SM4124JB3R90 พร้อมใช้งานแล้ว!LYNTEAM Technology เป็นผู้จัดจำหน่ายถุงน่องสำหรับ SM4124JB3R90 เรามีสต็อกสำหรับการจัดส่งทันทีและมีให้สำหรับการจัดหาเป็นเวลานานกรุณาส่งแผนการซื้อของคุณสำหรับ SM4124JB3R90 ทางอีเมลเราจะให้ราคาที่ดีที่สุดตามแผนของคุณ
ซื้อ SM4124JB3R90 ด้วย LYNTEAM ประหยัดเงินและเวลาของคุณ
อีเมลของเรา: [email protected]
SM4124JB3R90
- รุ่นผลิตภัณฑ์:
- SM4124JB3R90
- ผู้ผลิต:
- Stackpole Electronics, Inc.
- ลักษณะ:
- RES SMD 3.9 OHM 5% 2W 4124
- สถานะตะกั่วฟรี:
- ปราศจากสารตะกั่ว / เป็นไปตาม RoHS
- ปริมาณสต็อค:
- 41168 Pieces
- เวลาจัดส่ง:
- 1-2 days
- เวลานำ:
- 4-8 weeks
- แผ่นข้อมูล:
- 1.SM4124JB3R90.pdf2.SM4124JB3R90.pdf
บทนำ
ขนาด
| เงื่อนไข | New & Original, tested |
|---|---|
| ประเทศต้นกำเนิด | Contact us |
| รหัสการทำเครื่องหมาย | Send by email |
| อัตราส่วนแรงดันไฟฟ้า - AC: | - |
| แรงดันไฟฟ้า - การทำงาน: | 2W |
| แรงดันไฟฟ้า - พังทลาย: | 4124 |
| ความหนา (สูงสุด): | ±100ppm/°C |
| ขนาด / มิติ: | 0.429" L x 0.240" W (10.90mm x 6.10mm) |
| ชุด: | SM |
| สถานะ RoHS: | Bulk |
| โพลาไรซ์: | 4124 J-Lead |
| ชื่ออื่น: | SM 2 3.9 5% B SM23.95%B SM23.95%B-ND SM23.9JB SM23.9JB-ND |
| อุณหภูมิในการทำงาน: | -55°C ~ 275°C |
| ระดับความไวของความชื้น (MSL): | 1 (Unlimited) |
| ระยะเวลารอคอยของผู้ผลิตมาตรฐาน: | 11 Weeks |
| หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต: | SM4124JB3R90 |
| ความสูง - นั่ง (สูงสุด): | 0.195" (4.95mm) |
| คุณลักษณะเด่น: | Moisture Resistant, Pulse Withstanding |
| FIFO ของ: | 2 |
| ขยายคำอธิบาย: | 3.9 Ohm ±5% 2W Chip Resistor 4124 J-Lead Moisture Resistant, Pulse Withstanding Wirewound |
| ESR (ต้านทานอนุกรมเทียบเท่า): | ±5% |
| ลักษณะ: | RES SMD 3.9 OHM 5% 2W 4124 |
| เคลือบประเภทที่อยู่อาศัย: | Wirewound |
| แบนด์วิดธ์: | 3.9 |
| Email: | [email protected] |
ชิ้นส่วนที่เกี่ยวข้องกับการ SM4124JB3R90
ข่าว Latest
- แขนปรากฏใน Computex 2024: คาดว่าจะใช้อุปกรณ์ ARM มากกว่า 100 พันล้านเครื่องสำหรับ AI ภายในสิ้นปี 2568
- Qorvo เปิดตัวระดับสูงที่ยอดเยี่ยมของอุตสาหกรรมระดับสูง 5G MMIMO Preliminaries
- วงจรการจำลองสินค้าคงคลังด้านล่าง AI จะขับเคลื่อนความต้องการหน่วยความจำแฟลชยังคงดำเนินต่อไป
- แผนการของไมครอนในการสร้างโรงงานหน่วยความจำแฟลช NAND ในราคาสูงหรือการบำรุงรักษา
- ประสิทธิภาพของ ADI ลดลงพื้นผิวฟอยล์ทองแดงได้เพิ่มขึ้นการจัดเก็บการจัดเก็บของโรงงานดั้งเดิมเพิ่มการผลิตอนุรักษ์นิยม
- คลื่นของสติปัญญาในรถกำลังจะมาและ Aimus Oslang ช่วย Sagita Juguang ปล่อย MX LiDar
- กำลังการผลิต HBM ไม่รวมหน่วยความจำ DRAM อาจขาดแคลนในช่วงครึ่งหลังของปี
- ผู้ก่อตั้งกำแพงจะสิ้นสุด HBM หรือทำให้ DRAM เพิ่มขึ้นอีกครั้ง
- ความต้องการการขยายตัวของโทรศัพท์มือถือ AI และพีซีการปรับปรุงอุตสาหกรรมการผลิตเซมิคอนดักเตอร์ทั่วโลก
- ทำความเข้าใจกับความต้องการของ ADAS และระบบตรวจสอบห้องโดยสารสำหรับเซ็นเซอร์ภาพความปลอดภัยเครือข่าย
- มีข่าวลือว่า Samsung และ SK Hynix หยุด DDR3 และใบเสนอราคาโปรโมชั่นเพิ่มขึ้น 20 %
- Melexis เปิดตัว MLX90427: การควบคุมสายไปยังตัวเลือกใหม่ปลอดภัยมีประสิทธิภาพและประหยัด