TC7WT125FUTE12LF พร้อมใช้งานแล้ว!LYNTEAM Technology เป็นผู้จัดจำหน่ายถุงน่องสำหรับ TC7WT125FUTE12LF เรามีสต็อกสำหรับการจัดส่งทันทีและมีให้สำหรับการจัดหาเป็นเวลานานกรุณาส่งแผนการซื้อของคุณสำหรับ TC7WT125FUTE12LF ทางอีเมลเราจะให้ราคาที่ดีที่สุดตามแผนของคุณ
ซื้อ TC7WT125FUTE12LF ด้วย LYNTEAM ประหยัดเงินและเวลาของคุณ
อีเมลของเรา: [email protected]
TC7WT125FUTE12LF
- รุ่นผลิตภัณฑ์:
- TC7WT125FUTE12LF
- ลักษณะ:
- IC BUS BUFFER DUAL NON-INV SM8
- สถานะตะกั่วฟรี:
- ปราศจากสารตะกั่ว / เป็นไปตาม RoHS
- ปริมาณสต็อค:
- 28597 Pieces
- เวลาจัดส่ง:
- 1-2 days
- เวลานำ:
- 4-8 weeks
- แผ่นข้อมูล:
- TC7WT125FUTE12LF.pdf
บทนำ
ขนาด
| เงื่อนไข | New & Original, tested |
|---|---|
| ประเทศต้นกำเนิด | Contact us |
| รหัสการทำเครื่องหมาย | Send by email |
| แรงดันไฟฟ้า - เกี่ยวกับสถานะ: | 2 |
| แรงดันไฟฟ้า - พังทลาย: | SM8 |
| การจับเวลา: | 6mA, 6mA |
| สไตล์เชลล์: | 4.5 V ~ 5.5 V |
| ชุด: | TC7WT |
| สถานะ RoHS: | Tape & Reel (TR) |
| โพลาไรซ์: | 8-TSSOP, 8-MSOP (0.110", 2.80mm Width) |
| ประเภทขาออก: | Push-Pull |
| ชื่ออื่น: | TC7WT125FU (TE12L,F TC7WT125FU(TE12L,F TC7WT125FU(TE12L,F) TC7WT125FUTE12LFTR TC7WT125FUTFTR TC7WT125FUTFTR-ND |
| อุณหภูมิในการทำงาน: | -40°C ~ 85°C (TA) |
| จำนวนบิตต่อธาตุ: | Buffer, Non-Inverting |
| ประเภทการติดตั้ง: | Surface Mount |
| ระดับความไวของความชื้น (MSL): | 1 (Unlimited) |
| ระยะเวลารอคอยของผู้ผลิตมาตรฐาน: | 11 Weeks |
| หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต: | TC7WT125FUTE12LF |
| ประเภทขาเข้า: | - |
| ขยายคำอธิบาย: | Buffer, Non-Inverting Element 1 Bit per Element Push-Pull Output SM8 |
| ลักษณะ: | IC BUS BUFFER DUAL NON-INV SM8 |
| เอาท์พุทสูง, ต่ำ - ปัจจุบัน: | 1 |
| Email: | [email protected] |
ชิ้นส่วนที่เกี่ยวข้องกับการ TC7WT125FUTE12LF
ข่าว Latest
- Moels Micro Electronics ได้จัดตั้งสำนักงานใหม่ในไต้หวันประเทศจีนเพื่อขยายอาณาเขตธุรกิจ
- ประสิทธิภาพของ Texas Instruments ยังคงเพิ่มขึ้นและโรงงานจัดเก็บข้อมูลสองแห่งผลักดันผลิตภัณฑ์หน่วยความจำแฟลชใหม่
- รายงานทางการเงินในไตรมาสแรกของ SEF Semiconductor (ST) ลดลงและความต้องการรถยนต์ก็ชะลอตัวลง
- ประสิทธิภาพของ Texas Instruments ยังคงเพิ่มขึ้นและโรงงานจัดเก็บข้อมูลสองแห่งผลักดันผลิตภัณฑ์หน่วยความจำแฟลชใหม่
- ปริมาณชิปสำหรับผู้ใหญ่ในท้องถิ่นความสามารถในการผลิตหน่วยความจำ Samsung Nand Flash ใกล้โหลด
- Vishay เปิดตัวบรรจุภัณฑ์ขนาดเล็กความสว่างสูงสีน้ำเงินและสีเขียวบริสุทธิ์บริสุทธิ์
- Ansonmei เปิดตัวเซ็นเซอร์ตำแหน่งอุปนัยสำหรับตลาดอุตสาหกรรมและการขนส่ง
- Ruisa เริ่มต้นโรงงานเก่าเพื่อเพิ่มอุปกรณ์พลังงานแผ่นดินไหวส่งผลกระทบต่อการส่งออก DRAM เล็กน้อย
- Microchip ช่วยให้กำลังการผลิตของ TSMC และเพิ่มราคาเพิ่มขึ้น
- Ruisa เปิดตัว RA0 ซีรี่ส์ใหม่ Ultra -low Power Entry -level MCU
- Melexis เปิดตัวชิปสวิตช์ตัวเหนี่ยวนำแบบครบวงจร
- X-FAB แนะนำเทคโนโลยีการส่องสว่างเซ็นเซอร์ด้านหลังเพื่อเพิ่มประสิทธิภาพเซ็นเซอร์ CMOS