RLR05C2551FSB14 พร้อมใช้งานแล้ว!LYNTEAM Technology เป็นผู้จัดจำหน่ายถุงน่องสำหรับ RLR05C2551FSB14 เรามีสต็อกสำหรับการจัดส่งทันทีและมีให้สำหรับการจัดหาเป็นเวลานานกรุณาส่งแผนการซื้อของคุณสำหรับ RLR05C2551FSB14 ทางอีเมลเราจะให้ราคาที่ดีที่สุดตามแผนของคุณ
ซื้อ RLR05C2551FSB14 ด้วย LYNTEAM ประหยัดเงินและเวลาของคุณ
อีเมลของเรา: [email protected]
RLR05C2551FSB14
- รุ่นผลิตภัณฑ์:
- RLR05C2551FSB14
- ผู้ผลิต:
- Dale / Vishay
- ลักษณะ:
- RES 2.55K OHM 1% 1/8W AXIAL
- สถานะตะกั่วฟรี:
- ประกอบด้วยสารตะกั่ว / ไม่เป็นไปตามข้อกำหนด RoHS
- ปริมาณสต็อค:
- 43786 Pieces
- เวลาจัดส่ง:
- 1-2 days
- เวลานำ:
- 4-8 weeks
- แผ่นข้อมูล:
- RLR05C2551FSB14.pdf
บทนำ
ขนาด
| เงื่อนไข | New & Original, tested |
|---|---|
| ประเทศต้นกำเนิด | Contact us |
| รหัสการทำเครื่องหมาย | Send by email |
| อัตราส่วนแรงดันไฟฟ้า - AC: | S (0.001%) |
| แรงดันไฟฟ้า - การทำงาน: | 0.125W, 1/8W |
| แรงดันไฟฟ้า - พังทลาย: | Axial |
| ความหนา (สูงสุด): | ±100ppm/°C |
| ขนาด / มิติ: | 0.066" Dia x 0.150" L (1.68mm x 3.81mm) |
| ชุด: | Military, MIL-PRF-39017/05, RLR05 |
| สถานะ RoHS: | Bulk |
| โพลาไรซ์: | Axial |
| ชื่ออื่น: | RLR05C2551FSB14-MIL |
| อุณหภูมิในการทำงาน: | -65°C ~ 150°C |
| ระดับความไวของความชื้น (MSL): | 1 (Unlimited) |
| ระยะเวลารอคอยของผู้ผลิตมาตรฐาน: | 10 Weeks |
| หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต: | RLR05C2551FSB14 |
| ความสูง - นั่ง (สูงสุด): | - |
| คุณลักษณะเด่น: | Military, Moisture Resistant, Weldable |
| FIFO ของ: | 2 |
| ขยายคำอธิบาย: | 2.55k Ohm ±1% 0.125W, 1/8W Through Hole Resistor Axial Military, Moisture Resistant, Weldable Metal Film |
| ESR (ต้านทานอนุกรมเทียบเท่า): | ±1% |
| ลักษณะ: | RES 2.55K OHM 1% 1/8W AXIAL |
| เคลือบประเภทที่อยู่อาศัย: | Metal Film |
| แบนด์วิดธ์: | 2.55k |
| Email: | [email protected] |
ชิ้นส่วนที่เกี่ยวข้องกับการ RLR05C2551FSB14
ข่าว Latest
- แขนปรากฏใน Computex 2024: คาดว่าจะใช้อุปกรณ์ ARM มากกว่า 100 พันล้านเครื่องสำหรับ AI ภายในสิ้นปี 2568
- Qorvo เปิดตัวระดับสูงที่ยอดเยี่ยมของอุตสาหกรรมระดับสูง 5G MMIMO Preliminaries
- วงจรการจำลองสินค้าคงคลังด้านล่าง AI จะขับเคลื่อนความต้องการหน่วยความจำแฟลชยังคงดำเนินต่อไป
- แผนการของไมครอนในการสร้างโรงงานหน่วยความจำแฟลช NAND ในราคาสูงหรือการบำรุงรักษา
- ประสิทธิภาพของ ADI ลดลงพื้นผิวฟอยล์ทองแดงได้เพิ่มขึ้นการจัดเก็บการจัดเก็บของโรงงานดั้งเดิมเพิ่มการผลิตอนุรักษ์นิยม
- คลื่นของสติปัญญาในรถกำลังจะมาและ Aimus Oslang ช่วย Sagita Juguang ปล่อย MX LiDar
- กำลังการผลิต HBM ไม่รวมหน่วยความจำ DRAM อาจขาดแคลนในช่วงครึ่งหลังของปี
- ผู้ก่อตั้งกำแพงจะสิ้นสุด HBM หรือทำให้ DRAM เพิ่มขึ้นอีกครั้ง
- ความต้องการการขยายตัวของโทรศัพท์มือถือ AI และพีซีการปรับปรุงอุตสาหกรรมการผลิตเซมิคอนดักเตอร์ทั่วโลก
- ทำความเข้าใจกับความต้องการของ ADAS และระบบตรวจสอบห้องโดยสารสำหรับเซ็นเซอร์ภาพความปลอดภัยเครือข่าย
- มีข่าวลือว่า Samsung และ SK Hynix หยุด DDR3 และใบเสนอราคาโปรโมชั่นเพิ่มขึ้น 20 %
- Melexis เปิดตัว MLX90427: การควบคุมสายไปยังตัวเลือกใหม่ปลอดภัยมีประสิทธิภาพและประหยัด