UPR40/TR7 พร้อมใช้งานแล้ว!LYNTEAM Technology เป็นผู้จัดจำหน่ายถุงน่องสำหรับ UPR40/TR7 เรามีสต็อกสำหรับการจัดส่งทันทีและมีให้สำหรับการจัดหาเป็นเวลานานกรุณาส่งแผนการซื้อของคุณสำหรับ UPR40/TR7 ทางอีเมลเราจะให้ราคาที่ดีที่สุดตามแผนของคุณ
ซื้อ UPR40/TR7 ด้วย LYNTEAM ประหยัดเงินและเวลาของคุณ
อีเมลของเรา: [email protected]
UPR40/TR7
- รุ่นผลิตภัณฑ์:
- UPR40/TR7
- ผู้ผลิต:
- Microsemi
- ลักษณะ:
- DIODE GEN PURP 400V 2A POWERMITE
- สถานะตะกั่วฟรี:
- ประกอบด้วยสารตะกั่ว / ไม่เป็นไปตามข้อกำหนด RoHS
- ปริมาณสต็อค:
- 40139 Pieces
- เวลาจัดส่ง:
- 1-2 days
- เวลานำ:
- 4-8 weeks
- แผ่นข้อมูล:
- UPR40/TR7.pdf
บทนำ
ขนาด
| เงื่อนไข | New & Original, tested |
|---|---|
| ประเทศต้นกำเนิด | Contact us |
| รหัสการทำเครื่องหมาย | Send by email |
| แรงดันไฟฟ้า - ยอดย้อนกลับ (สูงสุด): | Standard |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก: | 2A |
| แรงดันไฟฟ้า - พังทลาย: | Powermite |
| ชุด: | - |
| สถานะ RoHS: | Tape & Reel (TR) |
| ย้อนกลับเวลาการกู้คืน (TRR): | Fast Recovery = 200mA (Io) |
| ต้านทาน @ ถ้า F: | - |
| โพลาไรซ์: | DO-216AA |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction: | 50ns |
| ประเภทการติดตั้ง: | Surface Mount |
| ระดับความไวของความชื้น (MSL): | 1 (Unlimited) |
| ระยะเวลารอคอยของผู้ผลิตมาตรฐาน: | 14 Weeks |
| หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต: | UPR40/TR7 |
| ขยายคำอธิบาย: | Diode Standard 400V 2A Surface Mount Powermite |
| การกำหนดค่าไดโอด: | 10µA @ 400V |
| ลักษณะ: | DIODE GEN PURP 400V 2A POWERMITE |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr: | 1.25V @ 1A |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) (ต่อ Diode): | 400V |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F: | -55°C ~ 150°C |
| Email: | [email protected] |
ชิ้นส่วนที่เกี่ยวข้องกับการ UPR40/TR7
| ภาพ | รุ่นผลิตภัณฑ์ | ผู้ผลิต | ลักษณะ | ดู |
|---|---|---|---|---|
 |
UPR20E3/TR7 | Microsemi | DIODE GEN PURP 200V 2A POWERMITE | การสอบสวน |
|
UPR20/TR7 | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 200V 2A POWERMITE | การสอบสวน |
|
UPR20E3/TR13 | Microsemi | DIODE GEN PURP 200V 2A POWERMITE | การสอบสวน |
|
UPR40E3/TR7 | Microsemi | DIODE GEN PURP 400V 2A POWERMITE | การสอบสวน |
|
UPR30/TR13 | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 300V 2A POWERMITE | การสอบสวน |
|
UPR40E3/TR13 | Microsemi | DIODE GEN PURP 400V 2A POWERMITE | การสอบสวน |
|
UPR5E3/TR13 | Microsemi | DIODE GEN PURP 50V 2.5A DO216 | การสอบสวน |
|
UPR30E3/TR7 | Microsemi | DIODE GEN PURP 300V 2A POWERMITE | การสอบสวน |
|
UPR5/TR7 | Microsemi | DIODE GEN PURP 50V 2.5A DO216 | การสอบสวน |
|
UPR20/TR13 | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 200V 2A POWERMITE | การสอบสวน |
|
UPR30/TR7 | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 300V 2A POWERMITE | การสอบสวน |
|
UPR40/TR13 | Microsemi | DIODE GEN PURP 400V 2A POWERMITE | การสอบสวน |
|
UPR30E3/TR13 | Microsemi | DIODE GEN PURP 300V 2A POWERMITE | การสอบสวน |
|
UPR5/TR13 | Microsemi | DIODE GEN PURP 50V 2.5A DO216 | การสอบสวน |
|
UPR60/TR7 | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 600V 2A POWERMITE | การสอบสวน |
|
UPR60E3/TR13 | Microsemi | DIODE GEN PURP 600V 2A POWERMITE | การสอบสวน |
|
UPR15E3/TR7 | Microsemi | DIODE GEN PURP 150V 2.5A DO216 | การสอบสวน |
|
UPR60/TR13 | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 600V 2A POWERMITE | การสอบสวน |
|
UPR5E3/TR7 | Microsemi | DIODE GEN PURP 50V 2.5A DO216 | การสอบสวน |
|
UPR60E3/TR7 | Microsemi | DIODE GEN PURP 600V 2A POWERMITE | การสอบสวน |
ข่าว Latest
- Melexis เปิดตัว MLX90427: การควบคุมสายไปยังตัวเลือกใหม่ปลอดภัยมีประสิทธิภาพและประหยัด
- รายงานทางการเงินของ NXP และ Ansonmei ประกาศและราคาของราคาทองแดงจะถูกส่งไปยังอุตสาหกรรม IC
- Moels Micro Electronics ได้จัดตั้งสำนักงานใหม่ในไต้หวันประเทศจีนเพื่อขยายอาณาเขตธุรกิจ
- ประสิทธิภาพของ Texas Instruments ยังคงเพิ่มขึ้นและโรงงานจัดเก็บข้อมูลสองแห่งผลักดันผลิตภัณฑ์หน่วยความจำแฟลชใหม่
- รายงานทางการเงินในไตรมาสแรกของ SEF Semiconductor (ST) ลดลงและความต้องการรถยนต์ก็ชะลอตัวลง
- ประสิทธิภาพของ Texas Instruments ยังคงเพิ่มขึ้นและโรงงานจัดเก็บข้อมูลสองแห่งผลักดันผลิตภัณฑ์หน่วยความจำแฟลชใหม่
- ปริมาณชิปสำหรับผู้ใหญ่ในท้องถิ่นความสามารถในการผลิตหน่วยความจำ Samsung Nand Flash ใกล้โหลด
- Vishay เปิดตัวบรรจุภัณฑ์ขนาดเล็กความสว่างสูงสีน้ำเงินและสีเขียวบริสุทธิ์บริสุทธิ์
- Ansonmei เปิดตัวเซ็นเซอร์ตำแหน่งอุปนัยสำหรับตลาดอุตสาหกรรมและการขนส่ง
- Ruisa เริ่มต้นโรงงานเก่าเพื่อเพิ่มอุปกรณ์พลังงานแผ่นดินไหวส่งผลกระทบต่อการส่งออก DRAM เล็กน้อย
- Microchip ช่วยให้กำลังการผลิตของ TSMC และเพิ่มราคาเพิ่มขึ้น
- Ruisa เปิดตัว RA0 ซีรี่ส์ใหม่ Ultra -low Power Entry -level MCU