OPA355QDBVRQ1 พร้อมใช้งานแล้ว!LYNTEAM Technology เป็นผู้จัดจำหน่ายถุงน่องสำหรับ OPA355QDBVRQ1 เรามีสต็อกสำหรับการจัดส่งทันทีและมีให้สำหรับการจัดหาเป็นเวลานานกรุณาส่งแผนการซื้อของคุณสำหรับ OPA355QDBVRQ1 ทางอีเมลเราจะให้ราคาที่ดีที่สุดตามแผนของคุณ
ซื้อ OPA355QDBVRQ1 ด้วย LYNTEAM ประหยัดเงินและเวลาของคุณ
อีเมลของเรา: [email protected]
OPA355QDBVRQ1
- รุ่นผลิตภัณฑ์:
- OPA355QDBVRQ1
- ผู้ผลิต:
- TI
- ลักษณะ:
- IC OPAMP VOLT-FDBK W/SD SOT23-6
- สถานะตะกั่วฟรี:
- ปราศจากสารตะกั่ว / เป็นไปตาม RoHS
- ปริมาณสต็อค:
- 48829 Pieces
- เวลาจัดส่ง:
- 1-2 days
- เวลานำ:
- 4-8 weeks
- แผ่นข้อมูล:
- OPA355QDBVRQ1.pdf
บทนำ
ขนาด
| เงื่อนไข | New & Original, tested |
|---|---|
| ประเทศต้นกำเนิด | Contact us |
| รหัสการทำเครื่องหมาย | Send by email |
| แรงดันไฟฟ้า - จ่าย, เดี่ยว / คู่ (±): | 450MHz |
| แรงดันไฟฟ้าอินพุต - ออฟเซ็ท: | 3pA |
| แรงดันไฟฟ้า - พังทลาย: | SOT-23-6 |
| ชุด: | Automotive, AEC-Q100 |
| สถานะ RoHS: | Digi-Reel® |
| โพลาไรซ์: | SOT-23-6 |
| ประเภทขาออก: | Rail-to-Rail |
| ชื่ออื่น: | 296-38194-6 |
| ปฐมนิเทศ: | 1 |
| อุณหภูมิในการทำงาน: | -40°C ~ 125°C |
| จำนวนบิต / ขั้นตอน: | 2mV |
| ประเภทการติดตั้ง: | Surface Mount |
| ระดับความไวของความชื้น (MSL): | 2 (1 Year) |
| แม็กซ์กระแสไฟขาออกช่อง X @ โหลด: | CMOS |
| ระยะเวลารอคอยของผู้ผลิตมาตรฐาน: | 18 Weeks |
| หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต: | OPA355QDBVRQ1 |
| ขยายคำอธิบาย: | CMOS Amplifier 1 Circuit Rail-to-Rail SOT-23-6 |
| ลักษณะ: | IC OPAMP VOLT-FDBK W/SD SOT23-6 |
| ปัจจุบัน - อุปทาน (หลัก IC): | 2.7 V ~ 5.5 V |
| ปัจจุบัน - อุปทาน: | 8.3mA |
| ปัจจุบัน - อคติการป้อนข้อมูล: | 200MHz |
| ช่องสัญญาณต่อ IC: | 100mA |
| -3dB แบนด์วิดธ์: | 360 V/µs |
| Email: | [email protected] |
ชิ้นส่วนที่เกี่ยวข้องกับการ OPA355QDBVRQ1
ข่าว Latest
- Moels Micro Electronics ได้จัดตั้งสำนักงานใหม่ในไต้หวันประเทศจีนเพื่อขยายอาณาเขตธุรกิจ
- ประสิทธิภาพของ Texas Instruments ยังคงเพิ่มขึ้นและโรงงานจัดเก็บข้อมูลสองแห่งผลักดันผลิตภัณฑ์หน่วยความจำแฟลชใหม่
- รายงานทางการเงินในไตรมาสแรกของ SEF Semiconductor (ST) ลดลงและความต้องการรถยนต์ก็ชะลอตัวลง
- ประสิทธิภาพของ Texas Instruments ยังคงเพิ่มขึ้นและโรงงานจัดเก็บข้อมูลสองแห่งผลักดันผลิตภัณฑ์หน่วยความจำแฟลชใหม่
- ปริมาณชิปสำหรับผู้ใหญ่ในท้องถิ่นความสามารถในการผลิตหน่วยความจำ Samsung Nand Flash ใกล้โหลด
- Vishay เปิดตัวบรรจุภัณฑ์ขนาดเล็กความสว่างสูงสีน้ำเงินและสีเขียวบริสุทธิ์บริสุทธิ์
- Ansonmei เปิดตัวเซ็นเซอร์ตำแหน่งอุปนัยสำหรับตลาดอุตสาหกรรมและการขนส่ง
- Ruisa เริ่มต้นโรงงานเก่าเพื่อเพิ่มอุปกรณ์พลังงานแผ่นดินไหวส่งผลกระทบต่อการส่งออก DRAM เล็กน้อย
- Microchip ช่วยให้กำลังการผลิตของ TSMC และเพิ่มราคาเพิ่มขึ้น
- Ruisa เปิดตัว RA0 ซีรี่ส์ใหม่ Ultra -low Power Entry -level MCU
- Melexis เปิดตัวชิปสวิตช์ตัวเหนี่ยวนำแบบครบวงจร
- X-FAB แนะนำเทคโนโลยีการส่องสว่างเซ็นเซอร์ด้านหลังเพื่อเพิ่มประสิทธิภาพเซ็นเซอร์ CMOS