IPB100N06S3L-04 şimdi kullanılabilir!LYNTEAM teknolojisi, IPB100N06S3L-04 için stoklama distribütörüdür, acil nakliye için hisse senetleri var ve ayrıca uzun süre tedarik için de mevcut.Lütfen bize IPB100N06S3L-04 için satın alma planınızı e-posta yoluyla gönderin, planınıza göre size en iyi fiyat vereceğiz.
IPB100N06S3L-04 LYNTEAM ile satın alın, paranızı ve zamanınızı kaydedin.
E-postamız: [email protected]
IPB100N06S3L-04
- Parça Numarası:
- IPB100N06S3L-04
- Üretici firma:
- International Rectifier (Infineon Technologies)
- Açıklama:
- MOSFET N-CH 55V 100A TO-263
- Kurşunsuz Durumu:
- Kurşunsuz / RoHS Uyumlu
- Stok miktarı:
- 51996 Pieces
- Teslimat süresi:
- 1-2 days
- Teslim süresi:
- 4-8 weeks
- Veri Sayfası:
- IPB100N06S3L-04.pdf
Giriş
Özellikler
| Şart | New & Original, tested |
|---|---|
| Menşei ülke | Contact us |
| İşaretleme kodu | Send by email |
| Id @ Vgs (th) (Max): | 2.2V @ 150µA |
| Vgs (Maks.): | ±16V |
| teknoloji: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Tedarikçi Cihaz Paketi: | PG-TO263-3-2 |
| Dizi: | OptiMOS™ |
| Id, VGS @ rds On (Max): | 3.5 mOhm @ 80A, 10V |
| Güç Tüketimi (Max): | 214W (Tc) |
| paketleme: | Tape & Reel (TR) |
| Paket / Kutu: | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Diğer isimler: | IPB100N06S3L-04-ND IPB100N06S3L-04INTR IPB100N06S3L04XT SP000102219 |
| Çalışma sıcaklığı: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| bağlantı Tipi: | Surface Mount |
| Nem Hassasiyeti Seviyesi (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Kurşunsuz Durum / RoHS Durumu: | Lead free / RoHS Compliant |
| Giriş Kapasitesi (Ciss) (Max) @ Vds: | 17270pF @ 25V |
| Gate Charge (Qg) (Maks) @ Vgs: | 362nC @ 10V |
| FET Tipi: | N-Channel |
| FET Özelliği: | - |
| Sürücü Gerilimi (Maks Rd, Min Rd Salı): | 5V, 10V |
| Kaynak Gerilim boşaltın (VDSlerin): | 55V |
| Detaylı Açıklama: | N-Channel 55V 100A (Tc) 214W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3-2 |
| Akım - 25 ° C'de Sürekli Boşaltma (Id): | 100A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
IPB100N06S3L-04 için ilgili parçalar
Latest Haberleri
- Ansonmei, Endüstriyel ve Ulaşım Pazarı için bir endüktif konum sensörü başlattı
- Ruisa, güç cihazını artırmak için eski fabrikayı başlatır, deprem DRAM çıkışını hafifçe etkiler
- Microchip, TSMC'nin üretim kapasitesini sağlar ve fiyat artışlarını artırır
- Ruisa yeni RA0 Serisi Ultra -Low Power Giriş -Level MCU'yu başlattı
- Melexis tam entegre bir indüktör anahtarı çipini başlattı
- X-FAB, CMOS sensörü performansını artırmak için görüntü sensörü geri aydınlatma teknolojisini tanıttı
- Büyük çip fabrikası depremden etkilendi: TSMC acilen çalışmayı bıraktı, GPU arzını kısa sürede şiddetlendirdi mi?
- NAND Flash Bellek devam ediyor, MCU Destacturing Dip Doğru
- AI Air Outlet'in altında, iki büyük çip devi "güçlü değil": Oyunu kırmak için parayı parçalamak, 2025 Takım Savaşları'nda bahis
- Toshiba, gömülü mikrodenetleyiciyle SmartMCD Serisi Gate Driver IC'yi başlattı
- Samsung: İki büyük alanın zorluğuyla yüzleşin, durumu kırmak için fon toplayın
- Olgun marj dökümhanesi fiyatı tekrar azaltır, Samsung Nvidia HBM3E belleğinden bağımsızdır