TLE7230RAUMA1 พร้อมใช้งานแล้ว!LYNTEAM Technology เป็นผู้จัดจำหน่ายถุงน่องสำหรับ TLE7230RAUMA1 เรามีสต็อกสำหรับการจัดส่งทันทีและมีให้สำหรับการจัดหาเป็นเวลานานกรุณาส่งแผนการซื้อของคุณสำหรับ TLE7230RAUMA1 ทางอีเมลเราจะให้ราคาที่ดีที่สุดตามแผนของคุณ
ซื้อ TLE7230RAUMA1 ด้วย LYNTEAM ประหยัดเงินและเวลาของคุณ
อีเมลของเรา: [email protected]
TLE7230RAUMA1
- รุ่นผลิตภัณฑ์:
- TLE7230RAUMA1
- ลักษณะ:
- IC SW SMART OCTAL LOWSIDE PDSO36
- สถานะตะกั่วฟรี:
- ปราศจากสารตะกั่ว / เป็นไปตาม RoHS
- ปริมาณสต็อค:
- 29636 Pieces
- เวลาจัดส่ง:
- 1-2 days
- เวลานำ:
- 4-8 weeks
- แผ่นข้อมูล:
- TLE7230RAUMA1.pdf
บทนำ
ขนาด
| เงื่อนไข | New & Original, tested |
|---|---|
| ประเทศต้นกำเนิด | Contact us |
| รหัสการทำเครื่องหมาย | Send by email |
| แรงดันไฟฟ้า - อุปทาน (Vcc / Vdd): | - |
| แรงดันไฟฟ้า - โหลด: | 4.5 V ~ 5.5 V |
| ประเภทสวิทช์: | General Purpose |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ: | PG-DSO-36 |
| ชุด: | - |
| Rds On (Typ): | 800 mOhm |
| อัตราส่วน - การป้อนข้อมูล: เอาท์พุท: | 1:8 |
| บรรจุภัณฑ์: | Tape & Reel (TR) |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์: | 36-BSSOP (0.433", 11.00mm Width) Exposed Pad |
| ประเภทขาออก: | N-Channel |
| การกำหนดค่าเอาท์พุท: | Low Side |
| ชื่ออื่น: | SP000311685 TLE7230R TLE7230R-ND TLE7230RAUMA1TR TLE7230RT TLE7230RT-ND TLE7230RTR TLE7230RTR-ND TLE7230RXT |
| อุณหภูมิในการทำงาน: | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| จำนวนขาออก: | 8 |
| ระดับความไวของความชื้น (MSL): | 3 (168 Hours) |
| ระยะเวลารอคอยของผู้ผลิตมาตรฐาน: | 20 Weeks |
| สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| อินเตอร์เฟซ: | SPI |
| ประเภทขาเข้า: | - |
| คุณลักษณะเด่น: | Status Flag |
| การป้องกันความผิดพลาด: | Open Load Detect, Over Temperature, Over Voltage |
| ปัจจุบัน - เอาท์พุท (สูงสุด): | - |
| หมายเลขชิ้นส่วนพื้นฐาน: | TLE7230 |
| Email: | [email protected] |
ชิ้นส่วนที่เกี่ยวข้องกับการ TLE7230RAUMA1
ข่าว Latest
- Ansonmei เปิดตัวเซ็นเซอร์ตำแหน่งอุปนัยสำหรับตลาดอุตสาหกรรมและการขนส่ง
- Ruisa เริ่มต้นโรงงานเก่าเพื่อเพิ่มอุปกรณ์พลังงานแผ่นดินไหวส่งผลกระทบต่อการส่งออก DRAM เล็กน้อย
- Microchip ช่วยให้กำลังการผลิตของ TSMC และเพิ่มราคาเพิ่มขึ้น
- Ruisa เปิดตัว RA0 ซีรี่ส์ใหม่ Ultra -low Power Entry -level MCU
- Melexis เปิดตัวชิปสวิตช์ตัวเหนี่ยวนำแบบครบวงจร
- X-FAB แนะนำเทคโนโลยีการส่องสว่างเซ็นเซอร์ด้านหลังเพื่อเพิ่มประสิทธิภาพเซ็นเซอร์ CMOS
- โรงงานชิปขนาดใหญ่ได้รับผลกระทบจากแผ่นดินไหว: TSMC หยุดทำงานอย่างเร่งด่วนทำให้การจัดหา GPU รุนแรงขึ้นในระยะสั้นหรือไม่?
- หน่วยความจำแฟลช NAND ยังคงดำเนินต่อไป MCU Destocking Bottom ถูกต้อง
- ภายใต้ AI Air Outlet ยักษ์ใหญ่ชิปสองตัวคือ "ไม่แข็งแกร่ง": ทุบเงินเพื่อทำลายเกมเดิมพันในการต่อสู้ทีม 2025
- Toshiba เปิดตัว SmartMCD Series Gate Driver IC พร้อมไมโครคอนโทรลเลอร์แบบฝังตัว
- Samsung: เผชิญกับความท้าทายของทั้งสองพื้นที่สำคัญระดมทุนเพื่อทำลายสถานการณ์
- Foundry Foundry ที่เป็นผู้ใหญ่ลดราคาอีกครั้ง Samsung เป็นอิสระจากหน่วยความจำ Nvidia HBM3E