RR03J200RTB พร้อมใช้งานแล้ว!LYNTEAM Technology เป็นผู้จัดจำหน่ายถุงน่องสำหรับ RR03J200RTB เรามีสต็อกสำหรับการจัดส่งทันทีและมีให้สำหรับการจัดหาเป็นเวลานานกรุณาส่งแผนการซื้อของคุณสำหรับ RR03J200RTB ทางอีเมลเราจะให้ราคาที่ดีที่สุดตามแผนของคุณ
ซื้อ RR03J200RTB ด้วย LYNTEAM ประหยัดเงินและเวลาของคุณ
อีเมลของเรา: [email protected]
RR03J200RTB
- รุ่นผลิตภัณฑ์:
- RR03J200RTB
- ผู้ผลิต:
- AMP Connectors / TE Connectivity
- ลักษณะ:
- RES 200 OHM 3W 5% AXIAL
- สถานะตะกั่วฟรี:
- ปราศจากสารตะกั่ว / เป็นไปตาม RoHS
- ปริมาณสต็อค:
- 45538 Pieces
- เวลาจัดส่ง:
- 1-2 days
- เวลานำ:
- 4-8 weeks
- แผ่นข้อมูล:
- RR03J200RTB.pdf
บทนำ
ขนาด
| เงื่อนไข | New & Original, tested |
|---|---|
| ประเทศต้นกำเนิด | Contact us |
| รหัสการทำเครื่องหมาย | Send by email |
| อัตราส่วนแรงดันไฟฟ้า - AC: | - |
| แรงดันไฟฟ้า - การทำงาน: | 3W |
| แรงดันไฟฟ้า - พังทลาย: | Axial |
| ความหนา (สูงสุด): | ±300ppm/°C |
| ขนาด / มิติ: | 0.197" Dia x 0.591" L (5.00mm x 15.00mm) |
| ชุด: | RR, Neohm |
| สถานะ RoHS: | Tape & Box (TB) |
| โพลาไรซ์: | Axial |
| ชื่ออื่น: | 6-1879354-8 6-1879354-8-ND |
| อุณหภูมิในการทำงาน: | -55°C ~ 235°C |
| ระดับความไวของความชื้น (MSL): | 1 (Unlimited) |
| ระยะเวลารอคอยของผู้ผลิตมาตรฐาน: | 15 Weeks |
| หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต: | RR03J200RTB |
| ความสูง - นั่ง (สูงสุด): | - |
| คุณลักษณะเด่น: | Flame Retardant Coating, Pulse Withstanding, Safety |
| FIFO ของ: | 2 |
| ขยายคำอธิบาย: | 200 Ohm ±5% 3W Through Hole Resistor Axial Flame Retardant Coating, Pulse Withstanding, Safety Metal Film |
| ESR (ต้านทานอนุกรมเทียบเท่า): | ±5% |
| ลักษณะ: | RES 200 OHM 3W 5% AXIAL |
| เคลือบประเภทที่อยู่อาศัย: | Metal Film |
| แบนด์วิดธ์: | 200 |
| Email: | [email protected] |
ชิ้นส่วนที่เกี่ยวข้องกับการ RR03J200RTB
ข่าว Latest
- Moels Micro Electronics ได้จัดตั้งสำนักงานใหม่ในไต้หวันประเทศจีนเพื่อขยายอาณาเขตธุรกิจ
- ประสิทธิภาพของ Texas Instruments ยังคงเพิ่มขึ้นและโรงงานจัดเก็บข้อมูลสองแห่งผลักดันผลิตภัณฑ์หน่วยความจำแฟลชใหม่
- รายงานทางการเงินในไตรมาสแรกของ SEF Semiconductor (ST) ลดลงและความต้องการรถยนต์ก็ชะลอตัวลง
- ประสิทธิภาพของ Texas Instruments ยังคงเพิ่มขึ้นและโรงงานจัดเก็บข้อมูลสองแห่งผลักดันผลิตภัณฑ์หน่วยความจำแฟลชใหม่
- ปริมาณชิปสำหรับผู้ใหญ่ในท้องถิ่นความสามารถในการผลิตหน่วยความจำ Samsung Nand Flash ใกล้โหลด
- Vishay เปิดตัวบรรจุภัณฑ์ขนาดเล็กความสว่างสูงสีน้ำเงินและสีเขียวบริสุทธิ์บริสุทธิ์
- Ansonmei เปิดตัวเซ็นเซอร์ตำแหน่งอุปนัยสำหรับตลาดอุตสาหกรรมและการขนส่ง
- Ruisa เริ่มต้นโรงงานเก่าเพื่อเพิ่มอุปกรณ์พลังงานแผ่นดินไหวส่งผลกระทบต่อการส่งออก DRAM เล็กน้อย
- Microchip ช่วยให้กำลังการผลิตของ TSMC และเพิ่มราคาเพิ่มขึ้น
- Ruisa เปิดตัว RA0 ซีรี่ส์ใหม่ Ultra -low Power Entry -level MCU
- Melexis เปิดตัวชิปสวิตช์ตัวเหนี่ยวนำแบบครบวงจร
- X-FAB แนะนำเทคโนโลยีการส่องสว่างเซ็นเซอร์ด้านหลังเพื่อเพิ่มประสิทธิภาพเซ็นเซอร์ CMOS