CDR04BP182BJZSAT hiện có sẵn!Công nghệ LYNTEAM là nhà phân phối stocking cho CDR04BP182BJZSAT, chúng tôi có cổ phiếu để vận chuyển ngay lập tức và cũng có sẵn để cung cấp thời gian dài.Vui lòng gửi cho chúng tôi gói mua hàng của bạn cho CDR04BP182BJZSAT qua email, chúng tôi sẽ cung cấp cho bạn một mức giá tốt nhất theo kế hoạch của bạn.
Mua CDR04BP182BJZSAT với LYNTEAM, tiết kiệm tiền và thời gian của bạn.
Email của chúng tôi: [email protected]
CDR04BP182BJZSAT
- Số Phần:
- CDR04BP182BJZSAT
- nhà chế tạo:
- Electro-Films (EFI) / Vishay
- Sự miêu tả:
- CAP CER 1800PF 100V 5% BP 1812
- Tình trạng không có chì:
- Chứa chì / RoHS không tuân thủ
- Số lượng cổ phiếu:
- 54101 Pieces
- Thời gian giao hàng:
- 1-2 days
- Thời gian dẫn:
- 4-8 weeks
- Bảng dữliệu:
- CDR04BP182BJZSAT.pdf
Giới thiệu
Thông số kỹ thuật
| Điều kiện | New & Original, tested |
|---|---|
| Nước xuất xứ | Contact us |
| Mã đánh dấu | Send by email |
| Voltage - Xếp hạng: | 100V |
| Lòng khoan dung: | ±5% |
| Độ dày (Max): | 0.080" (2.03mm) |
| Hệ số nhiệt độ: | BP |
| Size / Kích thước: | 0.180" L x 0.126" W (4.57mm x 3.20mm) |
| Loạt: | Military, MIL-PRF-55681, CDR04 |
| xếp hạng: | - |
| Bao bì: | Tape & Reel (TR) |
| Gói / Case: | 1812 (4532 Metric) |
| Vài cái tên khác: | CDR04BP182BJZSAT-MIL |
| Nhiệt độ hoạt động: | -55°C ~ 125°C |
| gắn Loại: | Surface Mount, MLCC |
| Độ nhạy độ ẩm (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Thời gian chuẩn của nhà sản xuất: | 32 Weeks |
| Chì Phong cách: | - |
| Spacing chì: | - |
| Tình trạng miễn phí / Tình trạng RoHS: | Contains lead / RoHS non-compliant |
| Chiều cao - Ngồi (Max): | - |
| Tính năng: | - |
| Tỷ lệ thất bại: | S (0.001%) |
| miêu tả cụ thể: | 1800pF ±5% 100V Ceramic Capacitor BP 1812 (4532 Metric) |
| Điện dung: | 1800pF |
| Các ứng dụng: | General Purpose |
| Email: | [email protected] |
bộ phận liên quan cho CDR04BP182BJZSAT
Latest Tin tức
- Ansonmei đã đưa ra một cảm biến vị trí cảm ứng cho thị trường công nghiệp và giao thông
- Ruisa bắt đầu nhà máy cũ để tăng thiết bị điện, trận động đất ảnh hưởng đến sản lượng DRAM
- Microchip cho phép năng lực sản xuất của TSMC và tăng giá
- Ruisa đã ra mắt mục RA0 Sê -ri mới
- Melexis ra mắt một con chip chuyển đổi cuộn cảm đầy đủ
- X-Fab giới thiệu công nghệ chiếu sáng cảm biến hình ảnh để tăng cường hiệu suất cảm biến CMOS
- Nhà máy chip lớn bị ảnh hưởng bởi trận động đất: TSMC ngừng hoạt động khẩn cấp, làm trầm trọng thêm nguồn cung GPU trong nguồn cung ngắn?
- Bộ nhớ flash NAND tiếp tục, MCU Destocking bottom là đúng
- Dưới cửa hàng AI Air, hai người khổng lồ chip chính là "không mạnh": phá vỡ tiền để phá vỡ trò chơi, đặt cược vào năm 2025 các trận chiến đội
- Toshiba ra mắt trình điều khiển cổng sê -ri SmartMCD IC với bộ vi điều khiển nhúng
- Samsung: Đối mặt với thách thức của hai lĩnh vực chính, gây quỹ để phá vỡ tình hình
- Lắp ráp rìa trưởng thành làm giảm giá một lần nữa, Samsung độc lập với bộ nhớ NVIDIA HBM3E