CIL21NR12KNE hiện có sẵn!Công nghệ LYNTEAM là nhà phân phối stocking cho CIL21NR12KNE, chúng tôi có cổ phiếu để vận chuyển ngay lập tức và cũng có sẵn để cung cấp thời gian dài.Vui lòng gửi cho chúng tôi gói mua hàng của bạn cho CIL21NR12KNE qua email, chúng tôi sẽ cung cấp cho bạn một mức giá tốt nhất theo kế hoạch của bạn.
Mua CIL21NR12KNE với LYNTEAM, tiết kiệm tiền và thời gian của bạn.
Email của chúng tôi: [email protected]
CIL21NR12KNE
- Số Phần:
- CIL21NR12KNE
- nhà chế tạo:
- Samsung Electro-Mechanics America, Inc.
- Sự miêu tả:
- FIXD IND 120NH 250MA 200MOHM SMD
- Tình trạng không có chì:
- Không có chì / tuân thủ RoHS
- Số lượng cổ phiếu:
- 48944 Pieces
- Thời gian giao hàng:
- 1-2 days
- Thời gian dẫn:
- 4-8 weeks
- Bảng dữliệu:
- CIL21NR12KNE.pdf
Giới thiệu
Thông số kỹ thuật
| Điều kiện | New & Original, tested |
|---|---|
| Nước xuất xứ | Contact us |
| Mã đánh dấu | Send by email |
| Kiểu: | - |
| Lòng khoan dung: | ±10% |
| Gói thiết bị nhà cung cấp: | 0805 (2012 Metric) |
| Size / Kích thước: | 0.079" L x 0.049" W (2.00mm x 1.25mm) |
| che chắn: | Shielded |
| Loạt: | CIL21 |
| xếp hạng: | - |
| Q @ Freq: | 20 @ 25MHz |
| Gói / Case: | 0805 (2012 Metric) |
| Nhiệt độ hoạt động: | -40°C ~ 85°C |
| gắn Loại: | Surface Mount |
| Vật liệu - Core: | Ferrite |
| Tình trạng miễn phí / Tình trạng RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Tần số cảm - Kiểm tra: | 25MHz |
| cảm: | 120nH |
| Chiều cao - Ngồi (Max): | 0.041" (1.05mm) |
| Tần số - Tự Resonant: | 220MHz |
| Tính năng: | - |
| miêu tả cụ thể: | 120nH Shielded Inductor 250mA 200 mOhm Max 0805 (2012 Metric) |
| DC Resistance (DCR): | 200 mOhm Max |
| Đánh giá hiện tại: | 250mA |
| Hiện tại - Saturation: | - |
| Email: | [email protected] |
bộ phận liên quan cho CIL21NR12KNE
Latest Tin tức
- Ansonmei đã đưa ra một cảm biến vị trí cảm ứng cho thị trường công nghiệp và giao thông
- Ruisa bắt đầu nhà máy cũ để tăng thiết bị điện, trận động đất ảnh hưởng đến sản lượng DRAM
- Microchip cho phép năng lực sản xuất của TSMC và tăng giá
- Ruisa đã ra mắt mục RA0 Sê -ri mới
- Melexis ra mắt một con chip chuyển đổi cuộn cảm đầy đủ
- X-Fab giới thiệu công nghệ chiếu sáng cảm biến hình ảnh để tăng cường hiệu suất cảm biến CMOS
- Nhà máy chip lớn bị ảnh hưởng bởi trận động đất: TSMC ngừng hoạt động khẩn cấp, làm trầm trọng thêm nguồn cung GPU trong nguồn cung ngắn?
- Bộ nhớ flash NAND tiếp tục, MCU Destocking bottom là đúng
- Dưới cửa hàng AI Air, hai người khổng lồ chip chính là "không mạnh": phá vỡ tiền để phá vỡ trò chơi, đặt cược vào năm 2025 các trận chiến đội
- Toshiba ra mắt trình điều khiển cổng sê -ri SmartMCD IC với bộ vi điều khiển nhúng
- Samsung: Đối mặt với thách thức của hai lĩnh vực chính, gây quỹ để phá vỡ tình hình
- Lắp ráp rìa trưởng thành làm giảm giá một lần nữa, Samsung độc lập với bộ nhớ NVIDIA HBM3E