T75S1D112-12 พร้อมใช้งานแล้ว!LYNTEAM Technology เป็นผู้จัดจำหน่ายถุงน่องสำหรับ T75S1D112-12 เรามีสต็อกสำหรับการจัดส่งทันทีและมีให้สำหรับการจัดหาเป็นเวลานานกรุณาส่งแผนการซื้อของคุณสำหรับ T75S1D112-12 ทางอีเมลเราจะให้ราคาที่ดีที่สุดตามแผนของคุณ
ซื้อ T75S1D112-12 ด้วย LYNTEAM ประหยัดเงินและเวลาของคุณ
อีเมลของเรา: [email protected]
T75S1D112-12
- รุ่นผลิตภัณฑ์:
- T75S1D112-12
- ลักษณะ:
- RELAY GEN PURPOSE SPST 14A 12V
- สถานะตะกั่วฟรี:
- ประกอบด้วยตะกั่ว / RoHS Compliant
- ปริมาณสต็อค:
- 31388 Pieces
- เวลาจัดส่ง:
- 1-2 days
- เวลานำ:
- 4-8 weeks
- แผ่นข้อมูล:
- T75S1D112-12.pdf
บทนำ
ขนาด
| เงื่อนไข | New & Original, tested |
|---|---|
| ประเทศต้นกำเนิด | Contact us |
| รหัสการทำเครื่องหมาย | Send by email |
| แรงดันไฟฟ้า - DC Spark กว่า (Nom): | Silver Cadmium Oxide (AgCdO) |
| เปิดแรงดัน (สูงสุด): | 380VAC - Max |
| ปิดแรงดัน (ต่ำสุด): | 8.5 VDC |
| ระยะเวลาวิธีการปรับแต่ง: | General Purpose |
| รูปแบบการสิ้นสุด: | PC Pin |
| แรงดันไฟฟ้าสลับ: | 14A |
| ขั้นตอนต่อการปฏิวัติ: | Non Latching |
| ชุด: | T75 |
| Rotor Inertia: | 650 Ohms |
| สถานะ RoHS: | Tube |
| เวลาปล่อย: | 6ms |
| ชื่ออื่น: | 2-1393222-9 |
| อุณหภูมิในการทำงาน: | -40°C ~ 130°C |
| เวลาทำงาน: | 1.2 VDC |
| ประเภทการติดตั้ง: | Through Hole |
| ระยะเวลารอคอยของผู้ผลิตมาตรฐาน: | 15 Weeks |
| หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต: | T75S1D112-12 |
| กระแสโหลด: | 230 mW |
| คุณลักษณะเด่น: | Sealed - Fully |
| ขยายคำอธิบาย: | General Purpose Relay SPST-NO (1 Form A) 12VDC Coil Through Hole |
| ลักษณะ: | RELAY GEN PURPOSE SPST 14A 12V |
| พิกัด (ปัจจุบัน): | 12VDC |
| ขดลวดแรงดันไฟฟ้า: | 18.5mA |
| ขดลวดไฟฟ้า: | 3ms |
| ระยะห่างของ Backset: | SPST-NO (1 Form A) |
| Email: | [email protected] |
ชิ้นส่วนที่เกี่ยวข้องกับการ T75S1D112-12
ข่าว Latest
- รายงานทางการเงินของ NXP และ Ansonmei ประกาศและราคาของราคาทองแดงจะถูกส่งไปยังอุตสาหกรรม IC
- Moels Micro Electronics ได้จัดตั้งสำนักงานใหม่ในไต้หวันประเทศจีนเพื่อขยายอาณาเขตธุรกิจ
- ประสิทธิภาพของ Texas Instruments ยังคงเพิ่มขึ้นและโรงงานจัดเก็บข้อมูลสองแห่งผลักดันผลิตภัณฑ์หน่วยความจำแฟลชใหม่
- รายงานทางการเงินในไตรมาสแรกของ SEF Semiconductor (ST) ลดลงและความต้องการรถยนต์ก็ชะลอตัวลง
- ประสิทธิภาพของ Texas Instruments ยังคงเพิ่มขึ้นและโรงงานจัดเก็บข้อมูลสองแห่งผลักดันผลิตภัณฑ์หน่วยความจำแฟลชใหม่
- ปริมาณชิปสำหรับผู้ใหญ่ในท้องถิ่นความสามารถในการผลิตหน่วยความจำ Samsung Nand Flash ใกล้โหลด
- Vishay เปิดตัวบรรจุภัณฑ์ขนาดเล็กความสว่างสูงสีน้ำเงินและสีเขียวบริสุทธิ์บริสุทธิ์
- Ansonmei เปิดตัวเซ็นเซอร์ตำแหน่งอุปนัยสำหรับตลาดอุตสาหกรรมและการขนส่ง
- Ruisa เริ่มต้นโรงงานเก่าเพื่อเพิ่มอุปกรณ์พลังงานแผ่นดินไหวส่งผลกระทบต่อการส่งออก DRAM เล็กน้อย
- Microchip ช่วยให้กำลังการผลิตของ TSMC และเพิ่มราคาเพิ่มขึ้น
- Ruisa เปิดตัว RA0 ซีรี่ส์ใหม่ Ultra -low Power Entry -level MCU
- Melexis เปิดตัวชิปสวิตช์ตัวเหนี่ยวนำแบบครบวงจร