PWR3014W2R00JE พร้อมใช้งานแล้ว!LYNTEAM Technology เป็นผู้จัดจำหน่ายถุงน่องสำหรับ PWR3014W2R00JE เรามีสต็อกสำหรับการจัดส่งทันทีและมีให้สำหรับการจัดหาเป็นเวลานานกรุณาส่งแผนการซื้อของคุณสำหรับ PWR3014W2R00JE ทางอีเมลเราจะให้ราคาที่ดีที่สุดตามแผนของคุณ
ซื้อ PWR3014W2R00JE ด้วย LYNTEAM ประหยัดเงินและเวลาของคุณ
อีเมลของเรา: [email protected]
PWR3014W2R00JE
- รุ่นผลิตภัณฑ์:
- PWR3014W2R00JE
- ผู้ผลิต:
- Bourns, Inc.
- ลักษณะ:
- RES SMD 2 OHM 5% 1W 3014
- สถานะตะกั่วฟรี:
- ปราศจากสารตะกั่ว / เป็นไปตาม RoHS
- ปริมาณสต็อค:
- 45030 Pieces
- เวลาจัดส่ง:
- 1-2 days
- เวลานำ:
- 4-8 weeks
- แผ่นข้อมูล:
- PWR3014W2R00JE.pdf
บทนำ
ขนาด
| เงื่อนไข | New & Original, tested |
|---|---|
| ประเทศต้นกำเนิด | Contact us |
| รหัสการทำเครื่องหมาย | Send by email |
| อัตราส่วนแรงดันไฟฟ้า - AC: | - |
| แรงดันไฟฟ้า - การทำงาน: | 1W |
| แรงดันไฟฟ้า - พังทลาย: | 3014 |
| ความหนา (สูงสุด): | ±50ppm/°C |
| ขนาด / มิติ: | 0.295" L x 0.138" W (7.50mm x 3.50mm) |
| ชุด: | PWR3014 |
| สถานะ RoHS: | Tape & Reel (TR) |
| โพลาไรซ์: | 3014 J-Lead |
| อุณหภูมิในการทำงาน: | -55°C ~ 155°C |
| ระดับความไวของความชื้น (MSL): | 1 (Unlimited) |
| ระยะเวลารอคอยของผู้ผลิตมาตรฐาน: | 17 Weeks |
| หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต: | PWR3014W2R00JE |
| ความสูง - นั่ง (สูงสุด): | 0.203" (5.15mm) |
| คุณลักษณะเด่น: | Current Sense, Pulse Withstanding |
| FIFO ของ: | 2 |
| ขยายคำอธิบาย: | 2 Ohm ±5% 1W Chip Resistor 3014 J-Lead Current Sense, Pulse Withstanding Wirewound |
| ESR (ต้านทานอนุกรมเทียบเท่า): | ±5% |
| ลักษณะ: | RES SMD 2 OHM 5% 1W 3014 |
| เคลือบประเภทที่อยู่อาศัย: | Wirewound |
| แบนด์วิดธ์: | 2 |
| Email: | [email protected] |
ชิ้นส่วนที่เกี่ยวข้องกับการ PWR3014W2R00JE
ข่าว Latest
- ประสิทธิภาพของ Texas Instruments ยังคงเพิ่มขึ้นและโรงงานจัดเก็บข้อมูลสองแห่งผลักดันผลิตภัณฑ์หน่วยความจำแฟลชใหม่
- ปริมาณชิปสำหรับผู้ใหญ่ในท้องถิ่นความสามารถในการผลิตหน่วยความจำ Samsung Nand Flash ใกล้โหลด
- Vishay เปิดตัวบรรจุภัณฑ์ขนาดเล็กความสว่างสูงสีน้ำเงินและสีเขียวบริสุทธิ์บริสุทธิ์
- Ansonmei เปิดตัวเซ็นเซอร์ตำแหน่งอุปนัยสำหรับตลาดอุตสาหกรรมและการขนส่ง
- Ruisa เริ่มต้นโรงงานเก่าเพื่อเพิ่มอุปกรณ์พลังงานแผ่นดินไหวส่งผลกระทบต่อการส่งออก DRAM เล็กน้อย
- Microchip ช่วยให้กำลังการผลิตของ TSMC และเพิ่มราคาเพิ่มขึ้น
- Ruisa เปิดตัว RA0 ซีรี่ส์ใหม่ Ultra -low Power Entry -level MCU
- Melexis เปิดตัวชิปสวิตช์ตัวเหนี่ยวนำแบบครบวงจร
- X-FAB แนะนำเทคโนโลยีการส่องสว่างเซ็นเซอร์ด้านหลังเพื่อเพิ่มประสิทธิภาพเซ็นเซอร์ CMOS
- โรงงานชิปขนาดใหญ่ได้รับผลกระทบจากแผ่นดินไหว: TSMC หยุดทำงานอย่างเร่งด่วนทำให้การจัดหา GPU รุนแรงขึ้นในระยะสั้นหรือไม่?
- หน่วยความจำแฟลช NAND ยังคงดำเนินต่อไป MCU Destocking Bottom ถูกต้อง
- ภายใต้ AI Air Outlet ยักษ์ใหญ่ชิปสองตัวคือ "ไม่แข็งแกร่ง": ทุบเงินเพื่อทำลายเกมเดิมพันในการต่อสู้ทีม 2025