P87C51RC2BN,112 พร้อมใช้งานแล้ว!LYNTEAM Technology เป็นผู้จัดจำหน่ายถุงน่องสำหรับ P87C51RC2BN,112 เรามีสต็อกสำหรับการจัดส่งทันทีและมีให้สำหรับการจัดหาเป็นเวลานานกรุณาส่งแผนการซื้อของคุณสำหรับ P87C51RC2BN,112 ทางอีเมลเราจะให้ราคาที่ดีที่สุดตามแผนของคุณ
ซื้อ P87C51RC2BN,112 ด้วย LYNTEAM ประหยัดเงินและเวลาของคุณ
อีเมลของเรา: [email protected]
P87C51RC2BN,112
- รุ่นผลิตภัณฑ์:
- P87C51RC2BN,112
- ผู้ผลิต:
- NXP Semiconductors / Freescale
- ลักษณะ:
- IC MCU 8BIT 32KB OTP 40DIP
- สถานะตะกั่วฟรี:
- ปราศจากสารตะกั่ว / เป็นไปตาม RoHS
- ปริมาณสต็อค:
- 31574 Pieces
- เวลาจัดส่ง:
- 1-2 days
- เวลานำ:
- 4-8 weeks
- แผ่นข้อมูล:
- P87C51RC2BN,112.pdf
บทนำ
ขนาด
| เงื่อนไข | New & Original, tested |
|---|---|
| ประเทศต้นกำเนิด | Contact us |
| รหัสการทำเครื่องหมาย | Send by email |
| แรงดันไฟฟ้า - อุปทาน (Vcc / Vdd): | 2.7 V ~ 5.5 V |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ: | 40-DIP |
| ความเร็ว: | 33MHz |
| ชุด: | 87C |
| RAM ขนาด: | 512 x 8 |
| ประเภทหน่วยความจำโปรแกรม: | OTP |
| ขนาดหน่วยความจำโปรแกรม: | 32KB (32K x 8) |
| อุปกรณ์ต่อพ่วง: | POR, PWM, WDT |
| บรรจุภัณฑ์: | Tube |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์: | 40-DIP (0.600", 15.24mm) |
| ชื่ออื่น: | 935272150112 P87C51RC2BN P87C51RC2BN-ND |
| ประเภท oscillator: | Internal |
| อุณหภูมิในการทำงาน: | 0°C ~ 70°C (TA) |
| จำนวน I / O: | 32 |
| ระดับความไวของความชื้น (MSL): | 1 (Unlimited) |
| สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| ขนาด EEPROM: | - |
| คำอธิบายโดยละเอียด: | 8051 87C Microcontroller IC 8-Bit 33MHz 32KB (32K x 8) OTP 40-DIP |
| แปลงข้อมูล: | - |
| ขนาดหลัก: | 8-Bit |
| หน่วยประมวลผลหลัก: | 8051 |
| การเชื่อมต่อ: | EBI/EMI, UART/USART |
| หมายเลขชิ้นส่วนพื้นฐาน: | P87C51 |
| Email: | [email protected] |
ชิ้นส่วนที่เกี่ยวข้องกับการ P87C51RC2BN,112
ข่าว Latest
- Ansonmei เปิดตัวเซ็นเซอร์ตำแหน่งอุปนัยสำหรับตลาดอุตสาหกรรมและการขนส่ง
- Ruisa เริ่มต้นโรงงานเก่าเพื่อเพิ่มอุปกรณ์พลังงานแผ่นดินไหวส่งผลกระทบต่อการส่งออก DRAM เล็กน้อย
- Microchip ช่วยให้กำลังการผลิตของ TSMC และเพิ่มราคาเพิ่มขึ้น
- Ruisa เปิดตัว RA0 ซีรี่ส์ใหม่ Ultra -low Power Entry -level MCU
- Melexis เปิดตัวชิปสวิตช์ตัวเหนี่ยวนำแบบครบวงจร
- X-FAB แนะนำเทคโนโลยีการส่องสว่างเซ็นเซอร์ด้านหลังเพื่อเพิ่มประสิทธิภาพเซ็นเซอร์ CMOS
- โรงงานชิปขนาดใหญ่ได้รับผลกระทบจากแผ่นดินไหว: TSMC หยุดทำงานอย่างเร่งด่วนทำให้การจัดหา GPU รุนแรงขึ้นในระยะสั้นหรือไม่?
- หน่วยความจำแฟลช NAND ยังคงดำเนินต่อไป MCU Destocking Bottom ถูกต้อง
- ภายใต้ AI Air Outlet ยักษ์ใหญ่ชิปสองตัวคือ "ไม่แข็งแกร่ง": ทุบเงินเพื่อทำลายเกมเดิมพันในการต่อสู้ทีม 2025
- Toshiba เปิดตัว SmartMCD Series Gate Driver IC พร้อมไมโครคอนโทรลเลอร์แบบฝังตัว
- Samsung: เผชิญกับความท้าทายของทั้งสองพื้นที่สำคัญระดมทุนเพื่อทำลายสถานการณ์
- Foundry Foundry ที่เป็นผู้ใหญ่ลดราคาอีกครั้ง Samsung เป็นอิสระจากหน่วยความจำ Nvidia HBM3E