NGTB50N60FWG พร้อมใช้งานแล้ว!LYNTEAM Technology เป็นผู้จัดจำหน่ายถุงน่องสำหรับ NGTB50N60FWG เรามีสต็อกสำหรับการจัดส่งทันทีและมีให้สำหรับการจัดหาเป็นเวลานานกรุณาส่งแผนการซื้อของคุณสำหรับ NGTB50N60FWG ทางอีเมลเราจะให้ราคาที่ดีที่สุดตามแผนของคุณ
ซื้อ NGTB50N60FWG ด้วย LYNTEAM ประหยัดเงินและเวลาของคุณ
อีเมลของเรา: [email protected]
NGTB50N60FWG
- รุ่นผลิตภัณฑ์:
- NGTB50N60FWG
- ลักษณะ:
- IGBT 600V 100A 223W TO247
- สถานะตะกั่วฟรี:
- ปราศจากสารตะกั่ว / เป็นไปตาม RoHS
- ปริมาณสต็อค:
- 58138 Pieces
- เวลาจัดส่ง:
- 1-2 days
- เวลานำ:
- 4-8 weeks
- แผ่นข้อมูล:
- NGTB50N60FWG.pdf
บทนำ
ขนาด
| เงื่อนไข | New & Original, tested |
|---|---|
| ประเทศต้นกำเนิด | Contact us |
| รหัสการทำเครื่องหมาย | Send by email |
| แรงดันไฟฟ้า - ออฟเซ็ท (VT): | 400V, 50A, 10 Ohm, 15V |
| แรงดันไฟฟ้า - คอ Emitter พังทลาย (สูงสุด): | 100A |
| แรงดันไฟฟ้า - พังทลาย: | TO-247 |
| VCE (ON) (สูงสุด) @ VGE ไอซี: | Trench |
| VCE อิ่มตัว (สูงสุด) @ Ib, Ic: | 600V |
| ทดสอบสภาพ: | 117ns/285ns |
| Td (เปิด / ปิด) ที่ 25 ° C: | 310nC |
| การสลับพลังงาน: | 200A |
| ชุด: | - |
| สถานะ RoHS: | Tube |
| เพาเวอร์ - แม็กซ์: | 223W |
| โพลาไรซ์: | TO-247-3 |
| ชื่ออื่น: | NGTB50N60FWGOS |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction: | 77ns |
| อุณหภูมิในการทำงาน: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| ประเภทการติดตั้ง: | Through Hole |
| ระดับความไวของความชื้น (MSL): | 1 (Unlimited) |
| หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต: | NGTB50N60FWG |
| ประเภทขาเข้า: | Standard |
| การป้อนข้อมูลการประจุกระแสไฟ (Cies) @ VCE: | 1.7V @ 15V, 50A |
| ค่าใช้จ่ายประตู: | 1.1mJ (on), 1.2mJ (off) |
| ขยายคำอธิบาย: | IGBT Trench 600V 100A 223W Through Hole TO-247 |
| ลักษณะ: | IGBT 600V 100A 223W TO247 |
| Email: | [email protected] |
ชิ้นส่วนที่เกี่ยวข้องกับการ NGTB50N60FWG
ข่าว Latest
- ผู้ก่อตั้งกำแพงจะสิ้นสุด HBM หรือทำให้ DRAM เพิ่มขึ้นอีกครั้ง
- ความต้องการการขยายตัวของโทรศัพท์มือถือ AI และพีซีการปรับปรุงอุตสาหกรรมการผลิตเซมิคอนดักเตอร์ทั่วโลก
- ทำความเข้าใจกับความต้องการของ ADAS และระบบตรวจสอบห้องโดยสารสำหรับเซ็นเซอร์ภาพความปลอดภัยเครือข่าย
- มีข่าวลือว่า Samsung และ SK Hynix หยุด DDR3 และใบเสนอราคาโปรโมชั่นเพิ่มขึ้น 20 %
- Melexis เปิดตัว MLX90427: การควบคุมสายไปยังตัวเลือกใหม่ปลอดภัยมีประสิทธิภาพและประหยัด
- รายงานทางการเงินของ NXP และ Ansonmei ประกาศและราคาของราคาทองแดงจะถูกส่งไปยังอุตสาหกรรม IC
- Moels Micro Electronics ได้จัดตั้งสำนักงานใหม่ในไต้หวันประเทศจีนเพื่อขยายอาณาเขตธุรกิจ
- ประสิทธิภาพของ Texas Instruments ยังคงเพิ่มขึ้นและโรงงานจัดเก็บข้อมูลสองแห่งผลักดันผลิตภัณฑ์หน่วยความจำแฟลชใหม่
- รายงานทางการเงินในไตรมาสแรกของ SEF Semiconductor (ST) ลดลงและความต้องการรถยนต์ก็ชะลอตัวลง
- ประสิทธิภาพของ Texas Instruments ยังคงเพิ่มขึ้นและโรงงานจัดเก็บข้อมูลสองแห่งผลักดันผลิตภัณฑ์หน่วยความจำแฟลชใหม่
- ปริมาณชิปสำหรับผู้ใหญ่ในท้องถิ่นความสามารถในการผลิตหน่วยความจำ Samsung Nand Flash ใกล้โหลด
- Vishay เปิดตัวบรรจุภัณฑ์ขนาดเล็กความสว่างสูงสีน้ำเงินและสีเขียวบริสุทธิ์บริสุทธิ์