MT323220 พร้อมใช้งานแล้ว!LYNTEAM Technology เป็นผู้จัดจำหน่ายถุงน่องสำหรับ MT323220 เรามีสต็อกสำหรับการจัดส่งทันทีและมีให้สำหรับการจัดหาเป็นเวลานานกรุณาส่งแผนการซื้อของคุณสำหรับ MT323220 ทางอีเมลเราจะให้ราคาที่ดีที่สุดตามแผนของคุณ
ซื้อ MT323220 ด้วย LYNTEAM ประหยัดเงินและเวลาของคุณ
อีเมลของเรา: [email protected]
MT323220
- รุ่นผลิตภัณฑ์:
- MT323220
- ผู้ผลิต:
- Agastat Relays / TE Connectivity
- ลักษณะ:
- RELAY GEN PURPOSE 3PDT 10A 220V
- สถานะตะกั่วฟรี:
- ปราศจากสารตะกั่ว / เป็นไปตาม RoHS
- ปริมาณสต็อค:
- 23515 Pieces
- เวลาจัดส่ง:
- 1-2 days
- เวลานำ:
- 4-8 weeks
- แผ่นข้อมูล:
- MT323220.pdf
บทนำ
ขนาด
| เงื่อนไข | New & Original, tested |
|---|---|
| ประเทศต้นกำเนิด | Contact us |
| รหัสการทำเครื่องหมาย | Send by email |
| เปิดแรงดัน (สูงสุด): | 165 VDC |
| ปิดแรงดัน (ต่ำสุด): | 22 VDC |
| รูปแบบการสิ้นสุด: | Plug In, 11 Pin (Octal) |
| แรงดันไฟฟ้าสลับ: | 400VAC - Max |
| ชุด: | MT, SCHRACK |
| เวลาปล่อย: | 10ms |
| ประเภท Relay: | General Purpose |
| บรรจุภัณฑ์: | Bulk |
| ชื่ออื่น: | 9-1393091-1 |
| อุณหภูมิในการทำงาน: | -40°C ~ 60°C |
| เวลาทำงาน: | 15ms |
| ประเภทการติดตั้ง: | Socketable |
| ระดับความไวของความชื้น (MSL): | 1 (Unlimited) |
| สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| คุณลักษณะเด่น: | LED Indicator, Test Button |
| คำอธิบายโดยละเอียด: | General Purpose Relay 3PDT (3 Form C) 220VDC Coil Socketable |
| พิกัด (ปัจจุบัน): | 10A |
| วัสดุของ: | Silver Nickel (AgNi) |
| แบบฟอร์มการติดต่อ: | 3PDT (3 Form C) |
| ขดลวดแรงดันไฟฟ้า: | 220VDC |
| ประเภทคอยล์: | Non Latching |
| ความต้านทานของคอยล์: | 40 kOhms |
| ขดลวดไฟฟ้า: | 1.2 W |
| คอยล์ปัจจุบัน: | 5.5mA |
| Email: | [email protected] |
ชิ้นส่วนที่เกี่ยวข้องกับการ MT323220
ข่าว Latest
- Ansonmei เปิดตัวเซ็นเซอร์ตำแหน่งอุปนัยสำหรับตลาดอุตสาหกรรมและการขนส่ง
- Ruisa เริ่มต้นโรงงานเก่าเพื่อเพิ่มอุปกรณ์พลังงานแผ่นดินไหวส่งผลกระทบต่อการส่งออก DRAM เล็กน้อย
- Microchip ช่วยให้กำลังการผลิตของ TSMC และเพิ่มราคาเพิ่มขึ้น
- Ruisa เปิดตัว RA0 ซีรี่ส์ใหม่ Ultra -low Power Entry -level MCU
- Melexis เปิดตัวชิปสวิตช์ตัวเหนี่ยวนำแบบครบวงจร
- X-FAB แนะนำเทคโนโลยีการส่องสว่างเซ็นเซอร์ด้านหลังเพื่อเพิ่มประสิทธิภาพเซ็นเซอร์ CMOS
- โรงงานชิปขนาดใหญ่ได้รับผลกระทบจากแผ่นดินไหว: TSMC หยุดทำงานอย่างเร่งด่วนทำให้การจัดหา GPU รุนแรงขึ้นในระยะสั้นหรือไม่?
- หน่วยความจำแฟลช NAND ยังคงดำเนินต่อไป MCU Destocking Bottom ถูกต้อง
- ภายใต้ AI Air Outlet ยักษ์ใหญ่ชิปสองตัวคือ "ไม่แข็งแกร่ง": ทุบเงินเพื่อทำลายเกมเดิมพันในการต่อสู้ทีม 2025
- Toshiba เปิดตัว SmartMCD Series Gate Driver IC พร้อมไมโครคอนโทรลเลอร์แบบฝังตัว
- Samsung: เผชิญกับความท้าทายของทั้งสองพื้นที่สำคัญระดมทุนเพื่อทำลายสถานการณ์
- Foundry Foundry ที่เป็นผู้ใหญ่ลดราคาอีกครั้ง Samsung เป็นอิสระจากหน่วยความจำ Nvidia HBM3E