điều khiển nhúng
- Samsung: Đối mặt với thách thức của hai lĩnh vực chính, gây quỹ để phá vỡ tình hình
- Lắp ráp rìa trưởng thành làm giảm giá một lần nữa, Samsung độc lập với bộ nhớ NVIDIA HBM3E