TNPW201030K5BEEY พร้อมใช้งานแล้ว!LYNTEAM Technology เป็นผู้จัดจำหน่ายถุงน่องสำหรับ TNPW201030K5BEEY เรามีสต็อกสำหรับการจัดส่งทันทีและมีให้สำหรับการจัดหาเป็นเวลานานกรุณาส่งแผนการซื้อของคุณสำหรับ TNPW201030K5BEEY ทางอีเมลเราจะให้ราคาที่ดีที่สุดตามแผนของคุณ
ซื้อ TNPW201030K5BEEY ด้วย LYNTEAM ประหยัดเงินและเวลาของคุณ
อีเมลของเรา: [email protected]
TNPW201030K5BEEY
- รุ่นผลิตภัณฑ์:
- TNPW201030K5BEEY
- ผู้ผลิต:
- Dale / Vishay
- ลักษณะ:
- RES SMD 30.5K OHM 0.1% 0.4W 2010
- สถานะตะกั่วฟรี:
- ปราศจากสารตะกั่ว / เป็นไปตาม RoHS
- ปริมาณสต็อค:
- 20870 Pieces
- เวลาจัดส่ง:
- 1-2 days
- เวลานำ:
- 4-8 weeks
- แผ่นข้อมูล:
- TNPW201030K5BEEY.pdf
บทนำ
ขนาด
| เงื่อนไข | New & Original, tested |
|---|---|
| ประเทศต้นกำเนิด | Contact us |
| รหัสการทำเครื่องหมาย | Send by email |
| อัตราส่วนแรงดันไฟฟ้า - AC: | - |
| แรงดันไฟฟ้า - การทำงาน: | 0.4W |
| แรงดันไฟฟ้า - พังทลาย: | 2010 |
| ความหนา (สูงสุด): | ±25ppm/°C |
| ขนาด / มิติ: | 0.197" L x 0.098" W (5.00mm x 2.50mm) |
| ชุด: | TNPW |
| สถานะ RoHS: | Tape & Reel (TR) |
| โพลาไรซ์: | 2010 (5025 Metric) |
| อุณหภูมิในการทำงาน: | -55°C ~ 125°C |
| ระดับความไวของความชื้น (MSL): | 1 (Unlimited) |
| หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต: | TNPW201030K5BEEY |
| ความสูง - นั่ง (สูงสุด): | 0.030" (0.75mm) |
| คุณลักษณะเด่น: | Moisture Resistant |
| FIFO ของ: | 2 |
| ขยายคำอธิบาย: | 30.5k Ohm ±0.1% 0.4W Chip Resistor 2010 (5025 Metric) Moisture Resistant Thin Film |
| ESR (ต้านทานอนุกรมเทียบเท่า): | ±0.1% |
| ลักษณะ: | RES SMD 30.5K OHM 0.1% 0.4W 2010 |
| เคลือบประเภทที่อยู่อาศัย: | Thin Film |
| แบนด์วิดธ์: | 30.5k |
| Email: | [email protected] |
ชิ้นส่วนที่เกี่ยวข้องกับการ TNPW201030K5BEEY
ข่าว Latest
- ทำความเข้าใจกับความต้องการของ ADAS และระบบตรวจสอบห้องโดยสารสำหรับเซ็นเซอร์ภาพความปลอดภัยเครือข่าย
- มีข่าวลือว่า Samsung และ SK Hynix หยุด DDR3 และใบเสนอราคาโปรโมชั่นเพิ่มขึ้น 20 %
- Melexis เปิดตัว MLX90427: การควบคุมสายไปยังตัวเลือกใหม่ปลอดภัยมีประสิทธิภาพและประหยัด
- รายงานทางการเงินของ NXP และ Ansonmei ประกาศและราคาของราคาทองแดงจะถูกส่งไปยังอุตสาหกรรม IC
- Moels Micro Electronics ได้จัดตั้งสำนักงานใหม่ในไต้หวันประเทศจีนเพื่อขยายอาณาเขตธุรกิจ
- ประสิทธิภาพของ Texas Instruments ยังคงเพิ่มขึ้นและโรงงานจัดเก็บข้อมูลสองแห่งผลักดันผลิตภัณฑ์หน่วยความจำแฟลชใหม่
- รายงานทางการเงินในไตรมาสแรกของ SEF Semiconductor (ST) ลดลงและความต้องการรถยนต์ก็ชะลอตัวลง
- ประสิทธิภาพของ Texas Instruments ยังคงเพิ่มขึ้นและโรงงานจัดเก็บข้อมูลสองแห่งผลักดันผลิตภัณฑ์หน่วยความจำแฟลชใหม่
- ปริมาณชิปสำหรับผู้ใหญ่ในท้องถิ่นความสามารถในการผลิตหน่วยความจำ Samsung Nand Flash ใกล้โหลด
- Vishay เปิดตัวบรรจุภัณฑ์ขนาดเล็กความสว่างสูงสีน้ำเงินและสีเขียวบริสุทธิ์บริสุทธิ์
- Ansonmei เปิดตัวเซ็นเซอร์ตำแหน่งอุปนัยสำหรับตลาดอุตสาหกรรมและการขนส่ง
- Ruisa เริ่มต้นโรงงานเก่าเพื่อเพิ่มอุปกรณ์พลังงานแผ่นดินไหวส่งผลกระทบต่อการส่งออก DRAM เล็กน้อย