SHF-0289Z พร้อมใช้งานแล้ว!LYNTEAM Technology เป็นผู้จัดจำหน่ายถุงน่องสำหรับ SHF-0289Z เรามีสต็อกสำหรับการจัดส่งทันทีและมีให้สำหรับการจัดหาเป็นเวลานานกรุณาส่งแผนการซื้อของคุณสำหรับ SHF-0289Z ทางอีเมลเราจะให้ราคาที่ดีที่สุดตามแผนของคุณ
ซื้อ SHF-0289Z ด้วย LYNTEAM ประหยัดเงินและเวลาของคุณ
อีเมลของเรา: [email protected]
SHF-0289Z
- รุ่นผลิตภัณฑ์:
- SHF-0289Z
- ผู้ผลิต:
- RFMD
- ลักษณะ:
- FET RF 9V 1.96GHZ SOT-89
- สถานะตะกั่วฟรี:
- ปราศจากสารตะกั่ว / เป็นไปตาม RoHS
- ปริมาณสต็อค:
- 20996 Pieces
- เวลาจัดส่ง:
- 1-2 days
- เวลานำ:
- 4-8 weeks
- แผ่นข้อมูล:
- SHF-0289Z.pdf
บทนำ
ขนาด
| เงื่อนไข | New & Original, tested |
|---|---|
| ประเทศต้นกำเนิด | Contact us |
| รหัสการทำเครื่องหมาย | Send by email |
| แรงดันไฟฟ้า - ที่ยอดนิยม: | 9V |
| แรงดันไฟฟ้า - ออก: | 30.2dBm |
| แรงดันไฟฟ้า - พังทลาย: | SOT-89 |
| ชุด: | - |
| สถานะ RoHS: | Tape & Reel (TR) |
| โพลาไรซ์: | TO-243AA |
| ชื่ออื่น: | 599-1081-2 |
| เสียงรบกวนเต็มตัว: | 7V |
| ระดับความไวของความชื้น (MSL): | 2 (1 Year) |
| หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต: | SHF-0289Z |
| ความถี่: | 1.96GHz |
| ประเภท FET: | 20dB |
| ขยายคำอธิบาย: | RF Mosfet HFET 7V 200mA 1.96GHz 20dB 30.2dBm SOT-89 |
| แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On): | 200mA |
| ลักษณะ: | FET RF 9V 1.96GHZ SOT-89 |
| พิกัดกระแส: | 400mA |
| ปัจจุบัน - การทดสอบ: | 4dB |
| ปัจจุบัน - สะสม (IC) (สูงสุด): | HFET |
| Email: | [email protected] |
ชิ้นส่วนที่เกี่ยวข้องกับการ SHF-0289Z
ข่าว Latest
- ผู้ก่อตั้งกำแพงจะสิ้นสุด HBM หรือทำให้ DRAM เพิ่มขึ้นอีกครั้ง
- ความต้องการการขยายตัวของโทรศัพท์มือถือ AI และพีซีการปรับปรุงอุตสาหกรรมการผลิตเซมิคอนดักเตอร์ทั่วโลก
- ทำความเข้าใจกับความต้องการของ ADAS และระบบตรวจสอบห้องโดยสารสำหรับเซ็นเซอร์ภาพความปลอดภัยเครือข่าย
- มีข่าวลือว่า Samsung และ SK Hynix หยุด DDR3 และใบเสนอราคาโปรโมชั่นเพิ่มขึ้น 20 %
- Melexis เปิดตัว MLX90427: การควบคุมสายไปยังตัวเลือกใหม่ปลอดภัยมีประสิทธิภาพและประหยัด
- รายงานทางการเงินของ NXP และ Ansonmei ประกาศและราคาของราคาทองแดงจะถูกส่งไปยังอุตสาหกรรม IC
- Moels Micro Electronics ได้จัดตั้งสำนักงานใหม่ในไต้หวันประเทศจีนเพื่อขยายอาณาเขตธุรกิจ
- ประสิทธิภาพของ Texas Instruments ยังคงเพิ่มขึ้นและโรงงานจัดเก็บข้อมูลสองแห่งผลักดันผลิตภัณฑ์หน่วยความจำแฟลชใหม่
- รายงานทางการเงินในไตรมาสแรกของ SEF Semiconductor (ST) ลดลงและความต้องการรถยนต์ก็ชะลอตัวลง
- ประสิทธิภาพของ Texas Instruments ยังคงเพิ่มขึ้นและโรงงานจัดเก็บข้อมูลสองแห่งผลักดันผลิตภัณฑ์หน่วยความจำแฟลชใหม่
- ปริมาณชิปสำหรับผู้ใหญ่ในท้องถิ่นความสามารถในการผลิตหน่วยความจำ Samsung Nand Flash ใกล้โหลด
- Vishay เปิดตัวบรรจุภัณฑ์ขนาดเล็กความสว่างสูงสีน้ำเงินและสีเขียวบริสุทธิ์บริสุทธิ์