SN74LVC2G34DRLR พร้อมใช้งานแล้ว!LYNTEAM Technology เป็นผู้จัดจำหน่ายถุงน่องสำหรับ SN74LVC2G34DRLR เรามีสต็อกสำหรับการจัดส่งทันทีและมีให้สำหรับการจัดหาเป็นเวลานานกรุณาส่งแผนการซื้อของคุณสำหรับ SN74LVC2G34DRLR ทางอีเมลเราจะให้ราคาที่ดีที่สุดตามแผนของคุณ
ซื้อ SN74LVC2G34DRLR ด้วย LYNTEAM ประหยัดเงินและเวลาของคุณ
อีเมลของเรา: [email protected]
SN74LVC2G34DRLR
- รุ่นผลิตภัณฑ์:
- SN74LVC2G34DRLR
- ผู้ผลิต:
- TI
- ลักษณะ:
- IC BUFFER DUAL NON-INV SOT-563
- สถานะตะกั่วฟรี:
- ปราศจากสารตะกั่ว / เป็นไปตาม RoHS
- ปริมาณสต็อค:
- 55022 Pieces
- เวลาจัดส่ง:
- 1-2 days
- เวลานำ:
- 4-8 weeks
- แผ่นข้อมูล:
- SN74LVC2G34DRLR.pdf
บทนำ
ขนาด
| เงื่อนไข | New & Original, tested |
|---|---|
| ประเทศต้นกำเนิด | Contact us |
| รหัสการทำเครื่องหมาย | Send by email |
| แรงดันไฟฟ้า - เกี่ยวกับสถานะ: | 2 |
| แรงดันไฟฟ้า - พังทลาย: | 6-SOT |
| การจับเวลา: | 32mA, 32mA |
| สไตล์เชลล์: | 1.65 V ~ 5.5 V |
| ชุด: | 74LVC |
| สถานะ RoHS: | Tape & Reel (TR) |
| โพลาไรซ์: | SOT-563, SOT-666 |
| ประเภทขาออก: | Push-Pull |
| ชื่ออื่น: | 296-18020-2 SN74LVC2G34DRLRG4 SN74LVC2G34DRLRG4-ND |
| อุณหภูมิในการทำงาน: | -40°C ~ 125°C (TA) |
| จำนวนบิตต่อธาตุ: | Buffer, Non-Inverting |
| ประเภทการติดตั้ง: | Surface Mount |
| ระดับความไวของความชื้น (MSL): | 1 (Unlimited) |
| ระยะเวลารอคอยของผู้ผลิตมาตรฐาน: | 6 Weeks |
| หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต: | SN74LVC2G34DRLR |
| ประเภทขาเข้า: | - |
| ขยายคำอธิบาย: | Buffer, Non-Inverting Element 1 Bit per Element Push-Pull Output 6-SOT |
| ลักษณะ: | IC BUFFER DUAL NON-INV SOT-563 |
| เอาท์พุทสูง, ต่ำ - ปัจจุบัน: | 1 |
| Email: | [email protected] |
ชิ้นส่วนที่เกี่ยวข้องกับการ SN74LVC2G34DRLR
ข่าว Latest
- มีข่าวลือว่า Samsung และ SK Hynix หยุด DDR3 และใบเสนอราคาโปรโมชั่นเพิ่มขึ้น 20 %
- Melexis เปิดตัว MLX90427: การควบคุมสายไปยังตัวเลือกใหม่ปลอดภัยมีประสิทธิภาพและประหยัด
- รายงานทางการเงินของ NXP และ Ansonmei ประกาศและราคาของราคาทองแดงจะถูกส่งไปยังอุตสาหกรรม IC
- Moels Micro Electronics ได้จัดตั้งสำนักงานใหม่ในไต้หวันประเทศจีนเพื่อขยายอาณาเขตธุรกิจ
- ประสิทธิภาพของ Texas Instruments ยังคงเพิ่มขึ้นและโรงงานจัดเก็บข้อมูลสองแห่งผลักดันผลิตภัณฑ์หน่วยความจำแฟลชใหม่
- รายงานทางการเงินในไตรมาสแรกของ SEF Semiconductor (ST) ลดลงและความต้องการรถยนต์ก็ชะลอตัวลง
- ประสิทธิภาพของ Texas Instruments ยังคงเพิ่มขึ้นและโรงงานจัดเก็บข้อมูลสองแห่งผลักดันผลิตภัณฑ์หน่วยความจำแฟลชใหม่
- ปริมาณชิปสำหรับผู้ใหญ่ในท้องถิ่นความสามารถในการผลิตหน่วยความจำ Samsung Nand Flash ใกล้โหลด
- Vishay เปิดตัวบรรจุภัณฑ์ขนาดเล็กความสว่างสูงสีน้ำเงินและสีเขียวบริสุทธิ์บริสุทธิ์
- Ansonmei เปิดตัวเซ็นเซอร์ตำแหน่งอุปนัยสำหรับตลาดอุตสาหกรรมและการขนส่ง
- Ruisa เริ่มต้นโรงงานเก่าเพื่อเพิ่มอุปกรณ์พลังงานแผ่นดินไหวส่งผลกระทบต่อการส่งออก DRAM เล็กน้อย
- Microchip ช่วยให้กำลังการผลิตของ TSMC และเพิ่มราคาเพิ่มขึ้น