SN74AHCT32QDRQ1 พร้อมใช้งานแล้ว!LYNTEAM Technology เป็นผู้จัดจำหน่ายถุงน่องสำหรับ SN74AHCT32QDRQ1 เรามีสต็อกสำหรับการจัดส่งทันทีและมีให้สำหรับการจัดหาเป็นเวลานานกรุณาส่งแผนการซื้อของคุณสำหรับ SN74AHCT32QDRQ1 ทางอีเมลเราจะให้ราคาที่ดีที่สุดตามแผนของคุณ
ซื้อ SN74AHCT32QDRQ1 ด้วย LYNTEAM ประหยัดเงินและเวลาของคุณ
อีเมลของเรา: [email protected]
SN74AHCT32QDRQ1
- รุ่นผลิตภัณฑ์:
- SN74AHCT32QDRQ1
- ผู้ผลิต:
- TI
- ลักษณะ:
- IC GATE OR 4CH 2-INP 14-SOIC
- สถานะตะกั่วฟรี:
- ปราศจากสารตะกั่ว / เป็นไปตาม RoHS
- ปริมาณสต็อค:
- 52204 Pieces
- เวลาจัดส่ง:
- 1-2 days
- เวลานำ:
- 4-8 weeks
- แผ่นข้อมูล:
- SN74AHCT32QDRQ1.pdf
บทนำ
ขนาด
| เงื่อนไข | New & Original, tested |
|---|---|
| ประเทศต้นกำเนิด | Contact us |
| รหัสการทำเครื่องหมาย | Send by email |
| แรงดันไฟฟ้า - พังทลาย: | 14-SOIC |
| การจับเวลา: | 8mA, 8mA |
| สไตล์เชลล์: | 4.5 V ~ 5.5 V |
| ชุด: | Automotive, AEC-Q100, 74AHCT |
| มิตเรียกการป้อนข้อมูล: | 2V |
| สถานะ RoHS: | Tape & Reel (TR) |
| อัตราส่วน - S / H: ADC: | 2 |
| โพลาไรซ์: | 14-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| ปฐมนิเทศ: | 4 |
| อุณหภูมิในการทำงาน: | -40°C ~ 125°C |
| จำนวนบิตต่อธาตุ: | OR Gate |
| ประเภทการติดตั้ง: | Surface Mount |
| ระดับความไวของความชื้น (MSL): | 1 (Unlimited) |
| ระยะเวลารอคอยของผู้ผลิตมาตรฐาน: | 6 Weeks |
| หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต: | SN74AHCT32QDRQ1 |
| ระดับตรรกะ - สูง: | 0.8V |
| คุณลักษณะเด่น: | - |
| ขยายคำอธิบาย: | OR Gate IC 4 Channel 14-SOIC |
| ลักษณะ: | IC GATE OR 4CH 2-INP 14-SOIC |
| ปัจจุบัน - Quiescent: | 7.9ns @ 5V, 50pF |
| CMRR, PSRR (ประเภท): | 2µA |
| Email: | [email protected] |
ชิ้นส่วนที่เกี่ยวข้องกับการ SN74AHCT32QDRQ1
ข่าว Latest
- Moels Micro Electronics ได้จัดตั้งสำนักงานใหม่ในไต้หวันประเทศจีนเพื่อขยายอาณาเขตธุรกิจ
- ประสิทธิภาพของ Texas Instruments ยังคงเพิ่มขึ้นและโรงงานจัดเก็บข้อมูลสองแห่งผลักดันผลิตภัณฑ์หน่วยความจำแฟลชใหม่
- รายงานทางการเงินในไตรมาสแรกของ SEF Semiconductor (ST) ลดลงและความต้องการรถยนต์ก็ชะลอตัวลง
- ประสิทธิภาพของ Texas Instruments ยังคงเพิ่มขึ้นและโรงงานจัดเก็บข้อมูลสองแห่งผลักดันผลิตภัณฑ์หน่วยความจำแฟลชใหม่
- ปริมาณชิปสำหรับผู้ใหญ่ในท้องถิ่นความสามารถในการผลิตหน่วยความจำ Samsung Nand Flash ใกล้โหลด
- Vishay เปิดตัวบรรจุภัณฑ์ขนาดเล็กความสว่างสูงสีน้ำเงินและสีเขียวบริสุทธิ์บริสุทธิ์
- Ansonmei เปิดตัวเซ็นเซอร์ตำแหน่งอุปนัยสำหรับตลาดอุตสาหกรรมและการขนส่ง
- Ruisa เริ่มต้นโรงงานเก่าเพื่อเพิ่มอุปกรณ์พลังงานแผ่นดินไหวส่งผลกระทบต่อการส่งออก DRAM เล็กน้อย
- Microchip ช่วยให้กำลังการผลิตของ TSMC และเพิ่มราคาเพิ่มขึ้น
- Ruisa เปิดตัว RA0 ซีรี่ส์ใหม่ Ultra -low Power Entry -level MCU
- Melexis เปิดตัวชิปสวิตช์ตัวเหนี่ยวนำแบบครบวงจร
- X-FAB แนะนำเทคโนโลยีการส่องสว่างเซ็นเซอร์ด้านหลังเพื่อเพิ่มประสิทธิภาพเซ็นเซอร์ CMOS